Gallium-Oxid

Galliumoxid-Granulat – Überblick

Galliumoxid ist ein neuartiges Halbleitermaterial mit extrem großer Bandlücke und der chemischen Formel Ga₂O₃, das in der Regel als weißes kristallines Pulver auftritt. Mit einer extrem breiten Bandlücke von etwa 4,8–4,9 eV, einer außergewöhnlich hohen theoretischen Durchbruchfeldstärke und einer hervorragenden Baliga-Zahl zeigt es ein immenses Potenzial in der Ultrahochspannungs-Leistungselektronik der nächsten Generation und in optoelektronischen Geräten für den tiefen Ultraviolettbereich. Es gilt als eines der repräsentativen Materialien der „Halbleiter der vierten Generation”.

Wir bieten hochreine β-Ga2O3-Granulate und -Pulver an und unterstützen die Anpassung an unterschiedliche Reinheitsgrade, Partikelgrößen und Kristallphasen (hauptsächlich β-Phase). Kontaktieren Sie uns für Musteranfragen.

Produkt-Highlights

Halbleiter mit extrem breiter Bandlücke (~4,9 eV)
Außergewöhnlich hohe elektrische Durchbruchfeldstärke (~8 MV/cm)
Hervorragende Baliga-Zahl
Wählbare Polymorphe (vorwiegend β-Phase, stabile Phase)
Hohe Reinheit und kontrollierbare Partikelgröße

Anwendungen von Galliumoxid-Granulat

Ultrahochspannungs-Leistungselektronik: Verwendung bei der Herstellung von Schottky-Barrieredioden, Feldeffekttransistoren usw. für Ultrahochspannungsanwendungen in neuen Energiefahrzeugen und intelligenten Stromnetzen.
Tief-UV-Fotodetektion: Verwendung bei der Herstellung von Tief-UV-Fotodetektoren für den solarblinden Bereich, eingesetzt in der Raketenfrüherkennung, Flammenerkennung und UV-Kommunikation.
Substrat- und Epitaxiematerialien: Dient als Einkristallsubstrat oder Dünnschichtmaterial für hochwertiges homogenes oder heterogenes GaO-Epitaxiewachstum.
Gassensoren: Nutzung der Oberflächenaktivität zur Herstellung hochempfindlicher Gassensoren zur Erkennung von Sauerstoff, brennbaren Gasen und mehr.

Häufig gestellte Fragen

F1: Welche Vorteile bietet Galliumoxid gegenüber Siliziumkarbid und Galliumnitrid?
A1: Geringeres Kostenpotenzial und höhere theoretische Leistungsgrenze. Es verspricht geringere Leitungsverluste und eine höhere Durchbruchspannung in Ultrahochspannungsanwendungen (>1,2 kV). Darüber hinaus können aus der Schmelze große Einkristalle gezüchtet werden, was zu einer Kostensenkung führen kann.

F2: Was ist die „β-Phase” von Galliumoxid?
A2: Die stabilste kristalline Strukturphase. β-Ga₂O₃ ist die thermodynamisch stabilste Kristallform und die derzeit in der Forschung und Anwendung von Leistungsbauelementen verwendete Primärphase, die hervorragende elektrische Eigenschaften aufweist.

F3: Ist die Verwendung von Galliumoxid-Granulat sicher?
A3: Behandeln Sie es gemäß den Sicherheitsvorschriften für Chemikalien. Als anorganisches Oxidpulver sollte es nicht eingeatmet werden und nicht in die Augen gelangen. Tragen Sie bei der Handhabung Schutzkleidung. Spezifische Sicherheitsinformationen finden Sie im Sicherheitsdatenblatt (MSDS).

F4: Warum ist Galliumoxid derzeit relativ teuer?
A4: Es befindet sich in einem frühen Stadium der Industrialisierung. Derzeit sind die Herstellung hochreiner Materialien, das Einkristallwachstum und die Gerätefertigungsprozesse noch nicht in der Serienproduktion angekommen. Die Lieferkette steckt noch in den Kinderschuhen, was zu höheren Kosten führt. Mit dem technologischen Fortschritt ist jedoch mit sinkenden Kosten zu rechnen.

Bericht

Jede Charge wird mit folgenden
Unterlagen
geliefert:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

. Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir sind auf modernste Halbleitermaterialien spezialisiert und bieten hochwertige Galliumoxid-Rohstoffe sowie professionelle technische Einblicke, damit Sie die Chancen der Entwicklung von Halbleitern der vierten Generation nutzen können.