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Kupfer Indium Gallium

Chemical Name:
Kupfer Indium Gallium
Formula:
CuInGa
Product No.:
29493100
CAS No.:
EINECS No.:
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
29493100ST001 CuInGa 99.99% Ø 76.2 mm x 6.35 mm Inquire
29493100ST002 CuInGa 99.99% Ø 152.4 mm x 6.35 mm Inquire
29493100ST003 CuInGa 99.99% Ø 203.2 mm x 6.35 mm Inquire
Product ID
29493100ST001
Formula
CuInGa
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 6.35 mm
Product ID
29493100ST002
Formula
CuInGa
Purity
99.99%
Dimension
Ø 152.4 mm x 6.35 mm
Product ID
29493100ST003
Formula
CuInGa
Purity
99.99%
Dimension
Ø 203.2 mm x 6.35 mm

Übersicht über Sputtertargets aus Kupfer-Indium-Gallium

Sputtertargets aus
Kupfer-Indium-Gallium
sind Multi-Element-Legierungstargets, die in erster Linie zur Herstellung von optoelektronischen und funktionalen Dünnschichten mit einstellbarer Zusammensetzung verwendet werden.

Wir bieten Targets mit unterschiedlichen Kupfer-, Indium- und Galliumanteilen und in verschiedenen Spezifikationen an und unterstützen die Anpassung
an die Geräteparameter. Bitte kontaktieren Sie uns
für technische Unterstützung.

Produkt-Highlights

Gleichmäßige Verteilung der Multi-Element-Komponenten
Präzise gestaltbare Zusammensetzungsverhältnisse
Hohe Targetdichte
Stabiler Sputterprozess
Gute Wiederholbarkeit der Schicht
Gute Haftung
Geeignet für die Entwicklung komplexer Dünnschichtstrukturen

Anwendungen von Kupfer-Indium-Gallium-Sputter-Targets

Entwicklung von Dünnschicht-Solarmaterialien: Dieses Target wird häufig für die Abscheidung von Metallvorläuferfilmen verwendet. Durch Anpassung der Elementverhältnisse bildet es die Grundlage für die Optimierung der Leistung nachfolgender Funktionsschichten.
Herstellung optoelektronischer
Funktionsdünnschichten: Durch Sputterprozesse lassen sich Legierungsdünnschichten mit gleichmäßiger Zusammensetzung erzielen, die sich für die Erforschung der Steuerung optischer und elektrischer Eigenschaften eignen. Erforschung von

Halbleitermaterialsystemen: Bei der Erforschung von Mehrkomponenten-Halbleitermaterialien hilft dieses Material dabei, den Einfluss unterschiedlicher Elementverhältnisse auf die Bandstruktur zu untersuchen.

Häufig gestellte Fragen

F1: Können die Elementverhältnisse entsprechend den Projektanforderungen angepasst werden?
A1: Ja, die Zielzusammensetzung kann entsprechend den Anforderungen der Ziel-Dünnschicht entworfen und hergestellt werden.

F2: Gibt es für dieses Target besondere Anforderungen an die Sputterausrüstung?
A2: Es ist mit gängigen Sputtersystemen kompatibel. Die spezifischen Parameter müssen entsprechend den Ausrüstungsbedingungen optimiert werden.

F3: Neigt die Filmzusammensetzung während des Sputterns zur Entmischung?
A3: Bei angemessener Leistungs- und Atmosphärenkontrolle bleibt die Filmzusammensetzung konsistent.

F4: Ist das Target für langfristiges kontinuierliches Sputtern geeignet?
A4: Die Targetstruktur ist stabil und eignet sich für kontinuierliche Abscheidung und Mehrfach-Batch-Prozesstests.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir verfügen über langjährige Erfahrung in der Herstellung und im Qualitätsmanagement von Sputtertargets aus Mehrkomponentenlegierungen. Von der Zusammensetzung bis zur Prüfung des Endprodukts verfügen wir über systematische Prozesse, um unseren Kunden eine stabile und gleichbleibende Materialqualität, flexible Anpassungsmöglichkeiten und eine kontinuierliche, zuverlässige Lieferunterstützung zu bieten und so zum effizienten Fortschritt ihrer Projekte beizutragen.

Chemische Formel: CuInGa
Erscheinungsbild: Silbergraues bis dunkelgraues, dichtes Sputtertarget

Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.

Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.

Dokumente

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