Galliumtellurid
ist ein wichtiges III-VI-Schichtverbindungshalbleitermaterial. Das Produkt besteht aus hochreinen Partikeln, die in der Regel eine graue bis schwarze Farbe aufweisen und entweder eine monokline oder hexagonale Kristallstruktur haben. Es besitzt eine schmale direkte Bandlücke (ca. 1,0–1,8 eV), ist empfindlich gegenüber Nahinfrarotlicht und weist hervorragende optoelektronische und thermoelektrische Eigenschaften sowie Potenzial als Phasenwechselmaterial auf. Diese Eigenschaften machen es zu einem wichtigen Material für die Infrarotdetektion, neue Energieumwandlung und die Forschung an modernsten elektronischen Geräten.
Wir bieten hochwertige Galliumtellurid-Granulate in verschiedenen Reinheits- und Partikelgrößenoptionen an, mit professioneller kundenspezifischer Verpackung. Kontaktieren Sie uns
für Ihre maßgeschneiderte Lösung.
Halbleiter mit schmaler direkter Bandlücke
Einzigartige geschichtete Kristallstruktur
Hervorragende optoelektronische und thermoelektrische Eigenschaften
Gute chemische Stabilität
Potenzial für Anwendungen
als Phasenwechselmaterial
Infrarot-Optoelektronik: Wird zur Herstellung von leistungsstarken Nahinfrarot-Fotodetektoren und lichtemittierenden Geräten verwendet, die auf bestimmte Infrarotwellenlängen reagieren.
Thermoelektrische Umwandlung: Dient als thermoelektrisches Material für die Entwicklung hocheffizienter thermoelektrischer Leistungsmodule, die Abwärme direkt in Elektrizität umwandeln.
Zukunftsweisende 2D-Materialien: Dient als Vorläufer für die Herstellung zweidimensionaler GaTe-Nanoschichten, was die Erforschung neuartiger physikalischer Eigenschaften und die Anwendung in neuartigen Geräten ermöglicht.
Forschung zu Phasenwechsel-Speichern: Wird aufgrund seiner schnellen reversiblen Kristallphasenübergänge als Kandidat für Phasenwechsel-Speicher der nächsten Generation genutzt.
F1: Was ist der Unterschied zwischen GaTe und Ga₂Te₃?
A1: Die wesentlichen Unterschiede liegen in ihrer Stöchiometrie und Bandlücke. GaTe ist eine 1:1-Verbindung mit einer schmaleren Bandlücke, die vor allem in optoelektronischen Geräten zum Einsatz kommt. Ga₂Te₃ ist eine telluridreiche Verbindung mit einer noch schmaleren Bandlücke und ausgeprägteren thermoelektrischen Eigenschaften.
F2: Wie sollte das Produkt gelagert werden?
A2: Lagern Sie es in einem verschlossenen Behälter vor Licht geschützt, idealerweise in einer trockenen Inertgasumgebung, um Oxidation oder Feuchtigkeitsschäden zu vermeiden, die die Leistung beeinträchtigen könnten.
F3: Ist die Verwendung sicher?
A3: Telluride besitzen eine gewisse Toxizität. Vermeiden Sie das Einatmen von Staub während der Handhabung. Arbeiten Sie in einem gut belüfteten Bereich und tragen Sie geeignete persönliche Schutzausrüstung.
F4: Was sind die Hauptvorteile von GaTe?
A4: Seine Hauptstärken liegen in seiner geeigneten schmalen direkten Bandlücke und seiner Schichtstruktur, die ein einzigartiges Potenzial für die Infrarotdetektion und neuartige zweidimensionale elektronische Bauelemente bieten.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir sind auf die Bereitstellung hochreiner, leistungsstabiler Spezialhalbleitermaterialien spezialisiert und bieten professionellen technischen Support, um Ihre bahnbrechende Forschung im Bereich neuer Materialien und Geräteentwicklung zu unterstützen.
Molekulare Formel: GaTe
Molekulargewicht: 165,72 g/mol
Erscheinungsbild: Grauschwarzes Granulat
Dichte: 5,76 g/cm³
Schmelzpunkt: Ungefähr 780 °C
Kristallstruktur: Monoklin
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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