Sputtertargets
aus Kupfertellurid
sind ein wichtiges Material für die Abscheidung von Halbleiter- und thermoelektrischen Funktionsschichten.
Wir liefern hochreine Targets mit präzisen stöchiometrischen Verhältnissen. Anfragen zu technischen
Spezifikationen und kundenspezifischen Anforderungen sind willkommen.
Hohe thermoelektrische Umwandlungseffizienz
Chemisch stabile Filmeigenschaften
Hohe Materialreinheit
Hervorragende und zuverlässige Sputterleistung
Thermoelektrische Geräte: Werden zur Herstellung kritischer Dünnschichten in hochleistungsfähigen thermoelektrischen Modulen verwendet, die Abwärme direkt in nutzbare elektrische Energie umwandeln.
Photovoltaische Absorberschicht: Dient als alternatives Absorbermaterial für neuartige Dünnschicht-Solarzellen und weist einzigartige photoelektrische Reaktionseigenschaften auf.
Phasenwechsel-Speichermaterial: Wird in fortschrittlichen Phasenwechsel-Speichergeräten (PCM) verwendet, wobei seine schnellen und stabilen Übergänge zwischen kristalliner und amorpher Form für die Datenspeicherung genutzt werden.
Infrarotdetektion und -sensorik: Die abgeschiedenen Schichten ermöglichen die Herstellung von Fotodetektoren und Sensorelementen, die für bestimmte Infrarotwellenlängenbereiche empfindlich sind.
F1: Was sind die Hauptmerkmale von Kupfertellurid-Dünnschichten?
A1: Sie weisen hervorragende thermoelektrische Eigenschaften, eine schmale Bandlücke und Empfindlichkeit gegenüber Infrarotlicht auf, wodurch sie sich für Energieumwandlungs- und Detektionsanwendungen eignen.
F2: Ist das stöchiometrische Verhältnis (Cu:Te) des Targetmaterials einstellbar?
A2: Ja, wir können Targetmaterialien mit unterschiedlichen stöchiometrischen Verhältnissen, wie CuTe oder Cu₂Te, entsprechend Ihren Forschungs- oder Prozessanforderungen herstellen.
F3: Welche Anforderungen gelten für die Sputterumgebung bei der Verwendung dieses Targetmaterials?
A3: In der Regel ist eine kontrollierte Atmosphäre erforderlich, insbesondere beim reaktiven Sputtern, wo eine präzise Steuerung der Partialdrücke der Reaktionsgase (z. B. Stickstoff, Sauerstoff) unerlässlich ist, um den gewünschten Film zu erhalten.
F4: Wie wird die thermoelektrische Leistung bewertet?
A4: In erster Linie durch Messung des Seebeck-Koeffizienten, der elektrischen Leitfähigkeit und der Wärmeleitfähigkeit des abgeschiedenen Films, um schließlich dessen Gütezahl (ZT-Wert) zu berechnen.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Dritten sind auf Anfrage erhältlich
Wir sind auf Targets aus Verbindungshalbleitern
spezialisiert. Durch den Einsatz fortschrittlicher Fertigungstechniken und strenger Qualitätsmanagementsysteme gewährleisten wir eine außergewöhnliche Leistungskonstanz und Zuverlässigkeit bei jedem Target. Wir sind bestrebt, professionellen technischen Support und maßgeschneiderte Lösungen zu liefern, und sind Ihr zuverlässiger Partner für wegweisende Forschung und Anwendungen im Bereich der Dünnschichttechnologie.
Chemische Formel: CuTe
Molekulargewicht: 159,56 g/mol
Erscheinungsbild: Schwarzes, dichtes Zielmaterial
Dichte: 6,2 g/cm³
Schmelzpunkt: 1.050 °C (vor der Zersetzung)
Kristallstruktur: Hexagonal
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte