Galliumphosphid
-Sputtertargets sind funktionelle Keramiktargets, die aus hochreinem Galliumphosphidmaterial mittels fortschrittlicher Pulvermetallurgie oder Schmelzverfahren hergestellt werden. Als klassischer III-V-Verbindungshalbleiter besitzt Galliumphosphid eine indirekte Bandlücke von etwa 2,26 eV. Dieses speziell für physikalische Gasphasenabscheidungsprozesse (PVD) entwickelte Targetmaterial ermöglicht die Abscheidung hochwertiger GaP-Schichten. Es dient als Kernmaterial für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen mit spezifischer Wellenlänge, Hochgeschwindigkeits-Elektronikkomponenten und speziellen Funktionsbeschichtungen.
Wir bieten hochwertige GaP-Keramik-Sputtertargets in verschiedenen Reinheitsgraden und Abmessungen sowie mit optionalen Bonding-Dienstleistungen an. Kontaktieren Sie uns.
Hohe Reinheit und präzise Stöchiometrie
Klassisches III-V-Halbleitermaterial
Hervorragende Gleichmäßigkeit der Filmabscheidung
Hohe Dichte und geringe Porosität
Professionelle Bonding-Dienstleistungen verfügbar
Spezialisierte optoelektronische Bauelemente: Wird für die Dünnschichtabscheidung zur Herstellung von roten, gelb-grünen Leuchtdioden (LEDs) oder Photodetektoren mit spezifischer Wellenlänge verwendet.
Hochgeschwindigkeits-Elektronikgeräte: Dient als Dünnschichtmaterial für Funktions- oder Pufferschichten in bestimmten Hochfrequenz-Elektronikkomponenten.
Optische und Schutzbeschichtungen: Nutzt seine physikalisch-chemische Stabilität, um verschleißfeste, korrosionsbeständige Funktionsbeschichtungen oder optische Filme aufzubringen.
Pionierforschung im Bereich Materialien: Dient als Quelle für die GaP-Dünnschichtabscheidung für die Grundlagen- und angewandte Forschung zu neuartigen Heteroübergängen, niedrigdimensionalen Materialien und Gerätephysik.
F1: Was sind die Hauptanwendungsbereiche von GaP-Target-Materialien?
A1: Sie werden in erster Linie für die Abscheidung von GaP-Dünnschichten zur Herstellung von Emittern für sichtbares Licht bei bestimmten Wellenlängen und bestimmten Hochgeschwindigkeits-Elektronikgeräten verwendet.
F2: Welche Reinheitsanforderungen gelten für Target-Materialien?
A2: Um die Leistungsfähigkeit der Schicht zu gewährleisten, ist in der Regel eine Reinheit von 99,99 % (4N) oder höher erforderlich, abhängig von den Leistungsspezifikationen des Bauelements.
F3: Was ist bei der Auswahl von GaP-Targetmaterialien zu beachten?
A3: Achten Sie auf die Genauigkeit der stöchiometrischen Verhältnisse, die Dichte des Targetmaterials und darauf, ob Bindungsdienstleistungen angeboten werden, die mit Ihrer Ausrüstung kompatibel sind.
F4: Wie sollten Targets gewartet und gelagert werden?
A4: Lagern Sie sie versiegelt in einer trockenen, sauberen Umgebung. Behandeln Sie sie vorsichtig, um Stöße zu vermeiden. Halten Sie die Target-Oberfläche nach dem Gebrauch sauber.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Dank unserer Expertise im Bereich der Verbindungshalbleiter-Targets bieten wir stabile, zuverlässige und hochwertige GaP-Targets sowie maßgeschneiderte Lösungen.
Molekulare Formel: GaP
Molekulargewicht: 145,21 g/mol
Erscheinungsbild: Graues bis dunkelgraues keramisches Target
Dichte: 4,138 g/cm³
Schmelzpunkt: Ungefähr 1.470 °C
Kristallstruktur: Kubisch
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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