| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 721400ST001 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST002 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 721400ST003 | HfSi2 | 99.8% (Zr< 0.5wt%) | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
Hafniumsilicid sputtertargets sind Hochleistungsmaterialien, die speziell für Dünnschichtabscheidungsprozesse für elektronische Hochtemperaturgeräte, Halbleitermetallgates, Elektrodenpufferschichten und andere Anwendungen entwickelt wurden. Mit einem Reinheitsgrad von 99,8 % bieten sie eine ausgezeichnete Dichte und strukturelle Stabilität, die eine gleichmäßige Dünnschichtabscheidung und eine hervorragende Haftung ermöglichen, wodurch sie sich für die Herstellung funktioneller Dünnschichten unter anspruchsvollen Bedingungen eignen.
Wir bieten Hafniumsilizid-Targets in einer Vielzahl von Formen und Größen an und können sie an Ihre speziellen Anforderungen anpassen. Außerdem bieten wir umfassenden technischen Support und Kundendienst. Bitte zögern Sie nicht kontaktieren Sie uns wenn Sie Fragen zu ihrer Verwendung haben.
Reinheit: 99,8%
Material mit hohem Schmelzpunkt, geeignet für Hochtemperatur-Beschichtungsprozesse
Ausgezeichnete Dichte und Leitfähigkeit zur Verbesserung der Filmqualität
Anpassbare Größen und Formen, einschließlich Back-Target-Schweißen
Geeignet für Metallgates, Diffusionsbarrieren und hochtemperaturbeständige Dünnschichtmaterialien
Halbleiter bauelemente: Weit verbreitet in High-K-Metall-Gate-Strukturen, Verbindungsschichten und Kontaktelektrodenmaterialien.
Material für Barriereschichten: HfSi₂ wirkt als stabile Diffusionsbarriere und verhindert wirksam die Metallmigration. Hochtemperaturbeständige Strukturfilme: Bieten hervorragende thermische Stabilität und chemische Inertheit in Hochtemperaturumgebungen.
MEMS und mikroelektronische Systeme: Geeignet für die Herstellung von Mikrosensoren, Elektroden und Schutzschichten.
Wir bieten ein Analysezertifikat (COA), Sicherheitsdatenblatt (MSDS) und Berichte über die relevanten physikalischen Parameter für jede Charge von HfSi₂-Targets. Wir unterstützen auch Prüfdienste Dritter, um höhere Qualitätskontrollstandards zu erfüllen.
Molekulare Formel: HfSi₂
Molekulargewicht: 234,65 g/mol
Äußeres Erscheinungsbild: Grauschwarzes Target mit metallischem Glanz und einer dichten, glatten Oberfläche
Dichte: Ungefähr 8,0 g/cm³ (nahe der theoretischen Dichte)
Schmelzpunkt: Ca. 1.830°C (hoher Schmelzpunkt, geeignet für Hochtemperatur-Dünnschichtverfahren)
Kristallstruktur: Orthorhombisch (Struktur vom Typ C49)
Innere Verpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kisten zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.
Äußere Verpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.
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