{"id":60263,"date":"2026-11-06T16:16:07","date_gmt":"2026-11-06T08:16:07","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/abscheidung-von-silizid-duennschichten-sputtern-salicide-und-phasensteuerung\/"},"modified":"2026-11-06T16:24:15","modified_gmt":"2026-11-06T08:24:15","slug":"abscheidung-von-silizid-duennschichten-sputtern-salicide-und-phasensteuerung","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/abscheidung-von-silizid-duennschichten-sputtern-salicide-und-phasensteuerung\/","title":{"rendered":"Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten: Sputtern, Salicide und Phasensteuerung"},"content":{"rendered":"\t\t<div data-elementor-type=\"wp-post\" data-elementor-id=\"60263\" class=\"elementor elementor-60263 elementor-60249\" data-elementor-post-type=\"post\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-5b2809f e-flex e-con-boxed e-con e-parent\" data-id=\"5b2809f\" data-element_type=\"container\" data-e-type=\"container\">\n\t\t\t\t\t<div class=\"e-con-inner\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-615a721 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"615a721\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Bei der Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten geht es nicht nur um die Wahl des richtigen Metallsilizids. Phasenbildung, Abscheidungsverfahren und Temperbedingungen k\u00f6nnen sich direkt auf den spezifischen Widerstand, die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit und die Grenzfl\u00e4chenqualit\u00e4t der Schicht auswirken. Dieser Leitfaden vergleicht Sputterverfahren, Salicide und chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und erl\u00e4utert, wie TiSi\u2082-Phasenumwandlungen und die Materialauswahl die Leistung der D\u00fcnnschicht beeinflussen.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-2d8beb6 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"2d8beb6\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">1. Was ist die Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-6083963 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"6083963\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Silicide sind Verbindungen, die zwischen Silizium und Metallen wie Titan, Nickel, Kobalt, Wolfram und Molybd\u00e4n entstehen. Sie werden in elektronischen Werkstoffen sowie <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/anwendung\/halbleiter-materialien\/\">der Halbleiterfertigung<\/a> <\/span>, in leitf\u00e4higen Schichten sowie in Hochtemperaturanwendungen.<\/p><p>In der Halbleitertechnik wurden Metallsilizide untersucht und eingesetzt, um den Kontakt- und Verbindungswiderstand zu verringern. Ihre Leistungsf\u00e4higkeit h\u00e4ngt von Faktoren wie der chemischen Zusammensetzung und der <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/Crystal_structure\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Kristallstruktur<\/a><\/span>, Schichtdicke, Grenzfl\u00e4chenbedingungen und thermische Vorgeschichte ab.<\/p><p data-pm-slice=\"1 1 []\">Zu den g\u00e4ngigen Silizidsystemen geh\u00f6ren:<\/p><table style=\"border-collapse: collapse; width: 100%;\"><tbody><tr><td style=\"width: 33.2617%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\"><strong>Silizid<\/strong><\/td><td style=\"width: 66.7383%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\"><strong>Typische Material- oder Prozessrelevanz<\/strong><\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.2617%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Titandisilizid (TiSi\u2082)<\/td><td style=\"width: 66.7383%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Historisch bedeutsam f\u00fcr niederohmige Kontakte und Verbindungsanwendungen<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.2617%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Kobaltdisilizid (CoSi\u2082)<\/td><td style=\"width: 66.7383%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Wird in der Halbleiterkontakt- und Grenzfl\u00e4chenforschung verwendet<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.2617%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Nickeldisilizid (NiSi\u2082)<\/td><td style=\"width: 66.7383%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Eine eigenst\u00e4ndige Nickel-Silizium-Phase mit unterschiedlichen strukturellen und elektrischen Eigenschaften<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.2617%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Wolframdisilizid (WSi\u2082)<\/td><td style=\"width: 66.7383%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Wird in Hochtemperaturwerkstoffen und bestimmten Halbleiterfertigungssystemen verwendet<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.2617%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Molybd\u00e4ndisilizid (MoSi\u2082)<\/td><td style=\"width: 66.7383%; border-style: solid; border-color: #636060; text-align: center;\">Bekannt f\u00fcr hochtemperaturbest\u00e4ndige, oxidationsbest\u00e4ndige Anwendungen und funktionale Beschichtungen<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><p data-pm-slice=\"1 1 []\">Einen umfassenderen \u00dcberblick \u00fcber die verf\u00fcgbaren Abscheidungsmaterialien finden Sie unter<span style=\"color: #0000ff;\"> <a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/duennschicht-abscheidungsmaterialien\/\">die D\u00fcnnschicht-Abscheidungsmaterialien von ULPMAT<\/a><\/span>, zu denen Sputtertargets aus Metallen, Legierungen und Keramik sowie Verdampfungsmaterialien geh\u00f6ren.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-9b1d5b2 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"9b1d5b2\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">2. Welche Silizidphasen sind f\u00fcr die Eigenschaften von D\u00fcnnschichten von Bedeutung?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-ee8f213 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"ee8f213\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Die Phasenzusammensetzung eines Silizidfilms kann dessen elektrischen spezifischen Widerstand, seine Mikrostruktur und seine Stabilit\u00e4t w\u00e4hrend der nachfolgenden Verarbeitung beeinflussen.<\/p><p>Dies ist insbesondere bei Titansilizidsystemen von Bedeutung. TiSi\u2082 kann in zwei h\u00e4ufig diskutierten Phasen auftreten:<\/p><ul data-spread=\"false\"><li><p><strong>C49-TiSi\u2082:<\/strong> Eine metastabile Phase, die sich in fr\u00fchen Stadien der Reaktion zwischen Titan und Silizium bilden kann.<\/p><\/li><li><p><strong>C54-TiSi\u2082:<\/strong> Die unter den relevanten Prozessbedingungen thermodynamisch stabile Phase, die im Allgemeinen mit einem geringeren elektrischen spezifischen Widerstand als C49-TiSi\u2082 verbunden ist.<\/p><\/li><\/ul><p>Die Umwandlung von C49 zu C54 ist daher ein wichtiger Aspekt in Prozessen, bei denen Titansilizid mit geringem elektrischen Widerstand erforderlich ist.<\/p><p>Die Phasenbildung wird jedoch nicht allein durch die Temperatur bestimmt. Schichtdicke, Orientierung des Siliziumsubstrats, Mikrostruktur, Verunreinigungen, Zustand der Grenzfl\u00e4che und die Gl\u00fchgeschichte k\u00f6nnen die Umwandlung ebenfalls beeinflussen.<\/p><p>Andere Metall-Silizium-Systeme weisen eigene Phasendiagramme und Reaktionswege auf. Der \u00dcbergang von TiSi\u2082 C49 zu C54 sollte nicht auf jedes Silizidmaterial verallgemeinert werden.<\/p><p><strong>Wie lassen sich Silizidphasen bewerten?<\/strong><\/p><p>R\u00f6ntgendiffraktometrie (XRD) wird \u00fcblicherweise eingesetzt, um kristalline Phasen zu identifizieren und die Phasenentwicklung w\u00e4hrend der Verarbeitung zu untersuchen. Je nach Schicht und Anwendung k\u00f6nnen zus\u00e4tzliche Methoden erforderlich sein:<\/p><ul data-spread=\"false\"><li><p><strong>Vierpunkt-Sondenmethode:<\/strong> Misst den Fl\u00e4chenwiderstand und hilft bei der Bewertung elektrischer Ver\u00e4nderungen w\u00e4hrend des Temperns.<\/p><\/li><li><p><strong>Rasterelektronenmikroskopie (SEM):<\/strong> Untersucht die Oberfl\u00e4chenmorphologie, die Kornstruktur und m\u00f6gliche Agglomerationen.<\/p><\/li><li><p><strong>Transmissionselektronenmikroskopie (TEM):<\/strong> Liefert detaillierte Informationen \u00fcber Grenzfl\u00e4chen, Kornstrukturen und nanoskalige Phasen.<\/p><\/li><li><p><strong>Energiedispersive R\u00f6ntgenspektroskopie (EDS):<\/strong> Hilft bei der Untersuchung der Elementverteilung und der lokalen Zusammensetzung.<\/p><\/li><\/ul><p>Keine einzelne Messung liefert ein vollst\u00e4ndiges Bild. Phasenidentifizierung, elektrische Charakterisierung und mikrostrukturelle Analyse sind am aussagekr\u00e4ftigsten, wenn sie gemeinsam ausgewertet werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-54685c6 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"54685c6\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">3. Warum ist die Umwandlung von C49 zu C54 in TiSi\u2082-Schichten von Bedeutung?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-032e401 elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"032e401\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"500\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-silicide-wafer1.jpg\" class=\"attachment-large size-large wp-image-60265\" alt=\"Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten \u2013 Silizid-Wafer f\u00fcr Halbleiteranwendungen von ULPMAT\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-silicide-wafer1.jpg 750w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-silicide-wafer1-300x200.jpg 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-silicide-wafer1-600x400.jpg 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-0d20595 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"0d20595\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Die Umwandlung von C49 zu C54 ist eines der bekanntesten Beispiele f\u00fcr die Phasensteuerung bei der Herstellung von Silizid-D\u00fcnnschichten.<\/p><p>Bei der Reaktion zwischen abgeschiedenem Titan und Silizium kann sich zun\u00e4chst C49-TiSi\u2082 bilden. Eine anschlie\u00dfende W\u00e4rmebehandlung kann die Bildung von C54-TiSi\u2082 f\u00f6rdern, was im Allgemeinen bevorzugt wird, wenn ein geringerer spezifischer Widerstand erforderlich ist.<\/p><p>In herk\u00f6mmlichen Ti\/Si-Reaktionssystemen wird die Umwandlung h\u00e4ufig in einem ungef\u00e4hren Temperaturbereich von 700\u2013900 \u00b0C diskutiert. Dieser Bereich dient eher als allgemeine Richtlinie denn als universelle Prozessspezifikation. In ver\u00f6ffentlichten Studien wurden je nach Schichtdicke, Substratorientierung und Versuchsaufbau unterschiedliche Umwandlungsbedingungen berichtet. Bei einigen spezialisierten Verfahren wurde die Bildung von C54 auch bei niedrigeren Temperaturen erreicht.<\/p><p>Dabei sind mehrere Faktoren zu ber\u00fccksichtigen:<\/p><p><strong>Schichtdicke:<\/strong> D\u00fcnne Schichten k\u00f6nnen ein anderes Phasenumwandlungsverhalten aufweisen als dickere Schichten. Dickenabh\u00e4ngige Ver\u00e4nderungen k\u00f6nnen sich zudem auf den gemessenen spezifischen Widerstand auswirken.<\/p><p><strong>Substratorientierung:<\/strong> Die kristallographische Orientierung von Silizium kann die Keimbildung und Phasenbildung beeinflussen.<\/p><p><strong>Mikrostruktur:<\/strong> Korngr\u00f6\u00dfe, Grenzfl\u00e4chenstruktur und Defekte k\u00f6nnen die Entwicklung der endg\u00fcltigen Silizidphase beeinflussen.<\/p><p><strong>Verunreinigungen und Kontaminationen:<\/strong> Unerw\u00fcnschte Elemente oder Oberfl\u00e4chenverunreinigungen k\u00f6nnen Grenzfl\u00e4chenreaktionen und die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Schicht beeintr\u00e4chtigen.<\/p><p><strong>Gl\u00fchbedingungen:<\/strong> Temperatur, Haltezeit, Aufheizgeschwindigkeit und Atmosph\u00e4re beeinflussen den Reaktionsverlauf und die Phasenentwicklung.<\/p><p>Eine \u00fcberm\u00e4\u00dfige thermische Belastung kann zudem weitere Probleme verursachen, darunter Kornwachstum, Filmagglomeration oder eine Verschlechterung der Grenzfl\u00e4che. Das Ziel besteht daher nicht einfach darin, die Temperungstemperatur zu erh\u00f6hen, sondern ein Prozessfenster zu ermitteln, das die erforderliche Phase erzeugt und gleichzeitig die Filmkontinuit\u00e4t sowie die elektrischen Eigenschaften gew\u00e4hrleistet.<\/p><p>F\u00fcr Forscher, die mit Titansilizid-Ausgangsmaterialien arbeiten, bietet ULPMAT <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/titansilicid-2\/\">Titansilizidpulver (TiSi\u2082)<\/a><\/span> an <span style=\"color: #0000ff;\">.<\/span> Die angegebene Spezifikation umfasst eine Reinheit von 99,5 % und eine Korngr\u00f6\u00dfe von -325 Mesh. Die Pulverspezifikationen sollten getrennt von den Anforderungen an einen abgeschiedenen Film oder ein fertiges Sputtertarget bewertet werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-b3a033f elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"b3a033f\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">4. Welchen Weg zur Bildung einer Silizidschicht sollten Sie w\u00e4hlen?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e308a4c elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"e308a4c\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">D\u00fcnnschichten aus Siliziden lassen sich auf verschiedene Weise herstellen. Die am besten geeignete Methode h\u00e4ngt vom Materialsystem, vom Substrat, von den Anforderungen an die Schicht sowie von den verf\u00fcgbaren Prozessanlagen ab.<\/p><p><strong>4.1 Sputtern aus einem Silizid-Target<\/strong><\/p><p>Das Sputtern ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), bei dem energiereiche Ionen auf ein festes Target treffen und Materialpartikel herausschlagen. Diese Partikel bewegen sich durch die Vakuumkammer und lagern sich auf einem Substrat ab, wodurch nach und nach ein D\u00fcnnfilm entsteht.<\/p><p>Wird ein Silizid-Target verwendet, liefert dessen Zusammensetzung das Ausgangsmaterial f\u00fcr die Abscheidung. Es sollte jedoch nicht automatisch davon ausgegangen werden, dass die Zusammensetzung und die Phase des abgeschiedenen Films exakt mit denen des Targets \u00fcbereinstimmen. Bevorzugtes Sputtern, Prozessbedingungen, Substrattemperatur und die Nachbehandlung k\u00f6nnen den endg\u00fcltigen Film beeinflussen.<\/p><p>Zu den wichtigen Prozessvariablen geh\u00f6ren:<\/p><ul data-spread=\"false\"><li><p>Sputterleistung und Leistungsdichte<\/p><\/li><li><p>Arbeitsdruck und Prozessgasbedingungen<\/p><\/li><li><p>Abstand zwischen Target und Substrat<\/p><\/li><li><p>Substrattemperatur<\/p><\/li><li><p>Abscheidungsrate und Schichtdicke<\/p><\/li><li><p>Zustand der Substratoberfl\u00e4che<\/p><\/li><li><p>Nachabscheidungsgl\u00fchen<\/p><\/li><\/ul><p>Die Auswahl des Targetmaterials sollte daher unter Ber\u00fccksichtigung des Abscheidungsverfahrens und der angestrebten Schichteigenschaften erfolgen.<\/p><p>Entdecken Sie <a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/duennschicht-abscheidungsmaterialien\/metall-sputtering-target\/\">die Metall-Sputtertargets<\/a>, <a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/duennschicht-abscheidungsmaterialien\/legierung-sputtering-target\/\">Legierungs-Sputtertargets<\/a> und <a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/duennschicht-abscheidungsmaterialien\/keramisches-sputtering-target\/\">Keramik-Sputtertargets<\/a> von ULPMAT, um die verschiedenen Materialkategorien zu verstehen, die in PVD-Systemen zum Einsatz kommen.<\/p><p>Eine umfassendere Erl\u00e4uterung zu Targetmaterialien und Abscheidungsprinzipien finden Sie in unserem Artikel \u00fcber den <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/tco-herstellungsverfahren-pulveraufbereitung-herstellung-von-sputtertargets-und-duennschichtverarbeitung\/\">TCO-Herstellungsprozess<\/a>,<\/span> in dem der Zusammenhang zwischen Pulveraufbereitung, Targetfertigung, D\u00fcnnschichtabscheidung und Schichtcharakterisierung behandelt wird.<\/p><p><strong>4.2 Salicide-Verfahren<\/strong><\/p><p>Salicide, kurz f\u00fcr \u201eself-aligned silicide\u201c, ist ein Verfahren, das in der Halbleiterfertigung zum Einsatz kommt.<\/p><p>Bei einem typischen Salicide-Prozess wird eine Metallschicht auf eine siliziumhaltige Struktur aufgebracht. W\u00e4hrend der anschlie\u00dfenden thermischen Behandlung reagiert das Metall mit freiliegendem Silizium und bildet ein Metallsilizid. Nicht reagiertes Metall wird dann je nach Prozessablauf aus den Bereichen entfernt, in denen keine Reaktion stattgefunden hat.<\/p><p>Durch den selbstausgerichteten Charakter der Reaktion bildet sich das Silizid selektiv auf freiliegenden Silizium- oder Polysiliziumbereichen.<\/p><p>Der Prozess ist von mehreren Faktoren abh\u00e4ngig:<\/p><ul data-spread=\"false\"><li><p>Metallschichtdicke und Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Abscheidung<\/p><\/li><li><p>Zustand der Siliziumoberfl\u00e4che<\/p><\/li><li><p>Reaktionstemperatur und -zeit<\/p><\/li><li><p>Phasenbildung und -umwandlung<\/p><\/li><li><p>Unerw\u00fcnschte laterale Reaktionen oder Br\u00fcckenbildung<\/p><\/li><li><p>Agglomeration und Grenzfl\u00e4chenstabilit\u00e4t<\/p><\/li><\/ul><p>Die geeigneten Metall- und Prozessbedingungen h\u00e4ngen von der Bauelementstruktur und der Technologiegeneration ab. Ein f\u00fcr ein Silizidsystem entwickelter Prozess sollte nicht ohne Validierung direkt auf ein anderes \u00fcbertragen werden.<\/p><p><strong>4.3 Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und Polycid-Strukturen<\/strong><\/p><p>Bei der chemischen Gasphasenabscheidung werden gasf\u00f6rmige Vorl\u00e4ufer zugef\u00fchrt, die an der Substratoberfl\u00e4che reagieren oder sich zersetzen und so einen festen Film bilden.<\/p><p>In der Halbleiterfertigung wird CVD eingesetzt, um Wolframsilizidschichten auf Polysilizium abzuscheiden und so Polycidstrukturen zu bilden. Solche Strukturen kombinieren Polysilizium mit einer Silizidschicht, um die elektrischen Eigenschaften zu modifizieren.<\/p><p>CVD und Sputtern unterscheiden sich in ihren Mechanismen der Materialzufuhr. CVD h\u00e4ngt von der Chemie der Vorl\u00e4ufer, dem Gastransport, Oberfl\u00e4chenreaktionen und den Reaktionsbedingungen ab, w\u00e4hrend Sputtern auf dem physikalischen Aussto\u00df und Transport von Material aus einem Target beruht.<\/p><p>Die Wahl zwischen den beiden Verfahren h\u00e4ngt von der Schichtzusammensetzung, den Anforderungen an die Konformit\u00e4t, der Substratgeometrie, der Prozessintegration und den verf\u00fcgbaren Anlagen ab.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-0fe2475 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"0fe2475\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">5. Wie wirken sich die Temperbedingungen auf die Bildung von Silizidschichten aus?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-f60d239 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"f60d239\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Das Gl\u00fchen wird h\u00e4ufig eingesetzt, um Reaktionen zu f\u00f6rdern, die Kristallstruktur zu ver\u00e4ndern und die elektrischen Eigenschaften von Silizidschichten zu beeinflussen.<\/p><p>Die Reaktion auf das Tempern variiert jedoch erheblich zwischen den verschiedenen Materialsystemen. Ein f\u00fcr TiSi\u2082 geeigneter thermischer Prozess ist m\u00f6glicherweise nicht f\u00fcr NiSi, CoSi\u2082 oder WSi\u2082 geeignet.<\/p><p>Zu den wichtigsten Variablen geh\u00f6ren:<\/p><p><strong>Temperatur:<\/strong> Bestimmt die thermodynamischen und kinetischen Bedingungen f\u00fcr die Phasenbildung und -umwandlung.<\/p><p><strong>Haltezeit:<\/strong> Beeinflusst, wie weit eine Festk\u00f6rperreaktion voranschreitet. Eine l\u00e4ngere Behandlung f\u00fchrt nicht immer zu einer Verbesserung des Endschichts.<\/p><p><strong>Atmosph\u00e4re:<\/strong> Je nach Material und Prozessanforderungen k\u00f6nnen Vakuum, Inertgas oder andere kontrollierte Umgebungen gew\u00e4hlt werden. Unkontrollierte Oxidation kann den Film oder die Grenzfl\u00e4che ver\u00e4ndern.<\/p><p><strong>Aufheiz- und Abk\u00fchlgeschwindigkeiten:<\/strong> K\u00f6nnen die Keimbildung, das Kornwachstum und die Entwicklung verschiedener Phasen beeinflussen.<\/p><p><strong>Substrat und Grenzfl\u00e4che:<\/strong> Die Zusammensetzung des Substrats, die Oberfl\u00e4chenvorbereitung und der Zustand der Grenzfl\u00e4che k\u00f6nnen die Reaktionskinetik und die Stabilit\u00e4t der Schicht beeinflussen.<\/p><p>Eine praxisnahe Bewertung sollte strukturelle und elektrische Messungen kombinieren. XRD kann dabei helfen, Phasen\u00fcberg\u00e4nge zu identifizieren, w\u00e4hrend Messungen des Fl\u00e4chenwiderstands zeigen k\u00f6nnen, ob sich die elektrischen Eigenschaften wie erwartet \u00e4ndern. SEM oder TEM k\u00f6nnen zus\u00e4tzliche Informationen liefern, wenn eine Ver\u00e4nderung der Morphologie oder eine Verschlechterung der Grenzfl\u00e4che vermutet wird.<\/p><p>Die beste Temperbedingung ist diejenige, bei der die erforderliche Phase und die elektrischen Eigenschaften erreicht werden, ohne dass es zu inakzeptabler Agglomeration, Diffusion oder einem Verlust der Filmkontinuit\u00e4t kommt.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-cd2e8b0 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"cd2e8b0\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">6. H\u00e4ufige Probleme bei Silizid-D\u00fcnnschichten und was zu \u00fcberpr\u00fcfen ist<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-18ae21e elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"18ae21e\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Silizidschichten k\u00f6nnen w\u00e4hrend der Abscheidung oder der thermischen Bearbeitung verschiedene Arten von Defekten aufweisen. Der erste Schritt bei der Fehlersuche besteht darin, festzustellen, ob das Problem auf das Ausgangsmaterial, den Abscheidungsprozess, das Substrat oder die Nachbehandlung zur\u00fcckzuf\u00fchren ist.<\/p><table style=\"border-collapse: collapse; width: 100%;\"><tbody><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\"><strong>Beobachtetes Problem<\/strong><\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\"><strong>M\u00f6gliche zu untersuchende Faktoren<\/strong><\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">H\u00f6herer spezifischer Widerstand als erwartet<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Phasenzusammensetzung, Schichtdicke, Verunreinigungen, Kornstruktur und Grenzfl\u00e4chenqualit\u00e4t<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Uneinheitliche Schichtzusammensetzung<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Targetzusammensetzung, bevorzugtes Sputtern, Prozessstabilit\u00e4t und Substratposition<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Schichtagglomeration<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">\u00dcberm\u00e4\u00dfige thermische Belastung, Schichtdicke, Oberfl\u00e4chenenergie und Substratzustand<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Schlechte Schichtdickenhomogenit\u00e4t<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Targetgeometrie, Abscheidungskonfiguration, Substratbewegung und Prozessparameter<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Unerwartete kristalline Phasen<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Reaktionstemperatur, Temperzeit, Ausgangszusammensetzung und Verunreinigungen<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Grenzfl\u00e4chenverschlei\u00df<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Oberfl\u00e4chenvorbereitung, W\u00e4rmebilanz, Diffusion und Grenzfl\u00e4chenreaktionen<\/td><\/tr><tr><td style=\"width: 33.6909%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Schwankungen zwischen den Chargen<\/td><td style=\"width: 66.3091%; border-style: solid; border-color: #808080; text-align: center;\">Konsistenz des Ausgangsmaterials, Zustand des Targets, Anlagengeschichte und Prozesswiederholbarkeit<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><p data-pm-slice=\"1 1 []\">Hierbei handelt es sich eher um Untersuchungsans\u00e4tze als um allgemeing\u00fcltige Erkl\u00e4rungen. So deutet beispielsweise ein hoher spezifischer Widerstand nicht zwangsl\u00e4ufig auf ein Qualit\u00e4tsproblem des Targets hin. Er kann auf die Phase, die Dicke, die Mikrostruktur oder die Grenzfl\u00e4che der abgeschiedenen Schicht zur\u00fcckzuf\u00fchren sein.<\/p><p>Ebenso deutet ein Zusammensetzungsunterschied zwischen einem Target und einer Schicht nicht automatisch auf ein defektes Target hin. Auch die Abscheidungsbedingungen und das materialabh\u00e4ngige Sputterverhalten sollten untersucht werden.<\/p><p>Eine sinnvolle Vorgehensweise bei der Fehlersuche ist:<\/p><ol start=\"1\" data-spread=\"false\"><li><p>\u00dcberpr\u00fcfen Sie die chemische Zusammensetzung und die Materialidentit\u00e4t.<\/p><\/li><li><p>\u00dcberpr\u00fcfen Sie den Zustand des Targets oder des Ausgangsmaterials.<\/p><\/li><li><p>\u00dcberpr\u00fcfen Sie die Abscheidungsprotokolle und die Prozessstabilit\u00e4t.<\/p><\/li><li><p>Messen Sie die Schichtdicke und den Schichtwiderstand.<\/p><\/li><li><p>Identifizieren Sie gegebenenfalls die kristallinen Phasen mittels R\u00f6ntgendiffraktometrie (XRD).<\/p><\/li><li><p>Untersuchen Sie die Oberfl\u00e4chen- und Grenzfl\u00e4chenmorphologie, falls die ersten Ergebnisse auf strukturelle Probleme hindeuten.<\/p><\/li><li><p>Vergleichen Sie die Ergebnisse \u00fcber verschiedene Chargen und Prozessl\u00e4ufe hinweg.<\/p><\/li><\/ol><p>Weitere Informationen zur Auswahl von Sputtertargets und zu Qualit\u00e4tsaspekten finden Sie in <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/duennschicht-abscheidungsmaterialien\/\">den Produktkategorien f\u00fcr Sputtertargets<\/a><\/span> von ULPMAT <span style=\"color: #0000ff;\">.<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-ef7d34d elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"ef7d34d\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">7. Auswahl von Silizid-Sputter-Targets<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-d81b4a3 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"d81b4a3\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Wird das Sputtern als Abscheidungsverfahren gew\u00e4hlt, sollte das Target entsprechend den Anforderungen an die gew\u00fcnschte Schicht und das Abscheidesystem bewertet werden.<\/p><p><strong>Chemische Zusammensetzung<\/strong><\/p><p>\u00dcberpr\u00fcfen Sie die nominelle Formel und das Elementverh\u00e4ltnis des Targets. Bei Verbundwerkstoffen ist das st\u00f6chiometrische Verh\u00e4ltnis besonders wichtig, da die Zusammensetzung die Phasenbildung und die Schichteigenschaften beeinflussen kann.<\/p><p><strong>Reinheit und Verunreinigungen<\/strong><\/p><p>Die erforderliche Reinheit h\u00e4ngt von der Anwendung ab. Spurenverunreinigungen k\u00f6nnen das elektrische Verhalten, die Phasenbildung oder die Zuverl\u00e4ssigkeit der Schicht beeinflussen, insbesondere bei empfindlichen elektronischen Anwendungen.<\/p><p>Fragen Sie nach verf\u00fcgbaren Informationen zur Zusammensetzung und nach entsprechenden Unterlagen, anstatt sich allein auf einen Nennreinheitswert zu verlassen.<\/p><p><strong>Phasenzusammensetzung<\/strong><\/p><p>Wenn die kristalline Phase von Bedeutung ist, kl\u00e4ren Sie, ob die Phasenzusammensetzung des Targets spezifiziert oder charakterisiert ist. Ber\u00fccksichtigen Sie au\u00dferdem, ob bei der aufgebrachten Schicht w\u00e4hrend der nachfolgenden Verarbeitung Phasen\u00fcberg\u00e4nge zu erwarten sind.<\/p><p><strong>Dichte und Mikrostruktur<\/strong><\/p><p>Die Dichte, Porosit\u00e4t und mikrostrukturelle Gleichm\u00e4\u00dfigkeit des Targets k\u00f6nnen die mechanische Integrit\u00e4t und das Sputterverhalten beeinflussen. Die entsprechenden Anforderungen h\u00e4ngen vom Material, den Targetabmessungen und der Anlagenkonfiguration ab.<\/p><p><strong>Geometrie und Abmessungen<\/strong><\/p><p>Das Target muss mit dem Sputtersystem kompatibel sein. \u00dcberpr\u00fcfen Sie Abmessungen, Form, Dicke, Befestigungsanforderungen und ob eine Tr\u00e4gerplatte erforderlich ist.<\/p><p><strong><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/service\/ziel-bindung\/\">Verklebung<\/a> <\/span>und Dokumentation<\/strong><\/p><p>Bei geklebten Targets ist die Art der <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/service\/ziel-bindung\/\">Konfiguration der Verklebung<\/a> <\/span>sowie die entsprechenden Pr\u00fcf- oder Dokumentationsanforderungen. Zu den verf\u00fcgbaren Dokumenten kann ein <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/zertifikat-der-analyse\/\">Analysezertifikat (COA),<\/a> <a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/dokumente\/technisches-datenblatt\/\">ein technisches Datenblatt (TDS)<\/a><\/span>sowie weitere Qualit\u00e4tsunterlagen umfassen, je nach Produkt und Auftrag.<\/p><p>Bevor Sie eine Spezifikation endg\u00fcltig festlegen, teilen Sie dem Lieferanten den vorgesehenen Abscheidungsprozess, die Zielabmessungen, das Substrat und die Anforderungen an die Schicht mit.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-4d0b31e elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"4d0b31e\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"500\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-sputtering-target1.jpg\" class=\"attachment-large size-large wp-image-60264\" alt=\"Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten \u2013 Silizid-Sputtertarget von ULPMAT\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-sputtering-target1.jpg 750w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-sputtering-target1-300x200.jpg 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/silicide-thin-film-deposition-ulpmat-sputtering-target1-600x400.jpg 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-4943757 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"4943757\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">8. Vom Silizidpulver zum Sputtertarget<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e1d55d5 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"e1d55d5\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Die Eigenschaften des Pulvers k\u00f6nnen die Herstellung eines Sputtertargets beeinflussen, doch die Pulverspezifikationen allein bestimmen nicht die Qualit\u00e4t eines fertigen Targets.<\/p><p>Ein typischer pulvermetallurgischer Prozess kann mehrere Schritte umfassen:<\/p><ol start=\"1\" data-spread=\"false\"><li><p><strong>Auswahl des Rohmaterials:<\/strong> \u00dcberpr\u00fcfung der chemischen Zusammensetzung, der Reinheit und der erforderlichen Silizidphase.<\/p><\/li><li><p><strong>Pulveraufbereitung:<\/strong> Bewertung von Partikelgr\u00f6\u00dfe, Morphologie, Sauerstoffgehalt und potenzieller Verunreinigung.<\/p><\/li><li><p><strong>Mischen und Formen:<\/strong> Das Pulver wird vorbereitet und je nach Material und Herstellungsverfahren zu einem geeigneten Pressling geformt.<\/p><\/li><li><p><strong>Verdichtung:<\/strong> Anwendung eines geeigneten Verdichtungs- oder Sinterverfahrens.<\/p><\/li><li><p><strong>Bearbeitung und Endbearbeitung:<\/strong> Erzeugen Sie die erforderliche Zielgeometrie und Oberfl\u00e4chenbeschaffenheit.<\/p><\/li><li><p><strong>Pr\u00fcfung:<\/strong> Bewerten Sie relevante Eigenschaften wie Abmessungen, Dichte, Zusammensetzung und strukturelle Gleichm\u00e4\u00dfigkeit.<\/p><\/li><\/ol><p>Der tats\u00e4chliche Prozess h\u00e4ngt vom Schmelzverhalten, der Oxidationsempfindlichkeit, der Phasenstabilit\u00e4t und den Verdichtungseigenschaften des Materials ab. Nicht jedes Silizid l\u00e4sst sich mit denselben Fertigungsparametern verarbeiten.<\/p><p>Aus diesem Grund sollten K\u00e4ufer zwischen der Spezifikation eines Silizidpulvers und der Spezifikation eines fertigen Sputtertargets unterscheiden. Ein Pulver mit angegebener Reinheit und Korngr\u00f6\u00dfe garantiert nicht automatisch ein Target mit einer bestimmten Dichte, Verbindungsqualit\u00e4t oder Sputterleistung.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e359795 elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"e359795\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"500\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/Silicide-Thin-Film-Deposition-\u2013-Silicide-Granules-by-ULPMAT1.jpg\" class=\"attachment-large size-large wp-image-60266\" alt=\"Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten \u2013 Silizid-Granulat von ULPMAT\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/Silicide-Thin-Film-Deposition-\u2013-Silicide-Granules-by-ULPMAT1.jpg 750w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/Silicide-Thin-Film-Deposition-\u2013-Silicide-Granules-by-ULPMAT1-300x200.jpg 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/11\/Silicide-Thin-Film-Deposition-\u2013-Silicide-Granules-by-ULPMAT1-600x400.jpg 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-473a477 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"473a477\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">9. Von ULPMAT erh\u00e4ltliche Silizid-Werkstoffe<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-436557d elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"436557d\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">ULPMAT liefert anorganische Pulver und Materialien f\u00fcr die D\u00fcnnschichtabscheidung f\u00fcr die Forschung und die industrielle Materialentwicklung. Das Produktsortiment umfasst Silizidpulver sowie Sputtertargets aus Metallen, Legierungen und Keramik.<\/p><p>Die folgenden Seiten zu Silizidpulvern enthalten Beispiele f\u00fcr gelistete Materialien und Spezifikationen:<\/p><ul data-spread=\"false\"><li><p><a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/titansilicid-2\/\"><span style=\"color: #0000ff;\">Titansilizidpulver (TiSi\u2082)<\/span><\/a> \u2013 gelistet mit einer Reinheit von 99,5 % und einer Korngr\u00f6\u00dfe von -325 Mesh.<\/p><\/li><li><p><a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/wolframsilicid-2\/\">Wolframsilizidpulver (WSi\u2082)<\/a> \u2013 die aufgef\u00fchrten Spezifikationen umfassen 99 % bei -200 Mesh und 99,5 % bei -325 Mesh.<\/p><\/li><li><p><a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/niob-silicid-2\/\">Niobsilizid-Pulver (NbSi\u2082)<\/a> \u2013 gelistet mit einer Reinheit von 99 % und 99,5 %, jeweils bei einer Korngr\u00f6\u00dfe von -325 Mesh.<\/p><\/li><li><p><a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/nickel-silicid\/\">Nickelsilizidpulver (NiSi\u2082)<\/a> \u2013 die angegebenen Spezifikationen umfassen 99 % bei -80 Mesh und 99,5 % bei -325 Mesh.<\/p><\/li><li><p><a href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/magnesium-silicid-2\/\">Magnesiumsilizid-Pulver (Mg\u2082Si)<\/a> \u2013 aufgef\u00fchrt mit einer Reinheit von 99 % und einer Korngr\u00f6\u00dfe von -200 Mesh.<\/p><\/li><\/ul><p>Es handelt sich hierbei um Pulverprodukte; dies bedeutet nicht, dass jedes Material als Sputtertarget erh\u00e4ltlich ist. Die Verf\u00fcgbarkeit der Targets, ihre Abmessungen, Zusammensetzung und Verarbeitungsanforderungen sollten separat abgekl\u00e4rt werden.<\/p><p>Weitere Informationen zum Materialangebot und zur Gesch\u00e4ftst\u00e4tigkeit von ULPMAT finden Sie unter <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/ueber-ulpmat\/\">\u201e\u00dcber ULPMAT<\/a>\u201c.<\/span> Bei Fragen zu Materialspezifikationen, Produktverf\u00fcgbarkeit oder kundenspezifischen Anpassungen k\u00f6nnen Sie auch die <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/faqs\/\">ULPMAT-FAQs<\/a><\/span> einsehen <span style=\"color: #0000ff;\">oder <a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/kontakt-us\/\">sich an das ULPMAT-Team wenden<\/a><\/span>.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-28d42ad elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"28d42ad\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-a78bcd0 elementor-widget elementor-widget-eael-adv-accordion\" data-id=\"a78bcd0\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"eael-adv-accordion.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t            <div class=\"eael-adv-accordion\" id=\"eael-adv-accordion-a78bcd0\" data-scroll-on-click=\"no\" data-scroll-speed=\"300\" data-accordion-id=\"a78bcd0\" data-accordion-type=\"accordion\" data-toogle-speed=\"300\">\n            <div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"1-was-ist-der-unterschied-zwischen-silizid-sputtern-und-der-salizid-verarbeitung\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"1\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1751\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">1. Was ist der Unterschied zwischen Silizid-Sputtern und der Salizid-Verarbeitung?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1751\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"1\" aria-labelledby=\"1-was-ist-der-unterschied-zwischen-silizid-sputtern-und-der-salizid-verarbeitung\"><p>Beim Silizid-Sputtern wird Material von einem festen Target mittels eines physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahrens auf ein Substrat aufgebracht. Beim Salizid entsteht ein Silizid durch eine Reaktion zwischen dem abgeschiedenen Metall und dem freiliegenden Silizium w\u00e4hrend der thermischen Bearbeitung. Die beiden Verfahren basieren auf unterschiedlichen Mechanismen der Materialbildung.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"2-warum-ist-die-umwandlung-von-c49-zu-c54-in-tisi-wichtig\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"2\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1752\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">2. Warum ist die Umwandlung von C49 zu C54 in TiSi\u2082 wichtig?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1752\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"2\" aria-labelledby=\"2-warum-ist-die-umwandlung-von-c49-zu-c54-in-tisi-wichtig\"><p>C49-TiSi\u2082 ist eine metastabile Phase, w\u00e4hrend C54-TiSi\u2082 die stabile Phase ist, die im Allgemeinen mit einem geringeren spezifischen Widerstand einhergeht. Die Umwandlung kann daher von Bedeutung sein, wenn Titansilizid mit geringem spezifischen Widerstand ben\u00f6tigt wird. Die Bedingungen hierf\u00fcr h\u00e4ngen von der Schichtdicke, der Substratorientierung, der Mikrostruktur und der thermischen Vorgeschichte ab.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"3-ist-nisi-dasselbe-wie-nisi\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"3\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1753\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">3. Ist NiSi dasselbe wie NiSi\u2082?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1753\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"3\" aria-labelledby=\"3-ist-nisi-dasselbe-wie-nisi\"><p>Nein. NiSi ist Nickelmonosilizid, w\u00e4hrend NiSi\u2082 Nickeldisilizid ist. Es handelt sich um unterschiedliche Verbindungen mit unterschiedlichen Phaseneigenschaften, die bei der Materialauswahl oder der Auswertung von D\u00fcnnschicht-Ergebnissen getrennt angegeben werden sollten.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"4-lsst-sich-mit-einem-silizid-sputter-target-eine-schicht-mit-genau-derselben-zusammensetzung-erzeugen\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"4\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1754\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">4. L\u00e4sst sich mit einem Silizid-Sputter-Target eine Schicht mit genau derselben Zusammensetzung erzeugen?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1754\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"4\" aria-labelledby=\"4-lsst-sich-mit-einem-silizid-sputter-target-eine-schicht-mit-genau-derselben-zusammensetzung-erzeugen\"><p>Nicht unbedingt. Die abgeschiedene Schicht kann durch selektives Sputtern, Prozessbedingungen, Substrattemperatur und Reaktionen nach der Abscheidung beeinflusst werden. Die Zusammensetzung der Schicht sollte \u00fcberpr\u00fcft werden, wenn sie f\u00fcr die Anwendung entscheidend ist.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"5-welche-charakterisierungsmethoden-eignen-sich-fr-silizid-dnnschichten\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"5\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1755\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">5. Welche Charakterisierungsmethoden eignen sich f\u00fcr Silizid-D\u00fcnnschichten?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1755\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"5\" aria-labelledby=\"5-welche-charakterisierungsmethoden-eignen-sich-fr-silizid-dnnschichten\"><p>Die R\u00f6ntgendiffraktometrie (XRD) eignet sich zur Identifizierung kristalliner Phasen. Mit Vier-Punkt-Sonden-Messungen l\u00e4sst sich der Fl\u00e4chenwiderstand bestimmen, w\u00e4hrend Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) bei der Untersuchung der Morphologie und der Grenzfl\u00e4chen helfen k\u00f6nnen. Die Energiedispersive Spektroskopie (EDS) liefert Informationen \u00fcber die Elementverteilung. Die geeignete Kombination h\u00e4ngt von der Schicht und der zu untersuchenden Eigenschaft ab.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"6-kann-silizidpulver-direkt-als-sputtertarget-verwendet-werden\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"6\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1756\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">6. Kann Silizidpulver direkt als Sputtertarget verwendet werden?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1756\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"6\" aria-labelledby=\"6-kann-silizidpulver-direkt-als-sputtertarget-verwendet-werden\"><p>In der Regel nicht ohne weitere Verarbeitung. Das Pulver muss zu einem Werkst\u00fcck mit geeigneten Abmessungen, einer geeigneten Dichte, mechanischer Festigkeit und anderen anwendungsspezifischen Eigenschaften verdichtet werden. Die Reinheit und die Partikelgr\u00f6\u00dfe des Pulvers sind nur ein Teil der Gesamtspezifikation des Werkst\u00fccks.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><\/div>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-2fab1d9 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"2fab1d9\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Fazit<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-ec56b79 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"ec56b79\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-pm-slice=\"1 1 []\">Die Leistungsf\u00e4higkeit von Silizid-D\u00fcnnschichten h\u00e4ngt vom Zusammenspiel zwischen Materialzusammensetzung, Abscheidungsverfahren, Phasenbildung und thermischer Behandlung ab. Sputtern, Salicide und CVD bieten unterschiedliche Ans\u00e4tze zur Herstellung silizidhaltiger Schichten, wobei jedes Verfahren auf das jeweilige Materialsystem abgestimmte Prozessbedingungen erfordert.<\/p><p>Bei TiSi\u2082 verdeutlicht der \u00dcbergang von C49 zu C54, warum die Phasensteuerung ebenso wichtig sein kann wie die nominelle chemische Zusammensetzung. Generell sollte eine zuverl\u00e4ssige Bewertung Materialspezifikationen mit einer Charakterisierung auf Schichtenebene kombinieren, einschlie\u00dflich Phasenidentifizierung, elektrischer Messungen und mikrostruktureller Analyse.<\/p><p>Bei der Auswahl von Silizidmaterialien oder Sputtertargets sollten das vorgesehene Abscheidungsverfahren, die Zusammensetzung, die Phasenanforderungen, die Substratvertr\u00e4glichkeit und die verf\u00fcgbare Qualit\u00e4tsdokumentation ber\u00fccksichtigt werden. Diese Faktoren bieten eine praktischere Grundlage f\u00fcr die Beurteilung der Materialeignung als Reinheit oder die nominelle Formel allein.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-ae33779 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"ae33779\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Literaturverzeichnis<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-1dac4a3 elementor-icon-list--layout-traditional elementor-list-item-link-full_width elementor-widget elementor-widget-icon-list\" data-id=\"1dac4a3\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"icon-list.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t<ul class=\"elementor-icon-list-items\">\n\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">1. Jeon, H., Yoon, G. und Nemanich, R. J. \u201eAbh\u00e4ngigkeit der Phasen\u00fcbergangstemperatur von C49\u2013C54 TiSi\u2082 von der Schichtdicke und der Orientierung des Si-Substrats.\u201c Thin Solid Films, 299(1\u20132), 178\u2013182 (1997).<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">2. Harper, J. M. E., Cabral, C. Jr. und Lavoie, C. \u201eMechanismen zur verst\u00e4rkten Bildung der C54-Phase bei Titansilizid-Kontakten in ULSI-Schaltungen.\u201c Annual Review of Materials Research, 30, 523\u2013543 (2000).<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">3. Stanford University, EE311, Prof. Saraswat. \u201eVerbindungen: Silizide.\u201c Vorlesungsskript.<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">4. \u201eKeiinbay, S., Nussupov, K. K., Beisenkhanov, N. B. und Volinsky, A. A. \u201aBildung der TiSi\u2082-Phase in magnetron-gesputterten Ti-Schichten auf Silizium w\u00e4hrend des schnellen thermischen Temperns\u2018.\u201c Nanomaterials, 16(19), 1258 (2026).<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">5. IEEE Technology Navigator. \u201eSilizide.\u201c<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t<\/ul>\n\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-3e4c230 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"3e4c230\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Suchen Sie nach Silizid-Materialien f\u00fcr Ihre Anwendung?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-6fcdf1b elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"6fcdf1b\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Die richtige Materialauswahl h\u00e4ngt von der Zusammensetzung, der Reinheit, der Partikelgr\u00f6\u00dfe und den Verarbeitungsanforderungen ab. Entdecken Sie unsere Silizid-Materialien oder wenden Sie sich an unser Team, um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-1fa1da8 e-grid e-con-full e-con e-child\" data-id=\"1fa1da8\" data-element_type=\"container\" data-e-type=\"container\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-166e3af elementor-widget elementor-widget-eael-creative-button\" data-id=\"166e3af\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"eael-creative-button.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t        <div class=\"eael-creative-button-wrapper\">\n\n            <a class=\"eael-creative-button eael-creative-button--default eael-cb-icon-position-\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/silicide-powders-selection\/\" data-text=\"Los!\">\n            \t    \n                <div class=\"creative-button-inner\">\n\n                    \n                    <span class=\"cretive-button-text\">Entdecken Sie Silizid-Werkstoffe<\/span>\n\n                                    <\/div>\n\t                        <\/a>\n        <\/div>\n        \t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-243cfc5 elementor-widget elementor-widget-eael-creative-button\" data-id=\"243cfc5\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"eael-creative-button.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t        <div class=\"eael-creative-button-wrapper\">\n\n            <a class=\"eael-creative-button eael-creative-button--default eael-cb-icon-position-\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/contact-us\/\" data-text=\"Los!\">\n            \t    \n                <div class=\"creative-button-inner\">\n\n                    \n                    <span class=\"cretive-button-text\">Besprechen Sie Ihre Anforderungen<\/span>\n\n                                    <\/div>\n\t                        <\/a>\n        <\/div>\n        \t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Die Abscheidung von Silizid-D\u00fcnnschichten umfasst verschiedene Verfahren, darunter Sputtern, Salicide und chemische Gasphasenabscheidung (CVD). Erfahren Sie, wie TiSi\u2082-Phasenumwandlungen, Temperbedingungen, Materialzusammensetzung und Grenzfl\u00e4chenqualit\u00e4t die Eigenschaften der D\u00fcnnschichten beeinflussen. Dieser Leitfaden behandelt au\u00dferdem h\u00e4ufige Herausforderungen bei der Abscheidung sowie praktische \u00dcberlegungen zur Auswahl von Silizid-Materialien und Sputtertargets.<\/p>\n","protected":false},"author":4,"featured_media":60265,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[1219],"tags":[],"class_list":["post-60263","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blogs-de"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/60263","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=60263"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/60263\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":60267,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/60263\/revisions\/60267"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/60265"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=60263"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=60263"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=60263"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}