Galliumnitrid

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Galliumnitrid-Wafer

Galliumnitrid
-Wafer sind standardisierte Substratscheiben, die durch präzises Schneiden, Schleifen und Polieren von hochreinen Galliumnitrid-Einkristallen hergestellt werden. Als grundlegendes Kernmaterial für Halbleiter der dritten Generation mit großer Bandlücke vereinen sie die Eigenschaften von GaN – hohe Frequenz, hohe Effizienz, hohe Spannung und hohe Temperatur – in sich. Sie bieten eine ideale Kristallvorlage für das Aufwachsen hochwertiger GaN-Epitaxiefilme und dienen als physikalische Grundlage für die Herstellung aller hochwertigen optoelektronischen und leistungselektronischen GaN-Bauelemente.

Wir bieten GaN-Einkristallsubstrate und Epitaxie-Wafer in verschiedenen Größen, Kristallorientierungen, Dicken und Leitfähigkeitstypen an. Kontaktieren Sie uns
für maßgeschneiderte Lösungen.

Produkt-Highlights

Halbleitersubstrat der dritten Generation mit großer Bandlücke
Extrem niedrige Versetzungsdefektdichte
Hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete chemische Stabilität
Großflächige Wafer-Technologie
Mehrere Kristallorientierungen und Widerstandsmöglichkeiten verfügbar

Anwendungen von GaN-Wafern

Optoelektronik und Displays: Dient als Epitaxiesubstrat für das Aufwachsen der Kern-Epitaxieschicht in blauen/grünen/weißen LEDs, Laserdioden (LDs) und Micro-LED-Display-Chips.
HF- und Mikrowellenkommunikation: Wird zur Herstellung von Hochfrequenz-HF-Chips und Leistungsverstärkern mit hoher Leistung für 5G/6G-Kommunikationsbasisstationen, Satellitenkommunikation und Radarsysteme verwendet.
Leistungselektronik: Als Substrate für die Herstellung hocheffizienter Leistungselektronikbauteile mit hoher Leistungsdichte, die in neuen Energiefahrzeugen, Rechenzentren und Schnellladeanwendungen eingesetzt werden.
Neue und zukunftsweisende Bereiche: Für die Entwicklung von UV-Detektoren, Hochtemperatursensoren, Quantenkommunikationsgeräten und hocheffizienten integrierten Schaltkreisen der nächsten Generation.

Häufig gestellte Fragen

F1: Was unterscheidet GaN-Wafer von SiC-Wafern?
A1: Sie unterscheiden sich in ihren Materialsystemen und Anwendungsbereichen. GaN-Wafer bieten eine höhere Elektronenbeweglichkeit und eignen sich daher ideal für hochfrequente HF- und optoelektronische Bauelemente; SiC-Wafer bieten eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und eignen sich daher vorrangig für Ultrahochspannungs-Leistungsbauelemente.

F2: Warum sind GaN-auf-Si-Epitaxie-Wafer häufiger anzutreffen?
A2: Die Hauptgründe sind Kosten- und Größenvorteile. Das epitaktische Wachstum von GaN auf kostengünstigen Siliziumsubstraten ermöglicht die Herstellung größerer und kostengünstigerer Bauelemente, obwohl die Kristallqualität schlechter ist als bei GaN-auf-GaN-Homoepitaxie.

F3: Warum sind GaN-Wafer so teuer?
A3: Hauptsächlich aufgrund extremer Herausforderungen bei der Herstellung. Hochwertige GaN-Einkristalle müssen unter hohen Temperaturen und hohem Druck gezüchtet werden, was erhebliche technische Hindernisse, einen hohen Energieverbrauch und geringe Ausbeuten mit sich bringt – was zu Kosten führt, die weit über denen von Siliziumsubstraten liegen.

F4: Wie sollten Wafer gelagert und gehandhabt werden?
A4: Sie müssen in speziellen Waferbooten in ultrareinen Umgebungen gelagert und gehandhabt werden. Die Handhabung erfordert äußerste Sorgfalt, um Beschädigungen der Kanten und Verunreinigungen der Oberfläche zu vermeiden, da sie spröde sind und außergewöhnlich hohe Sauberkeitsstandards erfordern.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Dank unserer fundierten technischen Expertise im Bereich der Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke bieten wir hochwertige, leistungsstarke GaN-Substratprodukte und professionelle, zuverlässige Epitaxie-Lösungen.