{"id":57638,"date":"2026-08-11T17:25:42","date_gmt":"2026-08-11T09:25:42","guid":{"rendered":"https:\/\/ulpmat.com\/spezifikationen-fuer-silizium-sputter-targets-leitfaden-zu-reinheit-dichte-herstellung-und-qualitaetsbewertung\/"},"modified":"2026-08-11T17:41:41","modified_gmt":"2026-08-11T09:41:41","slug":"spezifikationen-fuer-silizium-sputter-targets-leitfaden-zu-reinheit-dichte-herstellung-und-qualitaetsbewertung","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/spezifikationen-fuer-silizium-sputter-targets-leitfaden-zu-reinheit-dichte-herstellung-und-qualitaetsbewertung\/","title":{"rendered":"Spezifikationen f\u00fcr Silizium-Sputter-Targets: Leitfaden zu Reinheit, Dichte, Herstellung und Qualit\u00e4tsbewertung"},"content":{"rendered":"\t\t<div data-elementor-type=\"wp-post\" data-elementor-id=\"57638\" class=\"elementor elementor-57638 elementor-57622\" data-elementor-post-type=\"post\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-cd729dd e-flex e-con-boxed e-con e-parent\" data-id=\"cd729dd\" data-element_type=\"container\" data-e-type=\"container\">\n\t\t\t\t\t<div class=\"e-con-inner\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-bce307b elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"bce307b\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p data-start=\"305\" data-end=\"588\"><span style=\"color: #0000ff;\">Die Spezifikationen<a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/7-gruende-warum-silizium-rotations-targets-in-der-modernen-duennschichtabscheidung-verwendet-werden\/\">von Silizium-Sputtertargets <\/a><\/span> spielen eine wichtige Rolle bei der Bestimmung der Leistung bei der D\u00fcnnschichtabscheidung, der Sputterstabilit\u00e4t und der Qualit\u00e4t der fertigen Schicht. Silizium-Sputtertargets sind hochreine Siliziummaterialien, die als Ausgangsmaterialien in physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD) verwendet werden, bei denen Siliziumatome durch den Beschuss mit Plasmaionen von der Targetoberfl\u00e4che freigesetzt und auf Substrate abgeschieden werden.<\/p><p>Obwohl die Reinheit in der Regel das erste Kriterium ist, das bei der Auswahl eines Silizium-Sputtertargets ber\u00fccksichtigt wird, bewerten erfahrene Ingenieure ein breiteres Spektrum an Faktoren, darunter die Targetdichte, den Sauerstoffgehalt, die Kristallstruktur, die elektrischen Eigenschaften, den Herstellungsprozess, die Verbindungsqualit\u00e4t und die Ma\u00dfgenauigkeit.<\/p><p>Ein Target mit hoher Reinheit, aber ungeeigneter Dichte, \u00fcberm\u00e4\u00dfigem Sauerstoffgehalt oder schlechter thermischer Leistung kann bei lang andauernden Sputtervorg\u00e4ngen dennoch Herausforderungen mit sich bringen.<\/p><p>Dieser Artikel bietet einen technischen \u00dcberblick \u00fcber die Spezifikationen von Silizium-Sputtertargets und erl\u00e4utert, wie diese Parameter die Materialauswahl, das Sputterverhalten und die Qualit\u00e4tsbewertung beeinflussen.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-3fd48db elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"3fd48db\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">1. \u00dcbersicht \u00fcber die technischen Daten von Silizium-Sputter-Targets<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-a1971a8 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"a1971a8\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/7-gruende-warum-silizium-rotations-targets-in-der-modernen-duennschichtabscheidung-verwendet-werden\/\">Silizium-Sputter-Targets<\/a><\/span> werden sowohl anhand ihrer Materialeigenschaften als auch anhand der Fertigungsqualit\u00e4t bewertet.<\/p><p>Zu den wichtigsten Spezifikationen geh\u00f6ren:<\/p><ul><li>Reinheitsgrad<\/li><li>Dichte<\/li><li>Sauerstoff- und Spuren<\/li><li>Verunreinigungsgehalt<\/li><li>Kristallstruktur<\/li><li>Elektrischer spezifischer Widerstand<\/li><li>Zielabmessungen<\/li><li>Bindungsstruktur<\/li><li>Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t<\/li><\/ul><p>Diese Spezifikationen stehen in Wechselbeziehung zueinander. So ist beispielsweise die Dichte nicht nur ein physikalischer Parameter. Sie beeinflusst das Sputterverhalten direkt, da Poren oder schwache innere Strukturen bei der Ionenbeschussung zu Quellen der Partikelbildung werden k\u00f6nnen. Ebenso garantiert die Reinheit allein keine stabile Abscheidung. Der Herstellungsprozess und die Methoden der Qualit\u00e4tskontrolle bestimmen, ob das Target w\u00e4hrend des tats\u00e4chlichen Sputtervorgangs eine gleichbleibende Leistung aufrechterhalten kann.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-27dd262 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"27dd262\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">2. Materialeigenschaften von Silizium und Reinheitsanforderungen<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-8ca8d34 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"8ca8d34\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Silizium ist ein <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/anwendung\/halbleiter-materialien\/\">Halbleitermaterial<\/a> <\/span>, das aufgrund seiner elektrischen, optischen und chemischen Eigenschaften bei der D\u00fcnnschichtabscheidung weit verbreitet ist. Bei der Bewertung von Silizium-Sputtertargets sind sowohl die grundlegenden Materialeigenschaften als auch der Reinheitsgrad wichtige Faktoren, die das Sputterverhalten und die Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht beeinflussen.<\/p><table style=\"border-collapse: collapse; width: 100%; height: 377px;\"><tbody><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 21.6894%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\"><strong>Kategorie<\/strong><\/td><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\"><strong>Spezifikation<\/strong><\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\"><strong>Details<\/strong><\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 21.6894%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 72px; text-align: center;\" rowspan=\"3\">Chemische Informationen<\/td><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Chemisches Symbol<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Si<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">CAS-Nummer<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">7440-21-3<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Atommasse<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">28,085<\/td><\/tr><tr style=\"height: 25px;\"><td style=\"width: 21.6894%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 73px; text-align: center;\" rowspan=\"3\">Physikalische Eigenschaften<\/td><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 25px; text-align: center;\">Dichte<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 25px; text-align: center;\">ca. 2,33 g\/cm\u00b3<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Schmelzpunkt<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">ca. 1414 \u00b0C<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Bandl\u00fccke<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Etwa 1,12 eV bei Raumtemperatur<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 21.6894%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 96px; text-align: center;\" rowspan=\"4\">Reinheitsgrad<\/td><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">3N<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Reinheit von 99,9 %, wird \u00fcblicherweise f\u00fcr allgemeine industrielle und Forschungsanwendungen verwendet<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">4N<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Reinheit von 99,99 %, geeignet f\u00fcr die Standard-D\u00fcnnschichtabscheidung<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">5N<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Reinheit von 99,999 %, wird f\u00fcr Anwendungen verwendet, die eine verbesserte Verunreinigungskontrolle erfordern<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">6N<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Reinheit von 99,9999 %, ausgew\u00e4hlt f\u00fcr Anforderungen an die Abscheidung mit hoher Reinheit<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 21.6894%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Verunreinigungskontrolle<\/td><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Wichtigste kontrollierte Elemente<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Metallische Verunreinigungen, Sauerstoff, Kohlenstoff und andere Spurenelemente<\/td><\/tr><tr style=\"height: 40px;\"><td style=\"width: 21.6894%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 88px; text-align: center;\" rowspan=\"3\">Qualit\u00e4tsanalyse<\/td><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 40px; text-align: center;\">GDMS<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 40px; text-align: center;\">Wird zur Analyse metallischer Spurenverunreinigungen verwendet<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">ICP-MS<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Wird zur Bestimmung der elementaren Zusammensetzung und zum Nachweis von Verunreinigungen eingesetzt<\/td><\/tr><tr style=\"height: 24px;\"><td style=\"width: 33.6758%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Analyse der chemischen Zusammensetzung<\/td><td style=\"width: 44.6347%; border-style: solid; border-color: #4f4d4d; height: 24px; text-align: center;\">Wird zur \u00dcberpr\u00fcfung der Materialzusammensetzung verwendet<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><p>Der erforderliche Reinheitsgrad h\u00e4ngt von den Anforderungen an die Endschicht, den Abscheidungsbedingungen und den zul\u00e4ssigen Verunreinigungsgrenzwerten ab. Silizium-Targets mit h\u00f6herer Reinheit erm\u00f6glichen in der Regel eine bessere Kontrolle der Verunreinigungen; die optimale Spezifikation sollte jedoch stets anhand der konkreten Anwendung und nicht allein anhand des Reinheitsgrades festgelegt werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-644ff38 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"644ff38\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">3. Dichte des Silizium-Targets, Sauerstoffgehalt und Defektkontrolle<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-ebfa792 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"ebfa792\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Die Dichte und der Sauerstoffgehalt des Silizium-Targets sind wichtige Faktoren bei der Beurteilung der Qualit\u00e4t eines Sputter-Targets, da sie das Erosionsverhalten, die Partikelbildung und die Abscheidungsstabilit\u00e4t direkt beeinflussen. Beim Magnetron-Sputtern bombardieren energiereiche Argonionen kontinuierlich die Targetoberfl\u00e4che. Sind interne Poren, Bereiche mit schwachen Bindungen oder strukturelle Defekte vorhanden, k\u00f6nnen bei der Erosion Fragmente freigesetzt werden, was die Wahrscheinlichkeit von Partikelverunreinigungen und Schichtfehlern erh\u00f6ht.<\/p><p>Die Targettdichte wird stark vom Herstellungsprozess beeinflusst, insbesondere bei Siliziumtargets, die durch thermische Spritzverfahren hergestellt werden. Faktoren wie die Eigenschaften des Siliziumpulvers, die Spritzatmosph\u00e4re, die thermische Vorgeschichte und die Abscheidungsparameter k\u00f6nnen die endg\u00fcltige Mikrostruktur und Dichte des Targets beeinflussen. Eine gut kontrollierte Targetstruktur tr\u00e4gt dazu bei, eine gleichm\u00e4\u00dfige Erosion und eine stabile Sputterleistung w\u00e4hrend des Langzeitbetriebs aufrechtzuerhalten.<\/p><p>Der Sauerstoffgehalt ist ein weiterer wichtiger Aspekt bei der Bewertung von Silizium-Targets. Sauerstoff kann aus den Silizium-Rohstoffen, bei der Pulverhandhabung, aus der Fertigungsatmosph\u00e4re oder durch thermische Verarbeitungsschritte eingebracht werden. Ein \u00dcberschuss an Sauerstoff kann die elektrischen Eigenschaften des Targets, die Sputter-Stabilit\u00e4t und die Eigenschaften der abgeschiedenen Siliziumschichten beeinflussen. Daher sollte der Sauerstoffgehalt nicht als isolierter Parameter bewertet, sondern gemeinsam mit der Dichte, der Verteilung der Verunreinigungen und dem Herstellungsverfahren betrachtet werden.<\/p><p>Bei Silizium-Sputtertargets, die in anspruchsvollen D\u00fcnnschichtanwendungen eingesetzt werden, bietet eine umfassende Bewertung von Dichte, Sauerstoffkontrolle und struktureller Qualit\u00e4t eine zuverl\u00e4ssigere Grundlage f\u00fcr die Materialauswahl und die Prozessqualifizierung.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-83a6bec elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"83a6bec\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">4. Herstellungsverfahren f\u00fcr Silizium-Sputter-Targets<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-ac8cfd8 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"ac8cfd8\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Der Herstellungsprozess von Silizium-Sputtertargets hat direkten Einfluss auf die Dichte, die Mikrostruktur, die Haftfestigkeit, die Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t und die Sputterstabilit\u00e4t der Targets. Je nach Targetstruktur, Anwendungsanforderungen und Produktionsbedingungen werden unterschiedliche Herstellungsverfahren gew\u00e4hlt.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-1bcd1ec elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"1bcd1ec\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<figure class=\"wp-caption\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"800\" height=\"450\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/silicon-sputtering-target-production-process-1024x576.png\" class=\"attachment-large size-large wp-image-57639\" alt=\"Ablauf des Herstellungsprozesses f\u00fcr Silizium-Sputter-Targets, einschlie\u00dflich Rohstoffaufbereitung, Plasmaspritzverfahren, Herstellung von Verbundtargets, mechanische Bearbeitung und Qualit\u00e4tspr\u00fcfung\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/silicon-sputtering-target-production-process-1024x576.png 1024w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/silicon-sputtering-target-production-process-300x169.png 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/silicon-sputtering-target-production-process-768x432.png 768w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/silicon-sputtering-target-production-process-600x337.png 600w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/silicon-sputtering-target-production-process.png 1366w\" sizes=\"(max-width: 800px) 100vw, 800px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<figcaption class=\"widget-image-caption wp-caption-text\">Ablauf des Herstellungsprozesses f\u00fcr Silizium-Sputter-Targets<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-8fb0d73 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"8fb0d73\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\" data-section-id=\"1vh57o7\" data-start=\"1511\" data-end=\"1546\"><strong>Wichtige Aspekte bei der Herstellung<\/strong><\/p><p data-start=\"1548\" data-end=\"1903\">Bei plasmaspritzten Silizium-Sputtertargets h\u00e4ngt die endg\u00fcltige Targetqualit\u00e4t von mehreren Prozessfaktoren ab, darunter die Eigenschaften des Siliziumpulvers, die Spritzatmosph\u00e4re, die thermische Vorgeschichte und die Abscheidungsparameter. Diese Faktoren beeinflussen die resultierende Dichte, den Sauerstoffgehalt, die Mikrostruktur und die Haftung zwischen der Siliziumschicht und der Tr\u00e4gerstruktur.<\/p><p data-start=\"1905\" data-end=\"2222\">Bei geklebten Silizium-Targets spielt die Klebeschicht eine wichtige Rolle f\u00fcr das W\u00e4rmemanagement und die mechanische Stabilit\u00e4t. W\u00e4hrend des Sputtervorgangs, insbesondere bei hoher Leistung, tr\u00e4gt eine effektive W\u00e4rme\u00fcbertragung zwischen dem Siliziummaterial und der Tr\u00e4gerstruktur dazu bei, eine \u00dcberhitzung und einen vorzeitigen Ausfall des Targets zu verhindern.<\/p><p data-start=\"2224\" data-end=\"2439\">Bei der praktischen Bewertung von Targets sollte das Herstellungsverfahren zusammen mit den Materialspezifikationen wie Reinheit, Dichte, Sauerstoffgehalt, Abmessungen und den Anforderungen des Sputternsystems ber\u00fccksichtigt werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-54db511 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"54db511\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">5. Kristallstruktur, spezifischer Widerstand und Auswahl des Sputterverfahrens<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-64a214f elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"64a214f\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Silizium-Sputtertargets sind in polykristalliner und monokristalliner Ausf\u00fchrung erh\u00e4ltlich. Mehrkorn-Polykristallines Silizium bietet ein ausgewogenes Verh\u00e4ltnis zwischen stabilem Sputterverhalten und Kosteneffizienz f\u00fcr den allgemeinen Einsatz, w\u00e4hrend monokristallines Silizium mit einem ununterbrochenen Kristallgitter gew\u00e4hlt werden sollte, wenn eine verbesserte Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der D\u00fcnnschicht erforderlich ist. Die geeigneten Kristallstrukturen richten sich nach den Filmspezifikationen, den Prozessparametern und der installierten Hardware. Auch der elektrische spezifische Widerstand beeinflusst die Wahl der Sputtertechnik: Intrinsisches Silizium mit hohem spezifischem Widerstand erfordert HF-Magnetron-Sputtern, w\u00e4hrend dotierte Silizium-Targets mit niedrigerem spezifischem Widerstand mit Gleichstrom-Magnetron-Sputtern betrieben werden k\u00f6nnen. Bei der Auswahl sollten die leitf\u00e4higen Eigenschaften des Targets, die erwarteten Abscheidungsraten und die vorhandenen Anlagenkonfigurationen ber\u00fccksichtigt werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-41d7b75 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"41d7b75\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">6. Weitere \u00dcberlegungen zu Silizium-Rotationszielstrukturen<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-86672cf elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"86672cf\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\" data-start=\"349\" data-end=\"608\"><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/produkt\/silizium-2\/\">Silizium-Sputter-Target<\/a><\/span> Die Spezifikationen gelten sowohl f\u00fcr planare als auch f\u00fcr rotierende Konfigurationen. Bei rotierenden Targets, die in kontinuierlichen Sputteranlagen zum Einsatz kommen, m\u00fcssen jedoch die Targetstruktur, das W\u00e4rmemanagement und die mechanische Kompatibilit\u00e4t besonders ber\u00fccksichtigt werden.<\/p><p data-start=\"610\" data-end=\"677\">Ein rotierendes Silizium-Target besteht im Allgemeinen aus vier Hauptkomponenten:<\/p><ul data-start=\"679\" data-end=\"785\"><li data-section-id=\"18f1gzw\" data-start=\"679\" data-end=\"712\">Silizium-Targetmaterialschicht<\/li><li data-section-id=\"1qy1dcc\" data-start=\"713\" data-end=\"730\">Bindeschicht<\/li><li data-section-id=\"1ttvx3k\" data-start=\"731\" data-end=\"757\">Tr\u00e4gerrohrstruktur<\/li><li data-section-id=\"1jprgx1\" data-start=\"758\" data-end=\"785\">Internes K\u00fchlsystem<\/li><\/ul><p data-start=\"787\" data-end=\"1059\">Im Vergleich zu planaren Targets arbeiten rotierende Konstruktionen unter st\u00e4ndiger Rotation und mit verl\u00e4ngerten Sputterzyklen. Daher ist die <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/service\/ziel-bindung\/\">Verbindungsqualit\u00e4t<\/a><\/span> , die K\u00fchlleistung und die Ma\u00dfgenauigkeit der Targetstruktur einen direkten Einfluss auf die Betriebsstabilit\u00e4t und die Lebensdauer.<\/p><p data-start=\"1061\" data-end=\"1124\">Bei der Auswahl eines rotierenden Silizium-Targets sind folgende Schl\u00fcsselparameter zu ber\u00fccksichtigen:<\/p><ul data-start=\"1126\" data-end=\"1340\"><li data-section-id=\"jtivex\" data-start=\"1126\" data-end=\"1154\">Durchmesser und L\u00e4nge des Targets<\/li><li data-section-id=\"1ylolgr\" data-start=\"1155\" data-end=\"1201\">Kompatibilit\u00e4t mit dem Rotationskathodensystem<\/li><li data-section-id=\"1hyxs7y\" data-start=\"1202\" data-end=\"1255\">Auslegung der K\u00fchlkan\u00e4le und W\u00e4rme\u00fcbertragungsleistung<\/li><li data-section-id=\"8qhaak\" data-start=\"1256\" data-end=\"1283\">Zuverl\u00e4ssigkeit der Bindeschicht<\/li><li data-section-id=\"1qry0op\" data-start=\"1284\" data-end=\"1340\">Erosionsverhalten w\u00e4hrend des Langzeit-Sputterbetriebs<\/li><\/ul><p data-start=\"1342\" data-end=\"1506\">Die endg\u00fcltige Target-Auslegung sollte unter Ber\u00fccksichtigung der Konfiguration der Sputteranlage, der Betriebsleistung, der K\u00fchlbedingungen und der geforderten Schichteigenschaften bewertet werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-6c69c82 elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"6c69c82\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img decoding=\"async\" width=\"800\" height=\"477\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Structure-of-a-Silicon-Rotary-Sputtering-Target-1024x610.png\" class=\"attachment-large size-large wp-image-57640\" alt=\"Technische Daten f\u00fcr Silizium-Sputter-Targets, einschlie\u00dflich einer rotierenden Target-Struktur mit Siliziumschicht, Bindeschicht, Tr\u00e4gerrohr und K\u00fchlkanal\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Structure-of-a-Silicon-Rotary-Sputtering-Target-1024x610.png 1024w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Structure-of-a-Silicon-Rotary-Sputtering-Target-300x179.png 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Structure-of-a-Silicon-Rotary-Sputtering-Target-768x457.png 768w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Structure-of-a-Silicon-Rotary-Sputtering-Target-600x357.png 600w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Structure-of-a-Silicon-Rotary-Sputtering-Target.png 1129w\" sizes=\"(max-width: 800px) 100vw, 800px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-e851fb1 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"e851fb1\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">7. Qualit\u00e4tsbewertung von Silizium-Sputtertargets und Lieferantenauswahl<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-8e0be31 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"8e0be31\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p style=\"text-align: left;\">Die Qualifizierung von Silizium-Sputtertargets beginnt in der Regel mit einer \u00dcberpr\u00fcfung der Materialspezifikationen und der technischen Dokumentation. Im Mittelpunkt des Bewertungsprozesses steht die Frage, ob die Eigenschaften des Targets, die Fertigungsqualit\u00e4t und die bereitgestellten Daten den Anforderungen des Abscheidungssystems entsprechen.<\/p><p>Ein typischer Bewertungsablauf umfasst:<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-787dbfd elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"787dbfd\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p style=\"text-align: center;\"><strong>Bewerbungsvoraussetzungen\u00a0<\/strong><\/p><p>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2193\u00a0<\/p><p><strong>\u00a0 \u00a0Pr\u00fcfung der Zielspezifikationen (Reinheit \/ chemische Zusammensetzung \/ spezifischer Widerstand)\u00a0<\/strong><\/p><p>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0\u2193\u00a0<\/p><p><strong>Bewertung der physikalischen Eigenschaften (Dichte \/ Abmessungen \/ Oberfl\u00e4chenbeschaffenheit \/ Kristallstruktur)\u00a0<\/strong><\/p><p>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u2193\u00a0<\/p><p><strong>\u00dcberpr\u00fcfung des Herstellungsprozesses (Produktionsverfahren \/ Verbindungstechnik \/ Qualit\u00e4tskontrolle)\u00a0<\/strong><\/p><p>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u2193\u00a0<\/p><p><strong>\u00dcberpr\u00fcfung der technischen Dokumentation (COA \/ Pr\u00fcfberichte \/ Testdaten)\u00a0<\/strong><\/p><p>\u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u00a0 \u2193\u00a0<\/p><p style=\"text-align: center;\"><strong>Qualifizierung des Zielmaterials f\u00fcr den Abscheidungsprozess<\/strong><\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-f346ed0 elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"f346ed0\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\" data-start=\"1081\" data-end=\"1395\">Die \u00dcberpr\u00fcfung der Materialspezifikation best\u00e4tigt, ob das Silizium-Target den geforderten Reinheitsgrad, das zul\u00e4ssige Verunreinigungsniveau und die elektrischen Eigenschaften erf\u00fcllt. Physikalische Eigenschaften wie Dichte, Abmessungen, Oberfl\u00e4chenbeschaffenheit und Kristallstruktur werden bewertet, um die Kompatibilit\u00e4t mit dem Sputter-System sicherzustellen.<\/p><p data-start=\"1397\" data-end=\"1576\">Informationen zur Herstellung, darunter das Herstellungsverfahren, die Bondtechnologie und die Pr\u00fcfverfahren, liefern zus\u00e4tzliche Erkenntnisse \u00fcber die Zuverl\u00e4ssigkeit und Konsistenz des Targets.<\/p><p data-start=\"1578\" data-end=\"1751\">Technische Unterlagen wie Analysezertifikate (COA), Pr\u00fcfberichte und Testdaten sind wichtige Referenzen zur \u00dcberpr\u00fcfung der Chargenkonsistenz vor dem Einsatz in der Produktion.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-30c70b3 elementor-widget elementor-widget-image\" data-id=\"30c70b3\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"image.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<img decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"450\" src=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Key-Factors-for-Silicon-Sputtering-Target-Quality-Evaluation.png\" class=\"attachment-large size-large wp-image-57641\" alt=\"Faktoren, die die Qualit\u00e4t von Silizium-Targets beeinflussen\" srcset=\"https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Key-Factors-for-Silicon-Sputtering-Target-Quality-Evaluation.png 750w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Key-Factors-for-Silicon-Sputtering-Target-Quality-Evaluation-300x180.png 300w, https:\/\/ulpmat.com\/wp-content\/uploads\/2026\/08\/Key-Factors-for-Silicon-Sputtering-Target-Quality-Evaluation-600x360.png 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/>\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-cf14b9b elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"cf14b9b\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">8. Praktische Hinweise zur Bewertung von Silizium-Sputter-Targets<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-7fd2eed elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"7fd2eed\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\" data-start=\"418\" data-end=\"564\">Bei der Qualifizierung von Silizium-Sputtertargets basiert die Materialauswahl in der Regel auf einer Kombination von Spezifikationen und nicht auf einem einzelnen Parameter.<\/p><p data-start=\"566\" data-end=\"738\">So kann beispielsweise ein hochreines Silizium-Target dennoch einer zus\u00e4tzlichen Bewertung bed\u00fcrfen, wenn andere Faktoren die Anforderungen an die Abscheidung nicht erf\u00fcllen. Zu den \u00fcblichen \u00dcberlegungen geh\u00f6ren:<\/p><ul data-start=\"740\" data-end=\"1106\"><li data-section-id=\"16h6lmp\" data-start=\"740\" data-end=\"841\">Die Dichte und die innere Struktur des Targets, die die Partikelbildung und die Sputterstabilit\u00e4t beeinflussen<\/li><li data-section-id=\"116fptf\" data-start=\"842\" data-end=\"932\">Die Verbindungsqualit\u00e4t, die die W\u00e4rme\u00fcbertragung unter verschiedenen Sputterleistungsbedingungen beeinflusst<\/li><li data-section-id=\"1ufp2o7\" data-start=\"933\" data-end=\"1011\">Ma\u00dfgenauigkeit, die die Kompatibilit\u00e4t mit dem Kathodensystem bestimmt<\/li><li data-section-id=\"15zjd8m\" data-start=\"1012\" data-end=\"1106\">die Leistung des W\u00e4rmemanagements, die die Lebensdauer des Targets im Dauerbetrieb beeinflusst<\/li><\/ul><p data-start=\"1108\" data-end=\"1404\">Ein geeignetes Silizium-Sputtertarget muss ein Gleichgewicht zwischen den Materialeigenschaften und den Betriebsbedingungen der Abscheidungsanlage gew\u00e4hrleisten. Reinheit, Dichte, elektrische Eigenschaften, Struktur und Anlagenkompatibilit\u00e4t sollten w\u00e4hrend des Qualifizierungsprozesses gemeinsam bewertet werden.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-4684df8 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"4684df8\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Fazit<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-9cbe48b elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"9cbe48b\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p>Die Spezifikationen von Silizium-Sputtertargets bestimmen, wie zuverl\u00e4ssig ein Target bei der D\u00fcnnschichtabscheidung funktioniert. W\u00e4hrend die Reinheit nach wie vor ein wesentlicher Faktor ist, tragen auch die Dichte, die Sauerstoffkontrolle, der Herstellungsprozess, die elektrischen Eigenschaften, die Verbindungsqualit\u00e4t und die Ma\u00dfgenauigkeit zur Sputterstabilit\u00e4t und zur Leistung der Schicht bei. Ein umfassender Bewertungsansatz erm\u00f6glicht es Ingenieuren, Silizium-Sputtertargets auszuw\u00e4hlen, die ihren Abscheidungsanforderungen und Produktionszielen entsprechen.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-556ad53 elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"556ad53\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">H\u00e4ufig gestellte Fragen<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-32b0089 elementor-widget elementor-widget-eael-adv-accordion\" data-id=\"32b0089\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"eael-adv-accordion.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t            <div class=\"eael-adv-accordion\" id=\"eael-adv-accordion-32b0089\" data-scroll-on-click=\"no\" data-scroll-speed=\"300\" data-accordion-id=\"32b0089\" data-accordion-type=\"accordion\" data-toogle-speed=\"300\">\n            <div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"was-sind-die-wichtigsten-spezifikationen-fr-silizium-sputter-targets\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"1\" aria-controls=\"elementor-tab-content-5311\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Was sind die wichtigsten Spezifikationen f\u00fcr Silizium-Sputter-Targets?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-5311\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"1\" aria-labelledby=\"was-sind-die-wichtigsten-spezifikationen-fr-silizium-sputter-targets\"><p>Zu den Spezifikationen von Silizium-Sputtertargets geh\u00f6ren in der Regel Reinheit, Dichte, Sauerstoffgehalt, Kristallstruktur, spezifischer Widerstand, Abmessungen, Bindungsstruktur und Herstellungsverfahren. Diese Parameter bestimmen gemeinsam die Sputterstabilit\u00e4t, die Lebensdauer des Targets und die Qualit\u00e4t der abgeschiedenen Schicht.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"welche-reinheitsgrade-gibt-es-bei-silizium-sputtertargets\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"2\" aria-controls=\"elementor-tab-content-5312\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Welche Reinheitsgrade gibt es bei Silizium-Sputtertargets?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-5312\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"2\" aria-labelledby=\"welche-reinheitsgrade-gibt-es-bei-silizium-sputtertargets\"><p>Silizium-Sputter-Targets werden \u00fcblicherweise in Reinheitsklassen von 99,9 % (3N) bis 99,9999 % (6N) angeboten. Der geeignete Reinheitsgrad h\u00e4ngt von den Anforderungen an die Schicht, den Grenzwerten f\u00fcr Verunreinigungen, den Abscheidungsbedingungen und den Anwendungsanforderungen ab.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"wie-wirkt-sich-die-dichte-eines-silizium-sputtertargets-auf-die-abscheidungsleistung-aus\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"3\" aria-controls=\"elementor-tab-content-5313\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Wie wirkt sich die Dichte eines Silizium-Sputtertargets auf die Abscheidungsleistung aus?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-5313\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"3\" aria-labelledby=\"wie-wirkt-sich-die-dichte-eines-silizium-sputtertargets-auf-die-abscheidungsleistung-aus\"><p>Die Targetdichte beeinflusst das Erosionsverhalten und die Partikelbildung beim Sputtern. Eine gut kontrollierte Targetstruktur mit wenigen inneren Defekten tr\u00e4gt dazu bei, stabile Plasmabedingungen aufrechtzuerhalten, und verringert das Risiko einer Partikelkontamination w\u00e4hrend der Schichtabscheidung.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"wie-wird-die-qualitt-eines-silizium-sputtertargets-bewertet\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"4\" aria-controls=\"elementor-tab-content-5314\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Wie wird die Qualit\u00e4t eines Silizium-Sputtertargets bewertet?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-5314\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"4\" aria-labelledby=\"wie-wird-die-qualitt-eines-silizium-sputtertargets-bewertet\"><p>Silizium-Sputter-Targets werden in der Regel anhand von Materialspezifikationen, physikalischen Eigenschaften, Fertigungsangaben und Pr\u00fcfdaten bewertet. Zu den \u00fcblichen Bewertungskriterien z\u00e4hlen Reinheitsanalysen, Verunreinigungspr\u00fcfungen, Dichtemessungen, Abmessungen, Oberfl\u00e4chenqualit\u00e4t sowie technische Unterlagen wie COA-Berichte.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><div class=\"eael-accordion-list\">\n\t\t\t\t\t<div id=\"welche-informationen-sind-bei-der-auswahl-eines-silizium-sputtertargets-erforderlich\" class=\"elementor-tab-title eael-accordion-header\" tabindex=\"0\" data-tab=\"5\" aria-controls=\"elementor-tab-content-5315\"><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-closed\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-plus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H272V64c0-17.67-14.33-32-32-32h-32c-17.67 0-32 14.33-32 32v144H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h144v144c0 17.67 14.33 32 32 32h32c17.67 0 32-14.33 32-32V304h144c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-advanced-accordion-icon-opened\"><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-accordion-icon e-font-icon-svg e-fas-minus\" viewBox=\"0 0 448 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M416 208H32c-17.67 0-32 14.33-32 32v32c0 17.67 14.33 32 32 32h384c17.67 0 32-14.33 32-32v-32c0-17.67-14.33-32-32-32z\"><\/path><\/svg><\/span><span class=\"eael-accordion-tab-title\">Welche Informationen sind bei der Auswahl eines Silizium-Sputtertargets erforderlich?<\/span><svg aria-hidden=\"true\" class=\"fa-toggle e-font-icon-svg e-fas-angle-right\" viewBox=\"0 0 256 512\" xmlns=\"http:\/\/www.w3.org\/2000\/svg\"><path d=\"M224.3 273l-136 136c-9.4 9.4-24.6 9.4-33.9 0l-22.6-22.6c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9l96.4-96.4-96.4-96.4c-9.4-9.4-9.4-24.6 0-33.9L54.3 103c9.4-9.4 24.6-9.4 33.9 0l136 136c9.5 9.4 9.5 24.6.1 34z\"><\/path><\/svg><\/div><div id=\"elementor-tab-content-5315\" class=\"eael-accordion-content clearfix\" data-tab=\"5\" aria-labelledby=\"welche-informationen-sind-bei-der-auswahl-eines-silizium-sputtertargets-erforderlich\"><p class=\"PDq2pG_selectionAnchorContainer\">Um ein geeignetes Silizium-Sputtertarget auszuw\u00e4hlen, geben Kunden in der Regel die Targetabmessungen, Informationen zum Sputtersystem, das Abscheidungsverfahren, die erforderliche Reinheit, die Betriebsleistung, die K\u00fchlbedingungen sowie die Anforderungen an die Schichteigenschaften an.<\/p>\n<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div><\/div>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-94c460b elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"94c460b\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">\u00dcber ULPMAT<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-301d37a elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"301d37a\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<p><span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/ulpmat.com\/de\/unternehmen\/ueber-ulpmat\/\">ULPMAT<\/a> <\/span>bietet hochreine Sputtermaterialien und ma\u00dfgeschneiderte Target-L\u00f6sungen f\u00fcr Anwendungen in der D\u00fcnnschichtabscheidung. Mit seiner Erfahrung in der Lieferung von Sputtermaterialien und der Bewertung technischer Spezifikationen <span style=\"color: #0000ff;\"><a style=\"color: #0000ff;\" href=\"https:\/\/exportpages.cn\/my-account\/companies\/154087\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">unterst\u00fctzt ULPMAT<\/a><\/span> Kunden bei der Auswahl geeigneter Targetmaterialien entsprechend den Reinheitsanforderungen, Abmessungen, Befestigungsstrukturen und Abscheidungsbedingungen.<\/p><p>F\u00fcr Silizium-Sputtertargets k\u00f6nnen Kunden technische Spezifikationen und Prozessanforderungen zur Bewertung vorlegen.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-8ff68ac elementor-widget elementor-widget-heading\" data-id=\"8ff68ac\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"heading.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t<h2 class=\"elementor-heading-title elementor-size-default\">Literaturverzeichnis und technische Quellen<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-element elementor-element-708418d elementor-widget elementor-widget-text-editor\" data-id=\"708418d\" data-element_type=\"widget\" data-e-type=\"widget\" data-widget_type=\"text-editor.default\">\n\t\t\t\t<div class=\"elementor-widget-container\">\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<ol><li data-section-id=\"s1010w\" data-start=\"13009\" data-end=\"13079\"><span style=\"color: #999999;\">CRC-Handbuch der Chemie und Physik \u2013 Physikalische Eigenschaften von Silizium<\/span><\/li><li data-section-id=\"4ifb8i\" data-start=\"13081\" data-end=\"13153\"><span style=\"color: #999999;\">ASM-Handbuch \u2013 Halbleitermaterialien und thermische Spritztechnologien<\/span><\/li><li data-section-id=\"16ri7no\" data-start=\"13155\" data-end=\"13242\"><span style=\"color: #999999;\">Technische Tagungsberichte der Society of Vacuum Coaters (SVC) \u2013 Sputtertarget-Technologie<\/span><\/li><li data-section-id=\"h9vgtm\" data-start=\"13244\" data-end=\"13316\"><span style=\"color: #999999;\">Journal of Vacuum Science &amp; Technology \u2013 Untersuchungen zur D\u00fcnnschichtabscheidung<\/span><\/li><li data-section-id=\"d5mofn\" data-start=\"13318\" data-end=\"13396\"><span style=\"color: #999999;\">Thin Solid Films \u2013 Forschung zu Sputterprozessen und D\u00fcnnschichtmaterialien<\/span><\/li><\/ol>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Die Spezifikationen von Silizium-Sputtertargets bestimmen die Abscheidungsstabilit\u00e4t und die Schichtqualit\u00e4t. Dieser Leitfaden erl\u00e4utert Reinheit, Dichte, Sauerstoffgehalt, Herstellungsverfahren und wichtige Bewertungsfaktoren f\u00fcr Silizium-Sputtertargets, die in PVD-Anwendungen zum Einsatz kommen.<\/p>\n","protected":false},"author":4,"featured_media":57641,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[1219],"tags":[],"class_list":["post-57638","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-blogs-de"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/57638","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=57638"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/57638\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":57643,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/57638\/revisions\/57643"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/57641"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=57638"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=57638"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/ulpmat.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=57638"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}