ULPMAT

Kupfersulfid

Chemical Name:
Kupfersulfid
Formula:
CuS
Product No.:
291601
CAS No.:
1317-40-4
EINECS No.:
215-271-2
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
291601ST001 CuS 99.999% Ø 25.4 mm x 3.175 mm Inquire
291601ST002 CuS 99.999% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
291601ST003 CuS 99.999% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
291601ST004 CuS 99.999% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
291601ST005 CuS 99.999% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
291601ST001
Formula
CuS
Purity
99.999%
Dimension
Ø 25.4 mm x 3.175 mm
Product ID
291601ST002
Formula
CuS
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
291601ST003
Formula
CuS
Purity
99.999%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
291601ST004
Formula
CuS
Purity
99.999%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
291601ST005
Formula
CuS
Purity
99.999%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm

Übersicht über Kupfersulfid-Sputtertargets

Kupfersulfid
-Sputtertargets sind Funktionsmaterialien, die für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden, vor allem in optoelektronischen Bauelementen, leitfähigen Dünnschichten und der Materialforschung.

Wir bieten Kupfersulfid-Sputtertargets mit stabiler Zusammensetzung und hoher Dichte/Gleichmäßigkeit in verschiedenen Größen und Strukturen an. Kontaktieren Sie uns
für technische
Informationen und maßgeschneiderte Lösungen.

Produkt-Highlights

Stabile chemische Zusammensetzung der Legierung
Hohe Targetdichte
Gute Sputtergleichmäßigkeit
Konsistente Filmzusammensetzung
Feine Oberflächenbeschaffenheit
Optionale Bonding-
und Backplane-Optionen
Kompatibel mit verschiedenen Geräten

Anwendungen von Kupfersulfid-Sputter-Targets

Herstellung von Dünnschichten für
optoelektronische
Bauelemente: Dieses Target kann zur Abscheidung von Kupfersulfid-Dünnschichten mit stabiler Leitfähigkeit und Halbleitereigenschaften verwendet werden und erfüllt die Anforderungen der Forschung und Entwicklung im Bereich optoelektronischer Bauelemente.
Funktionale Dünnschichten und Oberflächenbeschichtungen: Bildet durch Sputterprozesse korrosionsbeständige, gut haftende Dünnschichtbeschichtungen für die Oberflächenmodifizierung und das funktionale Design.
Forschung im Bereich Sensoren und elektronische Geräte: Geeignet für Anwendungen in der Forschung und Entwicklung von Sensoren und elektronischen Geräten, bei denen eine hohe Konsistenz in der Schichtzusammensetzung und Leistung erforderlich ist.
Materialverarbeitung und Leistungsforschung: Weit verbreitet in Forschungseinrichtungen zur Untersuchung von Dünnschichtstrukturen, Abscheidungsbedingungen und Leistungssteuerungsbeziehungen.

Häufig gestellte Fragen

F1: Welche Sputterverfahren eignen sich für Kupfersulfid-Sputter-Targets?
A1: Sie können für gängige Sputterverfahren wie DC- und RF-Sputtern verwendet werden. Das spezifische Verfahren sollte entsprechend den Gerätebedingungen ausgewählt werden.

F2: Beeinflusst die Dichte des Targets den Sputtereffekt?
A2: Eine höhere Dichte kann die Sputterstabilität verbessern und zu einer gleichmäßigeren Filmzusammensetzung und -dicke führen.

F3: Können Targets in verschiedenen Größen oder Formen individuell angepasst werden?
A3: Je nach Geräte- und Prozessanforderungen können individuell angepasste Targets in verschiedenen Größen, Dicken und Formen geliefert werden.

F4: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Lagerung und dem Transport von Targets getroffen werden?
A4: Es wird empfohlen, sie in einem versiegelten Behälter zu lagern, um Feuchtigkeit und Verunreinigungen zu vermeiden und so den Zustand der Oberfläche und die Leistung des Targets zu gewährleisten.

Berichte

Jede Charge wird mit folgenden Unterlagen geliefert:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

. Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir konzentrieren uns auf die Herstellung und Qualitätskontrolle von Metallsulfid-Sputter-Targets und legen dabei besonderen Wert auf Materialgleichmäßigkeit, Verarbeitungsgenauigkeit und Lieferstabilität, um zuverlässige und hochgradig bewertbare Dünnschicht-Abscheidungslösungen für Forschungs- und Industriekunden anzubieten.

Chemische Formel: CuS
Molekulargewicht: 95,61 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarzes, dichtes Zielmaterial
Dichte: 5,6 g/cm³
Schmelzpunkt: 1.200 °C (vor der Zersetzung)
Kristallstruktur: Orthorhombisch

Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.

Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.

Dokumente

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