Indiumphosphid (InP)ist ein hochreines Verbindungshalbleitermaterial, das für seine hervorragenden elektronischen und optoelektronischen Eigenschaften bekannt ist. Es findet breite Anwendung in elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten, photonischen Komponenten, Laserdioden und der modernen Dünnschichtabscheidung. Aufgrund der überragenden Ladungsträgerbeweglichkeit, der breiten direkten Bandlücke und der hohen thermischen Stabilität sind InP-Sputtertargets ideal für die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterschichten in Kommunikations- und Photoniksystemen.
Unsere InP-Sputter-Targets werden aus hochreinem Indiumphosphid-Material (99,99 %) hergestellt und zeichnen sich durch eine dichte Mikrostruktur, eine präzise Kontrolle der Zusammensetzung und eine hervorragende Gleichmäßigkeit aus, was eine stabile Sputterleistung sowohl für Forschung und Entwicklung als auch für die industrielle Produktion gewährleistet.
Hohe Reinheit: 99,99% Reinheit für hochwertige Dünnschichten mit geringen Defekten.
Gleichmäßige Dichte: Vakuumheißgepresst und HIP-behandelt für feine Kornstruktur und geringe Porosität.
Ausgezeichnete elektrische und optische Eigenschaften: Halbleiter mit direkter Bandlücke, geeignet für optoelektronische Anwendungen.
Stabile Sputtering-Leistung: Gleichmäßige Schichtdicke und konsistente Zusammensetzung.
Anpassbare Größen: Erhältlich in Standard- und kundenspezifischen Durchmessern, Dicken und Konfigurationen (planar oder rotierend).
Optoelektronische Geräte : Für Laserdioden, Photodetektoren und optische Kommunikationskomponenten.
Hochfrequenzelektronik: Verwendung in HEMTs, ICs und Hochgeschwindigkeitstransistoren.
Dünnschichtabscheidung: Geeignet für Magnetron-Sputter- und Aufdampfbeschichtungsanlagen.
Halbleiterforschung: Kernmaterial für die Forschung an III-V-Verbindungshalbleitern und die Entwicklung von Nanostrukturen.
Professioneller Hersteller: Spezialisiert auf hochreine Sputtertargets und Halbleitermaterialien.
Hochreinheitsgarantie: Hergestellt unter Verwendung raffinierter Synthese- und Zonenschmelzverfahren.
Anpassbare Optionen: Verschiedene Formen (Scheibe, Rechteck, Ring) und Bonding-Services verfügbar.
Strenge Qualitätskontrolle: Verifiziert durch ICP-MS und XRD-Analyse für Reinheit und Phasenkonsistenz.
Globale Lieferung: Sichere Verpackung, weltweite Logistik und technische Unterstützung für internationale Kunden.
Umfassende Dokumentation: COA, TDS und MSDS werden mit jeder Charge mitgeliefert.
F1. Wie hoch ist die Standardreinheit Ihres InP-Sputtertargets?
A1. Die Standardreinheit beträgt 99,999% (5N). Höhere Reinheitsgrade und kundenspezifische Spezifikationen sind auf Anfrage erhältlich.
F2. Welche Größen und Formen sind erhältlich?
A2. Wir bieten planare (kreisförmige oder rechteckige) und rotierende Targets an, die in Größe und Dicke an Ihre Ausrüstung angepasst werden können.
F3. Können Sie auch das Bonden anbieten?
A3. Ja, wir bieten auf Anfrage Indium- oder Elastomerbonding auf Trägerplatten an.
F4. Welche Abscheidungsmethoden sind mit InP-Targets kompatibel?
A4. Geeignet für DC/RF-Magnetron-Sputtering und Vakuumverdampfungssysteme.
F5. Wie lauten die Empfehlungen für die Lagerung?
A5. In einer trockenen, inerten Atmosphäre oder vakuumversiegelten Verpackung lagern, um Oxidation und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Jeder Charge wird ein Bericht beigefügt:
Analysezertifikat (COA)
Technisches Datenblatt (TDS)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Prüfberichte von Dritten sind auf Anfrage erhältlich.
Chemische Formel: InP
Molekulargewicht: 283,81 g/mol
Reinheit: 99,99% (anpassbar)
Erscheinungsbild: Graues bis schwarzes Metallpulver oder Target
Dichte: ~4,8 g/cm³
Schmelzpunkt: ~700°C
Siedepunkt: ~2000°C
Kristallstruktur: Zinkblende (kubische Kristallstruktur)
Sputtering-Verfahren: DC-Zerstäubung
Innere Verpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kisten zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.
Äußere Verpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.
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