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Siliziumkarbid

Chemical Name:
Siliziumkarbid
Formula:
SiC
Product No.:
140600
CAS No.:
409-21-2
EINECS No.:
206-991-8
Form:
Drehbares Ziel
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
140600RT001 SiC 99.99% OD 220mm x ID 112mm x 1 mm Inquire
Product ID
140600RT001
Formula
SiC
Purity
99.99%
Dimension
OD 220mm x ID 112mm x 1 mm

Übersicht über Siliziumkarbid-Rotationsziele

Siliziumkarbid
-Rotationsziele sind keramische Rotationsziele für die kontinuierliche Dünnschichtabscheidung, die sich für Prozesse eignen, die eine hohe Stabilität und einen langfristigen Betrieb erfordern. Sie werden vor allem bei großflächigen Beschichtungen, funktionalen Dünnschichten und industriellen kontinuierlichen Sputteranlagen eingesetzt.

Wir können prozesskompatible Siliziumkarbid-Rotationsziele liefern und unterstützen Sie bei
der technischen
Integration von Konstruktionsdesign und Abscheidungsbedingungen.

Produkt-Highlights

Geeignet für kontinuierliche Sputterprozesse
Stabile Filmzusammensetzung
Hohe Targetausnutzung
Geeignet für großflächige Beschichtungen
Gute Betriebsstabilität

Anwendungen des Siliziumkarbid-Rotationstargets

Großflächige Funktionsbeschichtungen:
Das Siliziumkarbid-Rotationstarget eignet sich für die kontinuierliche Herstellung von Funktionsbeschichtungen auf Glas-, Metall- oder Polymersubstraten.
Industrielle kontinuierliche Sputteranlagen:
In Roll-to-Roll- oder Inline-Sputteranlagen trägt die rotierende Targetstruktur zur Verbesserung der Produktionsstabilität bei.
Abriebfeste und schützende Schichten:
Zur Herstellung von hochharten Schutzschichten, die den Anforderungen einer langfristigen Nutzung gerecht werden.
Forschung und Prozessvalidierung:
Unterstützt die Entwicklung neuer Prozessparameter und die Bewertung der Schichtleistung.

Häufig gestellte Fragen

F1: Was sind die Vorteile eines rotierenden Siliziumkarbid-Targets gegenüber einem planaren Target?
A1: Rotierende Targets erzielen eine höhere Targetausnutzung und verbessern die Stabilität des Sputterprozesses.

F2: Sind rotierende SiC-Targets für den Langzeitbetrieb geeignet?
A2: Ja, die rotierende Struktur trägt zur Wärmeableitung bei und unterstützt den Dauerbetrieb.

F3: In welchen Systemen werden rotierende Siliziumkarbid-Targets üblicherweise eingesetzt?
A3: Sie werden hauptsächlich in industriellen kontinuierlichen Sputter- und großflächigen Dünnschicht-Abscheidungssystemen eingesetzt.

F4: Beeinflusst die Struktur des rotierenden Targets die Gleichmäßigkeit der Schicht?
A4: Ein gut konstruiertes rotierendes Target trägt zur Verbesserung der Schichtdicke und der Gleichmäßigkeit der Zusammensetzung bei.

Berichte

Jede Charge wird mit folgenden Unterlagen geliefert:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

. Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir verfügen über strukturelles Verständnis und Liefererfahrung im Bereich keramischer Rotationsziele, sodass wir stabile und rückverfolgbare Siliziumkarbid-Rotationsziele anbieten können, die unseren Kunden eine stabile und hochgradig konsistente Dünnschichtabscheidung in kontinuierlichen Sputterprozessen ermöglichen.

Molekulare Formel: SiC
Molekulargewicht: 52,11 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarzes, dichtes rotierendes Zielrohr
Dichte: 3,21-3,22 g/cm³ (gesintertes Target)
Schmelzpunkt: 2730 °C (zersetzt sich)
Kristallstruktur: Hexagonal (α-SiC); kubisch (β-SiC)

Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.

Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.

Dokumente

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