| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 140600ST001 | SiC | 99.5% | 299.6mm x 129mm x 5mm | Inquire |
| 140600ST002 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | Inquire |
| 140600ST003 | SiC | 99.5% | Ø 25.4mm x 6.35 mm | Inquire |
| 140600ST004 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 3.175 mm | Inquire |
| 140600ST005 | SiC | 99.5% | Ø 50.8mm x 6.35 mm | Inquire |
| 140600ST006 | SiC | 99.5% | Ø 101.6mm x 3.175 mm | Inquire |
| 140600ST007 | SiC | 99.9% | Ø 76.2mm x 3.175mm | Inquire |
| 140600ST008 | SiC | 99.9% | Ø 76.2mm x 6.35mm | Inquire |
| 140600ST009 | SiC | 99.95% | Ø 200mm x 6mm | Inquire |
| 140600ST010 | SiC | 99.99% | Ø 25.4mm x 3.175 mm | Inquire |
Sputtertargets
aus Siliziumkarbid
sind Keramiktargets, die sich für die Herstellung hochstabiler Dünnschichten eignen und sich durch hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, Verschleißfestigkeit und chemische Stabilität auszeichnen. Sie werden in erster Linie für die Herstellung von Schutzbeschichtungen, funktionalen Dünnschichten und Dünnschichtstrukturen für elektronische Geräte verwendet.
Wir bieten prozesskompatible Sputtertargets aus Siliziumkarbid und unterstützen Sie bei
der technischen
Integration zwischen Targetstrukturen und Abscheidungsbedingungen. Kontaktieren Sie uns
jetzt!
Stabile Filmzusammensetzung
Hohe Anpassungsfähigkeit an Hochtemperaturbedingungen
Ausgezeichnete Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit
Gute Stabilität des Sputterprozesses
Geeignet für verschiedene Abscheidungsprozesse
Schutz- und verschleißfeste Beschichtungen:
Targets aus Siliziumkarbid werden häufig zur Herstellung von hochharten, schützenden Dünnschichten verwendet, um die Verschleißfestigkeit der Oberfläche und die Lebensdauer zu verbessern.
Elektronische und funktionale Dünnschichten:
Geeignet für die Abscheidung von elektronischen Bauelementen und funktionalen Dünnschichten, die den Anforderungen von Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen entsprechen.
Optische und funktionelle Oberflächentechnik:
In der funktionellen Oberflächentechnik bieten Siliziumkarbid-Dünnschichten stabile physikalische und chemische Eigenschaften.
Forschung und Prozessentwicklung:
Weit verbreitet in der Laborforschung und -entwicklung sowie in der Prozessvalidierung, unterstützt die Optimierung von Prozessparametern.
F1: Welche Abscheidungsprozesse eignen sich für Sputtertargets aus Siliziumkarbid?
A1: Häufig verwendet in Dünnschichtabscheidungsprozessen wie Magnetron-Sputtern, erfüllt verschiedene Prozessanforderungen.
F2: Wie verhalten sich Siliziumkarbid-Targets bei der Abscheidung bei hohen Temperaturen?
A2: Sie behalten auch unter hohen Temperaturbedingungen eine gute strukturelle Stabilität und Sputterkonsistenz bei.
F3: Was sind die Hauptvorteile von SiC-Dünnschichten?
A3: Sie zeichnen sich vor allem durch hohe Härte, Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und gute thermische Stabilität aus.
F4: Beeinflusst die Targetstruktur die Sputterstabilität?
A4: Eine gut konzipierte Targetstruktur trägt zur Verbesserung der Stabilität des Sputterprozesses und der Gleichmäßigkeit der Dünnschicht bei.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir verfügen über kontinuierliche Lieferkapazitäten und Prozesskenntnisse im Bereich keramischer Sputtertargets, sodass wir stabile und rückverfolgbare Siliziumkarbid-Sputtertargets anbieten können, die unseren Kunden zuverlässige Dünnschichtabscheidungsergebnisse in der Forschungs- und Entwicklungsphase sowie in der Anwendungsphase ermöglichen.
Molekulare Formel: SiC
Molekulargewicht: 52,11 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarzer, dichter Targetblock
Dichte: 3,21-3,22 g/cm³ (gesintertes Target)
Schmelzpunkt: 2730 °C (zersetzt sich)
Kristallstruktur: Hexagonal (α-SiC); kubisch (β-SiC)
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte