{"id":58564,"date":"2026-09-03T17:01:38","date_gmt":"2026-09-03T09:01:38","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/qualitaet-von-igzo-sputtertargets-wie-reinheit-zusammensetzung-und-dichte-die-leistung-von-duennschichten-beeinflussen\/"},"modified":"2026-09-03T17:50:13","modified_gmt":"2026-09-03T09:50:13","slug":"qualitaet-von-igzo-sputtertargets-wie-reinheit-zusammensetzung-und-dichte-die-leistung-von-duennschichten-beeinflussen","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/qualitaet-von-igzo-sputtertargets-wie-reinheit-zusammensetzung-und-dichte-die-leistung-von-duennschichten-beeinflussen\/","title":{"rendered":"Qualit\u00e4t von IGZO-Sputtertargets: Wie Reinheit, Zusammensetzung und Dichte die Leistung von D\u00fcnnschichten beeinflussen"},"content":{"rendered":"\t\t<div data-elementor-type=\"wp-post\" data-elementor-id=\"58564\" class=\"elementor elementor-58564 elementor-58549\" data-elementor-post-type=\"post\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-dd43b2e e-flex e-con-boxed e-con e-parent\" data-id=\"dd43b2e\" data-element_type=\"container\" data-e-type=\"container\">\n\t\t\t\t\t<div class=\"e-con-inner\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e9efdfc elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"e9efdfc\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/indium-gallium-zink-oxid-igzo\/\">IGZO-Sputter-Targets <\/a><\/span>sind zu einem wichtigen Oxid- <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/anwendung\/halbleiter-materialien\/\">Halbleitermaterial<\/a> <\/span>Material f\u00fcr D\u00fcnnschichttransistoren (TFT) und fortschrittliche elektronische Anwendungen, da es sich durch hohe Transparenz, geeignete Ladungstr\u00e4gerbeweglichkeit und Eignung f\u00fcr die Abscheidung gro\u00dffl\u00e4chiger D\u00fcnnschichten auszeichnet.<\/p><p>Bei einem IGZO-Sputterprozess ist das Targetmaterial die Quelle der abgeschiedenen Schicht. Daher wirkt sich die Qualit\u00e4t des Sputtertargets direkt auf die Zusammensetzung, die Defekteigenschaften und die Stabilit\u00e4t der resultierenden IGZO-Schicht aus. Im Gegensatz zu einkomponentigen Oxid-Targets enthalten IGZO-Sputtertargets mehrere Oxidkomponenten, darunter <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/indium-oxid\/\">In\u2082O\u2083<\/a>, <a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/gallium-oxid\/\">Ga\u2082O\u2083<\/a> und <a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/zinkoxid\/\">ZnO<\/a>.<\/span> Geringf\u00fcgige Abweichungen in der Zusammensetzung, im Verunreinigungsgrad oder in der keramischen Struktur k\u00f6nnen die elektrischen Eigenschaften der D\u00fcnnschicht und die Konsistenz der Abscheidung beeinflussen. Aus diesem Grund erfordern hochwertige Indium-Gallium-Zink-Oxid-Sputtertargets nicht nur eine hohe Reinheit, sondern auch eine kontrollierte Zusammensetzung, eine gleichm\u00e4\u00dfige Struktur und stabile physikalische Eigenschaften.<\/p><p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/ueber-ulpmat\/\">ULPMAT<\/a> <\/span>liefert Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO)-Sputtertargets mit kontrollierter chemischer Zusammensetzung, kontrollierten Verunreinigungsgehalten, kontrollierter Dichte und kundenspezifischen Spezifikationen f\u00fcr Anwendungen im Bereich der Oxidhalbleiter.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-5e3b875 elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"5e3b875\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"667\" height=\"500\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/IGZO-Sputtering-Target.png\" class=\"attachment-large size-large wp-image-58565\" alt=\"IGZO-Sputter-Target f\u00fcr die Abscheidung von D\u00fcnnschichten aus Oxidhalbleitern\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/IGZO-Sputtering-Target.png 667w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/IGZO-Sputtering-Target-300x225.png 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/IGZO-Sputtering-Target-600x450.png 600w\" sizes=\"(max-width: 667px) 100vw, 667px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-4ef783d elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"4ef783d\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Was ist ein IGZO-Sputtertarget?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e3bf379 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"e3bf379\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Ein IGZO-Sputtertarget ist ein keramisches Oxid-Halbleitermaterial, das in PVD-Anlagen (Physical Vapor Deposition) zur Abscheidung von IGZO-D\u00fcnnschichten verwendet wird.<\/p><p>Die Hauptbestandteile von IGZO sind:<\/p><p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/indium-oxid\/\">Indiumoxid (In\u2082O\u2083)<\/a><\/span><br \/><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/gallium-oxid\/\">Galliumoxid (Ga\u2082O\u2083)<\/a><\/span><br \/><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"http:\/\/IGZO sputtering target is a ceramic oxide semiconductor material used in PVD (Physical Vapor Deposition) systems to deposit IGZO thin films. The main components of IGZO are: Indium oxide (In\u2082O\u2083) Gallium oxide (Ga\u2082O\u2083) Zinc oxide (ZnO) A commonly used composition is: In\u2082O\u2083 : Ga\u2082O\u2083 : ZnO = 1 : 1 : 1 mol% During magnetron sputtering, plasma ions bombard the target surface and transfer atoms from the ceramic target to the substrate. The deposited atoms form an IGZO semiconductor layer for applications such as TFT backplanes, display electronics, oxide semiconductor devices and transparent electronic components.Because the deposited film inherits the elemental composition of the target, controlling IGZO target quality is an important step in achieving consistent thin-film performance.\" data-wplink-url-error=\"true\">Zinkoxid (ZnO)<\/a><\/span><\/p><p>Eine h\u00e4ufig verwendete Zusammensetzung lautet:<\/p><p>In\u2082O\u2083 : Ga\u2082O\u2083 : ZnO = 1 : 1 : 1 Mol-%<\/p><p>Beim Magnetron-Sputtern beschie\u00dfen Plasma-Ionen die Targetoberfl\u00e4che und \u00fcbertragen Atome vom Keramik-Target auf das Substrat. Die abgeschiedenen Atome bilden eine IGZO-Halbleiterschicht f\u00fcr Anwendungen wie <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/erstklassige-materialien\/transparente-leitfahige-oxide-tcos\/\">TFT<\/a> <\/span>-Backplanes, Displayelektronik, Oxidhalbleiterbauelemente und transparente elektronische Bauteile. Da der abgeschiedene Film die Elementzusammensetzung des Targets \u00fcbernimmt, ist die Kontrolle der Qualit\u00e4t des IGZO-Targets ein wichtiger Schritt zur Erzielung einer gleichbleibenden D\u00fcnnschichtleistung.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e98693b elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"e98693b\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Warum beeinflusst die Zusammensetzung der IGZO-Zielschicht die Leistung von D\u00fcnnschichten?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-d3145ca elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"d3145ca\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Die Steuerung der Zusammensetzung ist einer der wichtigsten Faktoren bei IGZO-Sputtertargets. IGZO ist nicht einfach nur eine Mischung aus drei Oxiden. Die Wechselwirkung zwischen Indium, Gallium und Zink bestimmt die elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Halbleiterschicht.<\/p><ul><li>Indiumoxid (In\u2082O\u2083) tr\u00e4gt zum Elektronentransport und zur Ladungstr\u00e4germobilit\u00e4t bei.<\/li><li>Galliumoxid (Ga\u2082O\u2083) hilft bei der Regulierung von sauerstoffbedingten Defekten und verbessert die Stabilit\u00e4t des Halbleiters.<\/li><li>Zinkoxid (ZnO) beeinflusst die strukturellen Eigenschaften und das Ladungstr\u00e4gerverhalten des Materials.<\/li><\/ul><p>Beim Sputtern werden Atome aus dem Target direkt in die D\u00fcnnschicht \u00fcbertragen. Daher k\u00f6nnen \u00c4nderungen des In\/Ga\/Zn-Verh\u00e4ltnisses die chemische Zusammensetzung und die elektrischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht ver\u00e4ndern. Untersuchungen an IGZO-Targets haben gezeigt, dass unterschiedliche Targetzusammensetzungen und Phasenstrukturen die Abscheidungsrate, die optischen Eigenschaften, die Morphologie und die elektrische Leistung von IGZO-Schichten beeinflussen k\u00f6nnen. Aus diesem Grund ist eine gleichm\u00e4\u00dfige Zusammensetzung \u00fcber das gesamte Keramik-Target hinweg f\u00fcr stabile Sputterergebnisse unerl\u00e4sslich.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-1e046aa elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"1e046aa\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Wie wirken sich Reinheits- und Verunreinigungskontrolle auf IGZO-D\u00fcnnschichten aus?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-608f978 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"608f978\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Bei Anwendungen mit Oxidhalbleitern ist die Reinheit des Targets ein wichtiger Faktor f\u00fcr die Kontrolle der Verunreinigung w\u00e4hrend der D\u00fcnnschichtabscheidung. Beim Sputtern werden Atome aus dem Targetmaterial direkt in die abgeschiedene IGZO-Schicht \u00fcbertragen. Daher k\u00f6nnen Spurenverunreinigungen im Target in den Film eingebaut werden und Defektzust\u00e4nde, Ladungstr\u00e4gerkonzentration sowie die elektrische Stabilit\u00e4t beeinflussen. In IGZO-Halbleiterschichten stehen die elektrischen Eigenschaften in engem Zusammenhang mit der Defektchemie, insbesondere mit sauerstoffbezogenen Defekten. Unkontrollierte Verunreinigungen k\u00f6nnen die Konsistenz des Films beeintr\u00e4chtigen und zu Schwankungen f\u00fchren bei:<\/p><ul><li>Defektkonzentration<\/li><li>Elektrische Eigenschaften<\/li><li>Prozesswiederholbarkeit<\/li><li>Partikelbildung w\u00e4hrend der Abscheidung<\/li><\/ul><p>Aus diesem Grund ist die Kontrolle von Spurenverunreinigungen f\u00fcr die Aufrechterhaltung einer stabilen Leistung von IGZO-D\u00fcnnschichten unerl\u00e4sslich.<span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/exportpages.cn\/my-account\/companies\/154087\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">ULPMAT<\/a> <\/span>IGZO-Sputtertargets werden mit einer Reinheit von 99,99 % geliefert. Der Gehalt an Spurenverunreinigungen wird entsprechend der <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/fe\/\">Anforderungen an die Materialqualit\u00e4t<\/a><\/span> . Basierend auf den Qualit\u00e4tspr\u00fcfungsdaten von ULPMAT wies eine repr\u00e4sentative Probe eines IGZO-Sputtertargets einen Gesamtverunreinigungsgehalt von 37 ppm auf, w\u00e4hrend die spezifizierte Anforderung f\u00fcr Verunreinigungen bei \u2264100 ppm liegt.<\/p><p>Die tats\u00e4chlichen Verunreinigungswerte k\u00f6nnen zwischen den einzelnen Produktionschargen geringf\u00fcgig variieren. Detaillierte Angaben zur chemischen Zusammensetzung und zu den Pr\u00fcfdaten k\u00f6nnen auf Kundenwunsch bereitgestellt werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-673d2de elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"673d2de\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Warum sind Dichte und Mikrostruktur bei IGZO-Sputter-Targets von Bedeutung?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-8f1257a elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"8f1257a\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Neben der chemischen Zusammensetzung beeinflusst auch die physikalische Struktur keramischer IGZO-Sputtertargets die Sputterstabilit\u00e4t und die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Abscheidung. W\u00e4hrend des Sputtervorgangs werden die Targetoberfl\u00e4che kontinuierlich von Plasmaionen beschossen. Die Dichte, Porosit\u00e4t und Mikrostruktur des keramischen Targets beeinflussen, wie gleichm\u00e4\u00dfig das Target w\u00e4hrend der Abscheidung abgetragen wird.<\/p><p>Ein Target mit kontrollierter Dichte und gleichm\u00e4\u00dfiger Mikrostruktur kann dazu beitragen, abnormale Erosion zu reduzieren, die Partikelbildung zu minimieren und w\u00e4hrend langer Abscheidungsprozesse stabile Sputterbedingungen aufrechtzuerhalten. F\u00fcr <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/product-category\/duennschicht-abscheidungsmaterialien\/keramisches-sputtering-target\/\">keramische<\/a> <\/span>Oxid-Target wird die Dichte in der Regel zusammen mit der Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Zusammensetzung und der strukturellen Integrit\u00e4t bewertet. \u00dcberm\u00e4\u00dfige Porosit\u00e4t oder innere Defekte k\u00f6nnen zu einem instabilen Sputterverhalten f\u00fchren und die Wiederholbarkeit der Abscheidung beeintr\u00e4chtigen.<\/p><p>Daher sind die Targetdichte und die Mikrostruktur wichtige <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/fe\/\">Qualit\u00e4tsfaktoren<\/a><\/span> bei der Bewertung von IGZO-Sputtertargets, obwohl die endg\u00fcltige Leistung des D\u00fcnnfilms auch von Sputterparametern wie Leistung, Gasatmosph\u00e4re, Sauerstoffpartialdruck und Substratbedingungen abh\u00e4ngt.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-d74a500 elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"d74a500\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img decoding=\"async\" width=\"667\" height=\"500\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/Quality-inspection-of-IGZO-sputtering-target.jpg\" class=\"attachment-large size-large wp-image-58566\" alt=\"Qualit\u00e4tspr\u00fcfung der Zusammensetzung und Reinheit von IGZO-Sputtertargets\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/Quality-inspection-of-IGZO-sputtering-target.jpg 667w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/Quality-inspection-of-IGZO-sputtering-target-300x225.jpg 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/09\/Quality-inspection-of-IGZO-sputtering-target-600x450.jpg 600w\" sizes=\"(max-width: 667px) 100vw, 667px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-39c13f2 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"39c13f2\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Wie kontrolliert ULPMAT die Qualit\u00e4t von IGZO-Sputtertargets?<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-37a67d0 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"37a67d0\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Bei IGZO-Sputtertargets erfordert eine gleichbleibende D\u00fcnnschichtleistung die Kontrolle mehrerer Materialfaktoren und nicht nur die Ber\u00fccksichtigung der Reinheit. ULPMAT bewertet IGZO-Sputtertargets anhand umfassender Qualit\u00e4tskontrollverfahren, darunter:<\/p><table style=\"border-collapse: collapse; width: 100%; height: 144px;\"><tbody><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 43.133%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\"><strong>Qualit\u00e4tsbewertung<\/strong><\/td><td style=\"width: 56.867%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\"><strong>Zweck<\/strong><\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 43.133%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Analyse der chemischen Zusammensetzung<\/td><td style=\"width: 56.867%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">\u00dcberpr\u00fcfung der Konsistenz des In\/Ga\/Zn-Verh\u00e4ltnisses<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 43.133%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Reinheitspr\u00fcfung<\/td><td style=\"width: 56.867%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Best\u00e4tigung der Materialqualit\u00e4t<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 43.133%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Analyse von Spurenverunreinigungen<\/td><td style=\"width: 56.867%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Kontrolle von Kontaminationsrisiken<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 43.133%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Bewertung von Dichte und Struktur<\/td><td style=\"width: 56.867%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Beurteilung der Unversehrtheit des Keramiktargets<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 43.133%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Ma\u00dfpr\u00fcfung<\/td><td style=\"width: 56.867%; border-style: solid; border-color: #2e2c2c; height: 24px; text-align: center;\">Sicherstellung der Kompatibilit\u00e4t mit Sputteranlagen<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><p>Bei mehrkomponentigen Oxid-Halbleiter-Targets wie IGZO ist die Gew\u00e4hrleistung einer gleichm\u00e4\u00dfigen Zusammensetzung und Materialkonsistenz von entscheidender Bedeutung, da Abweichungen im Target die Sputter-Stabilit\u00e4t und die Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten beeinflussen k\u00f6nnen.<\/p><p>Detaillierte technische Spezifikationen, Materialeigenschaften und Qualit\u00e4tsinformationen finden Sie im <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2025\/11\/IGZO-Sputtering-Target_TDS.pdf\">Technisches Datenblatt (TDS) f\u00fcr IGZO-Sputtertargets<\/a> <\/span>zur Kundenbewertung bereitgestellt.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-045f0db elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"045f0db\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">IGZO-Sputter-Target und D\u00fcnnschichtleistung<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-5f4bab9 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"5f4bab9\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\" data-start=\"6853\" data-end=\"6945\">Der Zusammenhang zwischen der Zielqualit\u00e4t und der Leistung von IGZO-D\u00fcnnschichten l\u00e4sst sich wie folgt zusammenfassen:<\/p><div class=\"group TyagGW_tableContainer TyagGW_tableContainerWithTableOfContents\"><div class=\"TyagGW_tableWrapper flex flex-col-reverse w-fit\" tabindex=\"-1\"><table style=\"border-collapse: collapse; width: 100%; height: 171px;\"><tbody><tr style=\"height: 48px;\"><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; text-align: center; height: 48px;\"><strong>Zielfaktor<\/strong><\/td><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; text-align: center; height: 48px;\"><strong>Einfluss auf den Film<\/strong><\/td><\/tr><tr style=\"height: 19px;\"><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; text-align: center; height: 19px;\">Zusammensetzungsgleichm\u00e4\u00dfigkeit<\/td><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; text-align: center; height: 19px;\">Steuert die Elementkonsistenz<\/td><\/tr><tr style=\"height: 32px;\"><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; text-align: center; height: 32px;\">Hohe Reinheit<\/td><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 32px; text-align: center;\">Reduziert das Kontaminationsrisiko<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 24px; text-align: center;\">Geringer Verunreinigungsgrad<\/td><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 24px; text-align: center;\">Verbessert die elektrische Stabilit\u00e4t<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 24px; text-align: center;\">Hohe Dichte<\/td><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 24px; text-align: center;\">Unterst\u00fctzt stabiles Sputtern<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 24px; text-align: center;\">Gleichm\u00e4\u00dfige Mikrostruktur<\/td><td style=\"width: 50%; border-style: solid; border-color: #bec7e8; height: 24px; text-align: center;\">Reduziert Abweichungen bei der Abscheidung<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><p>Die Leistung der D\u00fcnnschicht h\u00e4ngt jedoch von den Eigenschaften des Targets und den Abscheidungsparametern ab, darunter Sputterleistung, Gasatmosph\u00e4re, Sauerstoffpartialdruck und Substratbedingungen. Zuverl\u00e4ssige IGZO-Sputtertargets bieten eine stabile Materialquelle und verhindern so materialbedingte Schwankungen w\u00e4hrend der Entwicklung und Herstellung der D\u00fcnnschicht.<\/p><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-f89a6af elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"f89a6af\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Fazit<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-7aa843d elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"7aa843d\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<div class=\"QFw9Te BLojaf\"><div class=\"QFw9Te BLojaf\">Die Qualit\u00e4t von IGZO-Sputtertargets spielt eine wichtige Rolle f\u00fcr die Leistung von D\u00fcnnschichten, da das Target direkt die chemische Zusammensetzung und die Materialkonsistenz der abgeschiedenen Schicht bestimmt. F\u00fcr Anwendungen mit Oxidhalbleitern reicht eine hohe Reinheit allein nicht aus. Eine stabile In\/Ga\/Zn-Zusammensetzung, kontrollierte Verunreinigungsgehalte, eine angemessene Dichte und eine gleichm\u00e4\u00dfige Keramikstruktur sind f\u00fcr eine zuverl\u00e4ssige Sputterleistung erforderlich. Durch die Steuerung dieser Materialparameter bietet ULPMAT IGZO-Sputtertargets an, die f\u00fcr stabile Abscheidungsprozesse und Anwendungen im Bereich der Oxidhalbleiter ausgelegt sind.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-3baf786 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"3baf786\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-1152677 elementor-widget elementor-widget-eael-adv-accordion\" data-id=\"1152677\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"eael-adv-accordion.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t            <div class=\"eael-adv-accordion\" id=\"eael-adv-accordion-1152677\" data-scroll-on-click=\"no\" data-scroll-speed=\"300\" data-accordion-id=\"1152677\" data-accordion-type=\"accordion\" data-toogle-speed=\"300\">\n            <div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"welche-faktoren-bestimmen-die-qualitt-eines-igzo-sputtertargets\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"1\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1811\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Welche Faktoren bestimmen die Qualit\u00e4t eines IGZO-Sputtertargets?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1811\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"1\" aria-labelledby=\"welche-faktoren-bestimmen-die-qualitt-eines-igzo-sputtertargets\"><p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\">Die Qualit\u00e4t eines IGZO-Sputtertargets h\u00e4ngt von der Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Zusammensetzung, der Reinheit, der Verunreinigungskontrolle, der Dichte, der Mikrostruktur und der Ma\u00dfgenauigkeit ab. Ein hochwertiges IGZO-Target weist ein stabiles In\/Ga\/Zn-Verh\u00e4ltnis und eine gleichbleibende Keramikstruktur auf, was zu einer stabilen Sputterleistung und zuverl\u00e4ssigen Eigenschaften der IGZO-D\u00fcnnschicht beitr\u00e4gt.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"warum-ist-reinheit-bei-igzo-sputter-targets-wichtig\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"2\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1812\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Warum ist Reinheit bei IGZO-Sputter-Targets wichtig?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1812\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"2\" aria-labelledby=\"warum-ist-reinheit-bei-igzo-sputter-targets-wichtig\"><p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\">Reinheit ist wichtig, da Verunreinigungen aus dem Target w\u00e4hrend des Sputtervorgangs in die abgeschiedene IGZO-D\u00fcnnschicht \u00fcbertragen werden k\u00f6nnen. Durch kontrollierte Verunreinigungsgehalte lassen sich Kontaminationsrisiken verringern, defektbedingte Schwankungen minimieren sowie die elektrische Stabilit\u00e4t und die Prozesswiederholbarkeit bei Anwendungen mit Oxidhaltigen Halbleitern verbessern.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"wie-wirkt-sich-die-zusammensetzung-des-igzo-targetmaterials-auf-die-eigenschaften-der-dnnschicht-aus\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"3\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1813\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Wie wirkt sich die Zusammensetzung des IGZO-Targetmaterials auf die Eigenschaften der D\u00fcnnschicht aus?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1813\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"3\" aria-labelledby=\"wie-wirkt-sich-die-zusammensetzung-des-igzo-targetmaterials-auf-die-eigenschaften-der-dnnschicht-aus\"><p>Das Zusammensetzungsverh\u00e4ltnis von In\/Ga\/Zn hat direkten Einfluss auf die elektrischen und strukturellen Eigenschaften von IGZO-D\u00fcnnschichten. In\u2082O\u2083 tr\u00e4gt zum Elektronentransport bei, Ga\u2082O\u2083 hilft bei der Kontrolle von sauerstoffbedingten Defekten und ZnO beeinflusst die strukturellen Eigenschaften. Daher ist eine genaue Steuerung der Zusammensetzung f\u00fcr eine gleichbleibende Halbleiterleistung unerl\u00e4sslich.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"warum-ist-die-dichte-bei-keramischen-igzo-sputtertargets-von-bedeutung\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"4\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1814\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Warum ist die Dichte bei keramischen IGZO-Sputtertargets von Bedeutung?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1814\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"4\" aria-labelledby=\"warum-ist-die-dichte-bei-keramischen-igzo-sputtertargets-von-bedeutung\"><p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\">Die Dichte beeinflusst die Stabilit\u00e4t des Sputterprozesses, das Erosionsverhalten des Targets und die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Abscheidung. IGZO-Sputtertargets mit hoher Dichte und gleichm\u00e4\u00dfiger Mikrostruktur k\u00f6nnen die Partikelbildung verringern, die Targetausnutzung verbessern und eine stabile D\u00fcnnschichtabscheidung w\u00e4hrend langer Sputterprozesse gew\u00e4hrleisten.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"welche-technischen-daten-sollte-ich-vor-dem-kauf-eines-igzo-sputtertargets-berprfen\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"5\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1815\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Welche technischen Daten sollte ich vor dem Kauf eines IGZO-Sputtertargets \u00fcberpr\u00fcfen?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1815\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"5\" aria-labelledby=\"welche-technischen-daten-sollte-ich-vor-dem-kauf-eines-igzo-sputtertargets-berprfen\"><p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\">Vor dem Kauf eines IGZO-Sputtertargets sind folgende wichtige Spezifikationen zu beachten: Reinheit, Zusammensetzungsverh\u00e4ltnis von In\/Ga\/Zn, Verunreinigungsgehalte, Dichte, Abmessungen, Anforderungen an die Befestigung sowie verf\u00fcgbare technische Unterlagen wie Datenbl\u00e4tter (TDS) und Qualit\u00e4tspr\u00fcfberichte. Diese Parameter tragen dazu bei, die Kompatibilit\u00e4t mit den Sputteranlagen und den Anwendungsanforderungen sicherzustellen.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"fhrt-eine-hhere-reinheit-immer-zu-besseren-igzo-dnnschichten\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"6\" aria-controls=\"elementor-tab-content-1816\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">F\u00fchrt eine h\u00f6here Reinheit immer zu besseren IGZO-D\u00fcnnschichten?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-1816\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"6\" aria-labelledby=\"fhrt-eine-hhere-reinheit-immer-zu-besseren-igzo-dnnschichten\"><p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\">Nein. Eine h\u00f6here Reinheit verringert zwar das Kontaminationsrisiko, doch die Leistung von IGZO-D\u00fcnnschichten h\u00e4ngt auch von der Genauigkeit der Zusammensetzung, der Dichte des Targets, der Mikrostruktur, den Sputterparametern, dem Sauerstoffpartialdruck und den Substratbedingungen ab. Ein leistungsstarkes IGZO-Target erfordert eine ausgewogene Steuerung sowohl der chemischen als auch der physikalischen Eigenschaften.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><\/div>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-5a286c0 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"5a286c0\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Literaturverzeichnis<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e3861fd elementor-icon-list--layout-traditional elementor-list-item-link-full_width elementor-widget elementor-widget-icon-list\" data-id=\"e3861fd\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"icon-list.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t<ul class=\"elementor-icon-list-items\">\n\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">1. Kamiya T., Nomura K., Hosono H. Aktueller Stand der Technik bei amorphen In\u2013Ga\u2013Zn\u2013O-D\u00fcnnschichttransistoren. Science and Technology of Advanced Materials, 2010.<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<li class=\"elementor-icon-list-item\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<span class=\"elementor-icon-list-text\">2. Nomura K. et al. Herstellung transparenter, flexibler D\u00fcnnschichttransistoren bei Raumtemperatur unter Verwendung amorpher Oxidhalbleiter. Nature, 2004.<\/span>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/li>\n\t\t\t\t\t\t<\/ul>\n\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>F\u00fcr die Auswahl eines zuverl\u00e4ssigen IGZO-Sputtertargets ist mehr als nur eine hohe Reinheit erforderlich. In diesem Artikel werden die wichtigsten Qualit\u00e4tsfaktoren erl\u00e4utert, darunter die Steuerung der In\/Ga\/Zn-Zusammensetzung, das Verunreinigungsmanagement, die Targettdichte und die Keramikstruktur f\u00fcr eine stabile D\u00fcnnschichtabscheidung.<\/p>\n","protected":false},"author":4,"featured_media":58565,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[1219],"tags":[],"class_list":["post-58564","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blogs-de"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58564","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=58564"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58564\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":58568,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/58564\/revisions\/58568"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/58565"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=58564"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=58564"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=58564"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}