Galliumselenid
-Sputter-Targets sind funktionelle Keramik-Targets, die aus hochreinem GaSe-Pulver oder -Ingots durch fortschrittliche pulvermetallurgische Verfahren hergestellt werden. Sie übernehmen die einzigartige Schichtkristallstruktur, die direkte Bandlücke und die hervorragenden nichtlinearen optischen Eigenschaften des GaSe-Materials und dienen als Kernmaterial für die Herstellung hochwertiger Galliumselenid-Filme mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD). Sie werden vor allem in der modernen Infrarot-Optoelektronik, der nichtlinearen Optik und in neuartigen zweidimensionalen Materialbauelementen eingesetzt.
Wir bieten hochwertige GaSe-Keramik-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden, Abmessungen und Verbindungskonfigurationen an. Kontaktieren Sie uns
für technische Unterlagen.
Geschichtete Halbleiterstruktur
Hervorragende nichtlineare optische Leistung
Optimierte Eigenschaften für Anwendungen im mittleren bis fernen Infrarotbereich
Hohe Reinheit mit präziser Stöchiometrie
Professionelle Bonding-Plattenverbindung verfügbar
Infrarot- und nichtlineare optische Bauelemente: Verwendung für die Dünnschichtabscheidung bei der Herstellung von Kernfunktionskomponenten für die Terahertz-Erzeugung/Detektion und die Frequenzverdopplung von Mid-Infrarot-Lasern.
Optoelektronik und Detektoren: Verwendung zur Herstellung von hochleistungsfähigen Infrarot-Fotodetektoren, Feldeffekttransistoren und empfindlichen Schichten für flexible optoelektronische Bauelemente.
Neuartige 2D-Materialien und -Geräte: Dient als Abscheidungsquelle für hochwertige 2D-GaSe-Schichten und ermöglicht so Grundlagenforschung und Anwendungsentwicklung für neuartige Quantenbauelemente und Sensoren.
Spezialisierte Funktionsbeschichtungen: Nutzt seine einzigartigen optischen und halbleitertechnischen Eigenschaften und wird als Funktionsschicht für Infrarotfenster oder Spezialsensoren abgeschieden.
F1: Warum sollte man sich für GaSe-Targetmaterial entscheiden?
A1: Seine Hauptvorteile liegen in seiner einzigartigen Schichtstruktur und seinen hervorragenden nichtlinearen optischen Eigenschaften, wodurch es sich besonders für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen im mittleren Infrarot- und Terahertz-Bereich eignet.
F2: Welche Reinheitsanforderungen gelten für GaSe-Targetmaterial?
A2: Um eine optimale optoelektronische Leistung des Dünnfilms zu gewährleisten, muss die Reinheit in der Regel über 99,9 % liegen. Eine hohe Reinheit minimiert effektiv Defekte, die durch Verunreinigungen verursacht werden.
F3: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Verwendung und Wartung getroffen werden?
A3: Dieses Material ist spröde und erfordert eine sorgfältige Handhabung beim Einsetzen und Entfernen. Lagern Sie es in verschlossenen Behältern, um Feuchtigkeitseinwirkung zu vermeiden. Aufgrund seiner Schichtstruktur müssen die Sputterprozessparameter optimiert werden, um gleichmäßige Dünnschichten zu erzielen.
F4: Können nicht standardmäßige Abmessungen oder Verbindungen individuell angepasst werden?
A4: Ja. Wir unterstützen die Anpassung der Zielformen und -größen an Ihre Anlagenkammer und Prozessanforderungen und bieten professionelle Dienstleistungen für die Verbindung von Trägerplatten.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Dank unserer Expertise im Bereich Spezialverbundziele liefern wir hochstabile, konsistente GaSe-Ziele und maßgeschneiderte Lösungen.
Molekulare Formel: GaSe
Molekulargewicht: 144,72 g/mol
Erscheinungsbild: Dunkelgraues bis dunkelgraues, dichtes Targetmaterial
Dichte: 5,32 g/cm³
Schmelzpunkt: Ungefähr 950 °C
Kristallstruktur: Hexagonal
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte
