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Sputtertargets
aus Kupfer-Silizium
-Legierung sind Beschichtungstargets aus einer Kupfer-Silizium-Legierung, die in erster Linie zum Aufbringen von hochleistungsfähigen Funktionsschichten auf mikroelektronische und verschleißfeste Komponenten verwendet werden.
Wir fertigen Legierungs-Targets mit präziser Zusammensetzung und gleichmäßiger Mikrostruktur. Kontaktieren Sie uns
für detaillierte technische
Unterlagen und Informationen zu Mustern.
Bildet Silizidschichten mit geringem Widerstand
Dichte, fest verbundene Beschichtungen
Ausgezeichnete Verschleißfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit
Gleichmäßige und stabile Target-Struktur
Mikroelektronische Verbindungen: Dienen als Kontaktmaterial oder Diffusionsbarriereschicht in Halbleiterbauelementen und gewährleisten stabile und zuverlässige Schaltungsverbindungen.
Verschleißfeste Schutzbeschichtungen: Wird auf Schneidwerkzeuge und kritische mechanische Komponenten aufgebracht, um die Verschleißfestigkeit und die Hochtemperaturoxidationsbeständigkeit deutlich zu verbessern.
Photovoltaik und Displays: Dient als Elektrodenmaterial für Dünnschicht-Solarzellen oder zum Aufbringen leitfähiger Schichten in bestimmten Display-Technologien.
Präzisionswiderstandsschichten: Werden zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen mit ausgezeichneter Temperaturstabilität und hoher Präzision verwendet.
F1: Was sind die Hauptkomponenten der aus Kupfer-Silizium-Targets gebildeten Schicht?
A1: In erster Linie niederohmige Kupfer-Silizium-Verbindungen (Silizide), die durch anschließende Wärmebehandlung oder In-situ-Reaktionen gebildet werden und eine ausgezeichnete Leitfähigkeit und thermische Stabilität aufweisen.
F2: Wie wirkt sich der Siliziumgehalt auf die Eigenschaften der Schicht aus?
A2: Der Siliziumgehalt beeinflusst direkt die Art des gebildeten Silizids sowie den spezifischen Widerstand, die Härte und die thermische Stabilität des Films. Je nach Anwendungsziel ist eine präzise Formulierung erforderlich.
F3: Wie hoch ist die Leitfähigkeit dieses Films?
A3: Der resultierende Kupfer-Silizium-Verbundfilm weist eine gute Leitfähigkeit mit einem spezifischen Widerstand zwischen Metall- und Halbleiterniveau auf, wodurch er sich für bestimmte elektronische Anwendungen eignet.
F4: Was sind die Hauptvorteile gegenüber reinen Kupfer-Targets?
A4: Die Hauptvorteile liegen in der Fähigkeit von Silizium, die Diffusion von Kupferatomen wirksam zu unterdrücken, die thermische Stabilität und Oxidationsbeständigkeit zu verbessern und die Bildung von funktionellen Siliziden durch chemische Reaktionen zu ermöglichen.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir sind auf die Forschung und Entwicklung sowie die Herstellung von Hochleistungslegierungstargets spezialisiert. Dank unserer fundierten Kenntnisse in der Materialwissenschaft und unserer Präzisionsfertigungskapazitäten gewährleisten wir eine außergewöhnliche Produktleistung und Chargenkonsistenz. Wir sind Ihr zuverlässiger Partner, der sich der Bereitstellung professioneller technischer Lösungen und einer zuverlässigen Liefergarantie verschrieben hat.
Molekulare Formel: CuSi
Erscheinungsbild: Feststoff mit Metallglanz
Kristallstruktur: Flächenzentriert kubisch
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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