ULPMAT

Siliziumkarbid

Chemical Name:
Siliziumkarbid
Formula:
SiC
Product No.:
140600
CAS No.:
409-21-2
EINECS No.:
206-991-8
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140600ST001 SiC 99.5% 299.6mm x 129mm x 5mm Inquire
140600ST002 SiC 99.5% Ø 25.4mm x 3.175 mm Inquire
140600ST003 SiC 99.5% Ø 25.4mm x 6.35 mm Inquire
140600ST004 SiC 99.5% Ø 50.8mm x 3.175 mm Inquire
140600ST005 SiC 99.5% Ø 50.8mm x 6.35 mm Inquire
140600ST006 SiC 99.5% Ø 101.6mm x 3.175 mm Inquire
140600ST007 SiC 99.9% Ø 76.2mm x 3.175mm Inquire
140600ST008 SiC 99.9% Ø 76.2mm x 6.35mm Inquire
140600ST009 SiC 99.95% Ø 200mm x 6mm Inquire
140600ST010 SiC 99.99% Ø 25.4mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
140600ST001
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
299.6mm x 129mm x 5mm
Product ID
140600ST002
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST003
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 25.4mm x 6.35 mm
Product ID
140600ST004
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST005
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 50.8mm x 6.35 mm
Product ID
140600ST006
Formula
SiC
Purity
99.5%
Dimension
Ø 101.6mm x 3.175 mm
Product ID
140600ST007
Formula
SiC
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 3.175mm
Product ID
140600ST008
Formula
SiC
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2mm x 6.35mm
Product ID
140600ST009
Formula
SiC
Purity
99.95%
Dimension
Ø 200mm x 6mm
Product ID
140600ST010
Formula
SiC
Purity
99.99%
Dimension
Ø 25.4mm x 3.175 mm

Übersicht über Sputtertargets aus Siliziumkarbid

Sputtertargets
aus Siliziumkarbid
sind Keramiktargets, die sich für die Herstellung hochstabiler Dünnschichten eignen und sich durch hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, Verschleißfestigkeit und chemische Stabilität auszeichnen. Sie werden in erster Linie für die Herstellung von Schutzbeschichtungen, funktionalen Dünnschichten und Dünnschichtstrukturen für elektronische Geräte verwendet.

Wir bieten prozesskompatible Sputtertargets aus Siliziumkarbid und unterstützen Sie bei
der technischen
Integration zwischen Targetstrukturen und Abscheidungsbedingungen. Kontaktieren Sie uns
jetzt!

Produkt-Highlights

Stabile Filmzusammensetzung
Hohe Anpassungsfähigkeit an Hochtemperaturbedingungen
Ausgezeichnete Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit
Gute Stabilität des Sputterprozesses
Geeignet für verschiedene Abscheidungsprozesse

Anwendungen von Sputtertargets aus Siliziumkarbid

Schutz- und verschleißfeste Beschichtungen:
Targets aus Siliziumkarbid werden häufig zur Herstellung von hochharten, schützenden Dünnschichten verwendet, um die Verschleißfestigkeit der Oberfläche und die Lebensdauer zu verbessern.
Elektronische und funktionale Dünnschichten:
Geeignet für die Abscheidung von elektronischen Bauelementen und funktionalen Dünnschichten, die den Anforderungen von Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen entsprechen.
Optische und funktionelle Oberflächentechnik:
In der funktionellen Oberflächentechnik bieten Siliziumkarbid-Dünnschichten stabile physikalische und chemische Eigenschaften.
Forschung und Prozessentwicklung:
Weit verbreitet in der Laborforschung und -entwicklung sowie in der Prozessvalidierung, unterstützt die Optimierung von Prozessparametern.

Häufig gestellte Fragen

F1: Welche Abscheidungsprozesse eignen sich für Sputtertargets aus Siliziumkarbid?
A1: Häufig verwendet in Dünnschichtabscheidungsprozessen wie Magnetron-Sputtern, erfüllt verschiedene Prozessanforderungen.

F2: Wie verhalten sich Siliziumkarbid-Targets bei der Abscheidung bei hohen Temperaturen?
A2: Sie behalten auch unter hohen Temperaturbedingungen eine gute strukturelle Stabilität und Sputterkonsistenz bei.

F3: Was sind die Hauptvorteile von SiC-Dünnschichten?
A3: Sie zeichnen sich vor allem durch hohe Härte, Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und gute thermische Stabilität aus.

F4: Beeinflusst die Targetstruktur die Sputterstabilität?
A4: Eine gut konzipierte Targetstruktur trägt zur Verbesserung der Stabilität des Sputterprozesses und der Gleichmäßigkeit der Dünnschicht bei.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

. Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir verfügen über kontinuierliche Lieferkapazitäten und Prozesskenntnisse im Bereich keramischer Sputtertargets, sodass wir stabile und rückverfolgbare Siliziumkarbid-Sputtertargets anbieten können, die unseren Kunden zuverlässige Dünnschichtabscheidungsergebnisse in der Forschungs- und Entwicklungsphase sowie in der Anwendungsphase ermöglichen.

Molekulare Formel: SiC
Molekulargewicht: 52,11 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarzer, dichter Targetblock
Dichte: 3,21-3,22 g/cm³ (gesintertes Target)
Schmelzpunkt: 2730 °C (zersetzt sich)
Kristallstruktur: Hexagonal (α-SiC); kubisch (β-SiC)

Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.

Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.

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