ULPMAT

Titan-Oxid

Chemical Name:
Titan-Oxid
Formula:
Ti2O3
Product No.:
220800
CAS No.:
1344-54-3
EINECS No.:
215-697-9
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
220800ST001 Ti2O3 99.95% Ø 25.4mm x 3.175mm Inquire
220800ST002 Ti2O3 99.95% Ø 50.8mm x 3.175mm Inquire
220800ST003 Ti2O3 99.95% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
220800ST004 Ti2O3 99.95% Ø 101.6mm x 6.35mm Inquire
Product ID
220800ST001
Formula
Ti2O3
Purity
99.95%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175mm
Product ID
220800ST002
Formula
Ti2O3
Purity
99.95%
Dimension
Ø 50.8mm x 3.175mm
Product ID
220800ST003
Formula
Ti2O3
Purity
99.95%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm
Product ID
220800ST004
Formula
Ti2O3
Purity
99.95%
Dimension
Ø 101.6mm x 6.35mm

Übersicht über Sputtertargets aus Titanoxid

Sputtertargets
aus Titanoxid
sind Targets aus Titanoxid mit niedriger Valenz, die sich für die Herstellung von funktionellen Oxid-Dünnschichten in physikalischen Aufdampfverfahren (PVD) eignen. Diese Targets werden häufig in Forschungsbereichen im Zusammenhang mit elektronischen Materialien, funktionellen Dünnschichten und Übergangsmetalloxiden eingesetzt.

Wir bieten Ti2O3-Sputtertargets mit stabiler Zusammensetzung und gleichmäßiger Struktur für die Forschung und die industrielle Dünnschichtabscheidung an. Bitte kontaktieren Sie uns
für technische Informationen.

Produkt-Highlights

Titanoxid-Targets mit niedriger Valenz
Stabile Zusammensetzung und Kristallphase
Gute Steuerbarkeit des Sputterprozesses
Hohe Konsistenz der Filmzusammensetzung
Geeignet für verschiedene PVD-Systeme
Zuverlässige Chargenstabilität

Anwendungen von Titanoxid-Sputter-Targets

Funktionelle Oxid-Dünnschichten:
Werden häufig zur Abscheidung von Oxid-Dünnschichten mit spezifischen elektrischen oder strukturellen Eigenschaften verwendet und eignen sich für die Forschung im Bereich funktioneller Materialien und Bauelemente.
Forschung im Bereich Elektronik- und Halbleitermaterialien:
Dieses Target eignet sich für die Herstellung von Übergangsmetalloxid-Dünnschichten, die zur Untersuchung des elektrischen Transportverhaltens, der Bandstruktur und der Grenzflächeneigenschaften verwendet werden.
Forschung und Labor Dünnschichtherstellung:
Aufgrund ihrer genau definierten chemischen Zusammensetzung werden Ti2O3-Dünnschichten häufig in Dünnschichtabscheidungsversuchen an Universitäten und Forschungseinrichtungen verwendet.
Entwicklung neuartiger Funktionsmaterialien:
In neuartigen Oxidmaterialsystemen werden Ti2O3-Dünnschichten häufig als Basisschichten oder Funktionsschichten verwendet, um Materialeigenschaften zu untersuchen.

Häufig gestellte Fragen

F1: Für welche Arten von Dünnschichten werden Titanoxid-Sputtertargets hauptsächlich verwendet?
A1: Hauptsächlich für die Abscheidung von niedrigvalentem Titanoxid oder verwandten funktionalen Oxid-Dünnschichten, wie sie häufig in der Elektronik- und Funktionsmaterialforschung zu finden sind.

F2: Ist bei der Verwendung von Titanoxid-Sputtertargets eine Atmosphärenkontrolle erforderlich?
A2: Ja, der Sauerstoffpartialdruck oder die Arbeitsatmosphäre muss während des Sputterns in der Regel kontrolliert werden, um die Stabilität des Valenzzustands und der Zusammensetzung des Titans in der Dünnschicht zu gewährleisten.

F3: Welche Sputterverfahren eignen sich für Titanoxid-Sputtertargets?
A3: Im Allgemeinen sind sie für RF-Magnetron-Sputteranlagen geeignet und können je nach Ausstattungsbedingungen auch für andere PVD-Verfahren eingesetzt werden.

F4: Welchen Forschungswert haben Dünnschichten, die mit Titanoxid-Sputtertargets hergestellt wurden?
A4: Diese Art von Dünnschichten hat einen bedeutenden Forschungswert für die Untersuchung der elektrischen Eigenschaften, des Phasenübergangsverhaltens und der Mechanismen von Übergangsmetalloxiden.

Bericht

Jede Charge wird mit folgenden Dokumenten geliefert:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

. Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir sind auf die stabile Herstellung und Qualitätskontrolle von funktionalen Oxid-Sputter-Targets spezialisiert und bieten eine zuverlässige Materialgrundlage für die Ti₂O₃-Dünnschichtabscheidung.

Molekulare Formel: Ti₂O₃
Molekulargewicht: 143,88 g/mol
Äußeres Erscheinungsbild: Rötlich-braunes Zielmaterial
Dichte: 4,97 g/cm³
Schmelzpunkt: 1870 °C
Siedepunkt: Ungefähr 2500 °C
Kristallstruktur: Hexagonal (Korundtyp)

Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.

Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.

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