Galliumtellurid
-Sputtertargets sind funktionelle Keramiktargets, die aus hochreinem Galliumtelluridpulver durch fortschrittliche Formungs- und Sinterprozesse hergestellt werden. Sie kombinieren die infraroten optoelektronischen Eigenschaften von Halbleitern mit schmaler Bandlücke mit einer ausgezeichneten Dünnschichtabscheidungsfähigkeit und dienen als Kernmaterial für die Abscheidung von Galliumtellurid-Schichten in physikalischen Gasphasenabscheidungsprozessen (PVD). Sie finden breite Anwendung in der modernen Infrarotdetektion, der thermoelektrischen Umwandlung und in hochmodernen elektronischen Geräten.
Wir bieten hochwertige Ga2Te3-Keramik-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden, Spezifikationen und Verbindungsoptionen an. Kontaktieren Sie uns
für Ihre maßgeschneiderte Lösung.
Hohe Reinheit mit präziser Stöchiometrie
Hohe Dichte, geringe Porosität
Hervorragende Gleichmäßigkeit der Schichtabscheidung
Professionelle Verbindung mit Trägerplatten verfügbar
Individuelle Abmessungen und Spezifikationen
Infrarot-Technologie und -Detektion: Abscheidung kernsensitiver Schichten für Infrarot-Fotodetektoren und Wärmebildsensoren.
Thermoelektrische Umwandlungsgeräte: Dient als Abscheidungsquelle für dünnschichtige thermoelektrische Materialien bei der Herstellung von miniaturisierten thermoelektrischen Stromerzeugungs- oder Kühlmodulen.
Phasenwechsel-Speichermaterialien: Wird für die Abscheidung von Funktionsschichten in Phasenwechsel-Speichern mit wahlfreiem Zugriff (PCRAM) verwendet, wobei der schnelle reversible Übergang zwischen kristallinen und amorphen Zuständen genutzt wird.
Zukunftsweisende Geräte und Forschung: Dient als Quelle für Dünnschichten mit schmaler Bandlücke für neuartige elektronische Geräte, Sensoren und grundlegende Untersuchungen der Materialeigenschaften.
F1: Was ist der Unterschied zwischen Ga2Te3- und GeSbTe-Targets?
A1: Sie unterscheiden sich in ihrer Zusammensetzung und ihrem Anwendungsschwerpunkt. Ga₂Te₃ ist eine binäre Verbindung, die vorrangig für Infrarot- und thermoelektrische Anwendungen eingesetzt wird; GeSbTe ist ein ausgereiftes ternäres Phasenwechsel-Speichermaterial, das speziell für die Datenspeicherung entwickelt wurde.
F2: Targets enthalten Tellur. Ist das sicher?
A2: Festkörper-Targets sind stabil, erfordern jedoch eine sachgemäße Handhabung. Vermeiden Sie das Einatmen von Staub während der Verarbeitung, tragen Sie Schutzkleidung und befolgen Sie während des Betriebs die Richtlinien des Sicherheitsdatenblatts (MSDS).
F3: Wie sollte die Reinheit des Targets ausgewählt werden?
A3: Das hängt von der erforderlichen Dünnschichtleistung ab. Die Reinheitsklasse 4N (99,99 %) eignet sich für grundlegende Forschungs- und Entwicklungszwecke, während für die Herstellung von Hochleistungsgeräten eine Reinheit von 5N (99,999 %) oder höher empfohlen wird.
F4: Warum ist ein Bonding-Service erforderlich?
A4: Um die Wärmeableitung und eine sichere Befestigung zu gewährleisten. Das Bonding auf eine Metallträgerplatte (z. B. Kupfer) leitet die Sputterwärme effektiv ab, verhindert thermische Spannungsrisse in Keramik-Targets und erleichtert die Installation.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir sind auf die Bereitstellung hochstabiler, anpassbarer Spezialkeramik-Targets spezialisiert und unterstützen Ihren Materialbedarf in hochmodernen Technologiebereichen mit professionellen Lösungen.
Molekulare Formel: Ga₂Te₃
Molekulargewicht: 583,92 g/mol
Erscheinungsbild: Dunkelgraues, dichtes Zielmaterial
Dichte: Ca. 5,57 g/cm³
Schmelzpunkt: Ca. 824 °C
Kristallstruktur: Defekte Zinkblende, kubisches Kristallsystem
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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