Galliumselenid
-Sputtertargets sind funktionelle Keramiktargets, die aus hochreinem Galliumselenidpulver oder -barren durch fortschrittliche Formungs- und Sinterprozesse hergestellt werden. Dieses Material zeichnet sich durch eine moderate direkte Bandlücke und einzigartige optoelektronische Eigenschaften aus und dient als Kernmaterial für die Abscheidung von Galliumselenidschichten in physikalischen Gasphasenabscheidungsprozessen (PVD). Mit diesem Target hergestellte Schichten sind für die Fertigung fortschrittlicher optoelektronischer Bauelemente, Infrarot-Detektionskomponenten und neuartiger Funktionsbeschichtungen von grundlegender Bedeutung.
Wir bieten Galliumselenid-Keramik-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden und Abmessungen sowie mit Bonding
-Services an. Kontaktieren Sie uns
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Hohe Reinheit mit präziser Stöchiometrie
Hohe Dichte, geringe Porosität
Hervorragende Gleichmäßigkeit der Schichtabscheidung
Verschiedene Größenoptionen verfügbar
Professionelle Verklebung der Trägerplatte
Optoelektronische
Bauelemente und Solarzellen: Abscheidung von Absorberschichten für Dünnschicht-Solarzellen oder Funktionsschichten für Photodetektoren für eine hocheffiziente photovoltaische Umwandlung.
Infrarottechnologie und Detektoren: Bereitet empfindliche Dünnschichtmaterialien für Infrarotdetektoren und Wärmebildsensoren vor.
Funktionale Beschichtungen und Oberflächentechnik: Dient als verschleißfeste, korrosionsbeständige oder optisch spezialisierte Schutzbeschichtung.
Pioniermaterialien und wissenschaftliche Forschung: Dient als grundlegendes Dünnschichtmaterial für die Forschung und Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente, Phasenwechselmaterialien und niedrigdimensionaler Materialien.
F1: Was unterscheidet Galliumselenid-Targets von Galliumarsenid-Targets?
A1: Sie unterscheiden sich in ihrer Materialzusammensetzung und ihrem Leistungsschwerpunkt. Galliumselenid hat eine moderate Bandlücke und eignet sich daher besonders für die Infrarot-Optoelektronik. Galliumarsenid weist eine hohe Elektronenbeweglichkeit auf und ist daher das gängige Material für Hochfrequenz-Mikrowellen- und Laseranwendungen.
F2: Wie sollte die Reinheit des Targets ausgewählt werden?
A2: Dies hängt von der erforderlichen Dünnschichtleistung ab. Für die grundlegende Forschung und Entwicklung ist die Reinheitsklasse 4N (99,99 %) ausreichend; für die Herstellung von Hochleistungsbauelementen wird eine Reinheit von 5N (99,999 %) oder höher empfohlen.
F3: Targets enthalten Selen. Sind sie sicher?
A3: Festkörper-Targets sind stabil, müssen jedoch sachgemäß gehandhabt werden. Vermeiden Sie das Einatmen von Staub während der Verarbeitung und tragen Sie während des Betriebs Schutzkleidung. Spezifische Richtlinien finden Sie im Sicherheitsdatenblatt (MSDS).
F4: Wie sollte das Target gewartet und gelagert werden?
A4: Versiegeln Sie es, um Feuchtigkeit zu vermeiden. Gehen Sie beim Entfernen und Platzieren vorsichtig vor. Lagern Sie es in einer trockenen Umgebung. Vermeiden Sie eine Verunreinigung der Target-Oberfläche während der Verwendung. Behandeln Sie das Target vorsichtig, um Risse im spröden Keramikmaterial zu vermeiden.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Dank unserer Expertise im Bereich der Verbindungshalbleiter-Targets bieten wir hochstabile, anpassbare, hochwertige Galliumselenid-Targets und zuverlässigen technischen Support.
Molekulare Formel: Ga₂Se₃
Molekulargewicht: 376,44 g/mol
Erscheinungsbild: Dunkelrotes bis rötlich-braunes, dichtes Zielmaterial
Dichte: Ungefähr 5,03 g/cm³
Kristallstruktur: Defekte Zinkblende, kubisches Kristallsystem
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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