Gallium-Oxid

Übersicht über Galliumoxid-Sputtertargets

Galliumoxid
-Sputtertargets sind dichte Keramiktargets, die aus hochreinem Galliumoxidpulver durch fortschrittliche Formungs- und Sinterprozesse hergestellt werden. Sie bestehen hauptsächlich aus der stabilsten β-Phase und dienen als Kernmaterial für die Abscheidung von Galliumoxid-Dünnschichten in physikalischen Gasphasenabscheidungsprozessen. Als Halbleiter der nächsten Generation mit extrem breiter Bandlücke bilden die mit diesem Target abgeschiedenen Schichten die Grundlage für die Herstellung von Leistungselektronikbauteilen der nächsten Generation für Ultrahochspannung und optoelektronischen Bauteilen für tiefes Ultraviolett.

Wir bieten hochreine Ga2O3-Keramik-Sputter-Targets in verschiedenen Größen an, die überwiegend die β-Phase aufweisen. Professionelle Bonding
-Dienstleistungen sind ebenfalls verfügbar. Kontaktieren Sie uns
für Spezifikationslisten und maßgeschneiderte Lösungen.

Produkt-Highlights

Ultrahohe Reinheit
Hohe Dichte und geringe Porosität
Stabile β-Phasenstruktur
Hervorragende Mikrostruktur-Gleichmäßigkeit
Präzise Maßkontrolle
Bonding
-Dienstleistungen

verfügbar
Anwendungen von Ga2O3-Sputter-Targets

Leistungshalbleiterbauelemente: Abscheidung von Ga₂O₃-Filmen für die Herstellung von Ultrahochspannungs-Schottky-Dioden und Feldeffekttransistoren, die in neuen Energiefahrzeugen und intelligenten Stromnetzen verwendet werden.
Tief-ultraviolette optoelektronische Bauelemente: Zur Herstellung von tageslichtblinden UV-Fotodetektoren und transparenten leitfähigen Schichten für UV-Kommunikation, Frühwarnsysteme und Sensoranwendungen.
Schutz- und Funktionsbeschichtungen: Einsatz als verschleißfeste, korrosionsbeständige Hartbeschichtungen oder Isolierschichten für Präzisionswerkzeuge und Oberflächen von Elektronikbauteilen.

Häufig gestellte Fragen

F1: Was sind die Vorteile von GaO-Targets gegenüber SiC- und GaN-Targets?
A1: Größere Bandlücke und höhere theoretische Durchbruchspannung. Sie bieten ein größeres Potenzial für die Herstellung von Ultrahochspannungs-Leistungsbauelementen (>1200 V) und versprechen geringere Energieverluste.

F2: Welcher Reinheitsgrad ist erforderlich?
A2: Das hängt von der Anwendung ab. Für F&E und High-End-Geräte ist in der Regel eine Reinheit von 99,99 % (4N) oder höher erforderlich, um eine optimale elektrische Leistung der Dünnschicht zu gewährleisten.

F3: Bieten Sie Bonding-Dienstleistungen an? Warum ist dies notwendig?
A3: Ja. Das Bonding auf eine Metallträgerplatte (z. B. Kupfer) ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung und eine sichere Befestigung, wodurch verhindert wird, dass spröde Keramik-Targets beim Sputtern zerbrechen.

F4: Wie sollten Targets gelagert und gepflegt werden?
A4: Lagern Sie sie in versiegelten, feuchtigkeitsgeschützten Behältern in einer trockenen, sauberen Umgebung. Reinigen Sie die Target-Oberfläche nach dem Gebrauch, um Verunreinigungen und physikalische Einwirkungen zu vermeiden.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir bieten Ihnen eine Komplettlösung von hochreinen Pulvern über die Herstellung präziser Targets bis hin zu Bonding-Tests und sind Ihr zuverlässiger Partner bei der Entwicklung von Halbleitertechnologien der vierten Generation.