Siliziumkarbid
-Rotationsziele sind keramische Rotationsziele für die kontinuierliche Dünnschichtabscheidung, die sich für Prozesse eignen, die eine hohe Stabilität und einen langfristigen Betrieb erfordern. Sie werden vor allem bei großflächigen Beschichtungen, funktionalen Dünnschichten und industriellen kontinuierlichen Sputteranlagen eingesetzt.
Wir können prozesskompatible Siliziumkarbid-Rotationsziele liefern und unterstützen Sie bei
der technischen
Integration von Konstruktionsdesign und Abscheidungsbedingungen.
Geeignet für kontinuierliche Sputterprozesse
Stabile Filmzusammensetzung
Hohe Targetausnutzung
Geeignet für großflächige Beschichtungen
Gute Betriebsstabilität
Großflächige Funktionsbeschichtungen:
Das Siliziumkarbid-Rotationstarget eignet sich für die kontinuierliche Herstellung von Funktionsbeschichtungen auf Glas-, Metall- oder Polymersubstraten.
Industrielle kontinuierliche Sputteranlagen:
In Roll-to-Roll- oder Inline-Sputteranlagen trägt die rotierende Targetstruktur zur Verbesserung der Produktionsstabilität bei.
Abriebfeste und schützende Schichten:
Zur Herstellung von hochharten Schutzschichten, die den Anforderungen einer langfristigen Nutzung gerecht werden.
Forschung und Prozessvalidierung:
Unterstützt die Entwicklung neuer Prozessparameter und die Bewertung der Schichtleistung.
F1: Was sind die Vorteile eines rotierenden Siliziumkarbid-Targets gegenüber einem planaren Target?
A1: Rotierende Targets erzielen eine höhere Targetausnutzung und verbessern die Stabilität des Sputterprozesses.
F2: Sind rotierende SiC-Targets für den Langzeitbetrieb geeignet?
A2: Ja, die rotierende Struktur trägt zur Wärmeableitung bei und unterstützt den Dauerbetrieb.
F3: In welchen Systemen werden rotierende Siliziumkarbid-Targets üblicherweise eingesetzt?
A3: Sie werden hauptsächlich in industriellen kontinuierlichen Sputter- und großflächigen Dünnschicht-Abscheidungssystemen eingesetzt.
F4: Beeinflusst die Struktur des rotierenden Targets die Gleichmäßigkeit der Schicht?
A4: Ein gut konstruiertes rotierendes Target trägt zur Verbesserung der Schichtdicke und der Gleichmäßigkeit der Zusammensetzung bei.
Jede Charge wird mit folgenden Unterlagen geliefert:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir verfügen über strukturelles Verständnis und Liefererfahrung im Bereich keramischer Rotationsziele, sodass wir stabile und rückverfolgbare Siliziumkarbid-Rotationsziele anbieten können, die unseren Kunden eine stabile und hochgradig konsistente Dünnschichtabscheidung in kontinuierlichen Sputterprozessen ermöglichen.
Molekulare Formel: SiC
Molekulargewicht: 52,11 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarzes, dichtes rotierendes Zielrohr
Dichte: 3,21-3,22 g/cm³ (gesintertes Target)
Schmelzpunkt: 2730 °C (zersetzt sich)
Kristallstruktur: Hexagonal (α-SiC); kubisch (β-SiC)
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte