ULPMAT

Manganeisenoxid (Spinellferrit)

Chemical Name:
Manganeisenoxid (Spinellferrit)
Formula:
MnFe2O4
Product No.:
25260800
CAS No.:
12063-10-4
EINECS No.:
269-056-3
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
25260800ST001 MnFe2O4 99.9% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
25260800ST001
Formula
MnFe2O4
Purity
99.9%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm

Übersicht über Sputtertargets aus Manganoxid-Eisenoxid

Sputtertargets aus
Manganoxid-Eisenoxid
sind hochdichte Keramik-Targets aus einem Verbundoxid (Spinell-Eisenmanganoxid), die in physikalischen Gasphasenabscheidungsprozessen (PVD) zur Bildung funktionaler Dünnschichten verwendet werden. Diese Targets werden häufig bei der Herstellung von magnetischen Dünnschichten, elektronischen Geräten und optischen
Funktionsbeschichtungen eingesetzt und bieten eine stabile Grundlage für die Bildung von Schichten für die Herstellung fortschrittlicher Materialien.

Wir bieten MnFe2O4-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden und Größen an. Bitte kontaktieren Sie uns
für technische Details und individuelle Angebote.

Produkt-Highlights

Hochreines Oxid-Target
Stabile Spinellstruktur
Ausgezeichnete Dichte
Kompatibel mit verschiedenen Magnetron-Sputteranlagen
Kundenspezifische
Größen und Formen möglich
Gute Konsistenz der Schichtbildung
Stabile Chargenlieferung
Strenge Qualitätskontrolle

Anwendungen von Mangan-Eisenoxid-Sputtertargets

Abscheidung magnetischer Dünnschichten: Mit MnFe2O4-Targets können magnetische Dünnschichten in Magnetron-Sputteranlagen abgeschieden werden, die zur Herstellung magnetischer Dünnschichtkomponenten wie magnetischer Speicher und Magnetsensoren verwendet werden können.

Herstellung von elektronischen und halbleiterbasierten
Bauelementen: Dieses Sputtertarget eignet sich zur Bildung hochwertiger funktionaler Dünnschichten auf Siliziumwafern, Glas oder anderen Substraten und kann in der Herstellung von elektronischen Bauelementen, integrierten Schaltkreisen und mikroelektronischen Komponenten verwendet werden.

Optoelektronische Funktionsmaterial-Dünnschichten: Wird für die Filmbildung bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente verwendet, z. B. für transparente Magnetschichten oder Dünnschichtmaterialien mit spezifischen optischen Eigenschaften, und liefert Grundmaterialien für Displays, optische Kommunikation usw.

Forschung und Dünnschichtentwicklung: In Forschungslabors werden MnFe2O4-Sputter-Targets zur Entwicklung neuartiger magnetischer oder funktionaler Dünnschichtmaterialien verwendet und sind ein unverzichtbares Ausgangsmaterial für die Dünnschichtforschung in der Materialwissenschaft.

Häufig gestellte Fragen

F1: Was ist ein Mangan-Eisenoxid-Sputtertarget?
A1: Ein MnFe2O4-Sputtertarget ist ein spinellstrukturiertes Verbundkeramiktarget aus Mangan- und Eisenoxiden, das in Dünnschichtabscheidungsprozessen wie dem Magnetron-Sputtern verwendet wird.

F2: Für welche Sputterverfahren ist dieses Target geeignet?
A2: Es kann je nach Ausrüstung und Prozessanforderungen für das Magnetron-Sputtern (einschließlich HF, DC usw.) verwendet werden. Die dichte Struktur des Targets trägt zur Stabilisierung der Filmbildung bei.

F3: Warum wird ein Sputtertarget mit hoher Dichte benötigt?
A3: Eine hohe Dichte reduziert Porosität und Risse, senkt das Risiko eines Targetbruchs während des Sputterns und verbessert die Konsistenz und Qualität des Films.

F4: Wie wirkt sich die Reinheit der Targetzusammensetzung auf die Filmleistung aus?
A4: Targets mit höherer Reinheit tragen zur Reduzierung von Verunreinigungen bei. Ein geringerer Verunreinigungsgehalt im Film verbessert die elektrischen, magnetischen und optischen Eigenschaften sowie die Prozessstabilität.

Berichte

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich.

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir verfügen über ein fortschrittliches System zur Herstellung und Prüfung von Sputtertargets. Von der Auswahl der Rohstoffe und der Pulveraufbereitung bis hin zum Formen, Sintern und der Nachbearbeitung wenden wir strenge Prozesskontrollen an, um die hohe Reinheit und Konsistenz der MnFe₂O₄-Targets sicherzustellen. Wir unterstützen auch kundenspezifische Spezifikationen und bieten professionelle technische Beratung und einen
umfassenden Kundendienst,
um unseren Kunden eine zuverlässige Materialgrundlage für Dünnschicht-Herstellungsprozesse zu bieten.

Molekulare Formel: MnFe₂O₄
Molekulargewicht: 228,81 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarz
Dichte: 5,0 g/cm³
Schmelzpunkt: 1590 °C
Kristallstruktur: kubisch (Spinnel-Typ)

Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.

Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.

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