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Bismut-Germanium-Oxid (BGO)

Chemical Name:
Bismut-Germanium-Oxid (BGO)
Formula:
Bi4Ge3O12
Product No.:
83320800
CAS No.:
12233-56-6
EINECS No.:
235-457-7
Form:
Sputtering Target
HazMat:
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
83320800ST001 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 50.8 mm x 3.175 mm Inquire
83320800ST002 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 50.8 mm x 6.35 mm Inquire
83320800ST003 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 76.2 mm x 3.175 mm Inquire
83320800ST004 Bi4Ge3O12 99.99% Ø 101.6 mm x 3.175 mm Inquire
Product ID
83320800ST001
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 3.175 mm
Product ID
83320800ST002
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 50.8 mm x 6.35 mm
Product ID
83320800ST003
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 76.2 mm x 3.175 mm
Product ID
83320800ST004
Formula
Bi4Ge3O12
Purity
99.99%
Dimension
Ø 101.6 mm x 3.175 mm

Wismut-Germanium-Oxid-Sputtering-Target Übersicht

Bismut-Germanium-Oxid sputtertargets sind Hochleistungsmaterialien, die für ferroelektrische, optoelektronische und funktionelle Dünnschichtabscheidungsprozesse entwickelt wurden. Das Material ist strukturell stabil, chemisch einheitlich und weist eine ausgezeichnete Dichte und Reinheit auf, was eine konsistente Schichtzusammensetzung, starke Haftung und hohe Schichtqualität gewährleistet.

Wir bieten Sputtertargets aus Bismut-Germanium-Oxid in verschiedenen Formen und Größen an, einschließlich runder und rechteckiger Targets, die entsprechend Ihren spezifischen Anforderungen angepasst werden können. Wir bieten auch einen umfassenden Kundendienst. Wenn Sie Fragen zur Verwendung haben, können Sie sich gerne an kontaktieren Sie uns.

Produkt-Highlights

Reinheit: 99,99%
Keramikstruktur mit hoher Dichte für eine stabile Abscheidung
Anpassbar größe und Form
Target-Binding-Service verfügbar
Hervorragende Schichtgleichmäßigkeit und Haftung
Anwendbar für eine Vielzahl von funktionalen Dünnschichtpräparaten

Anwendungen von Bismut-Germanium-Oxid-Sputter-Targets

Ferroelektrischer Speicher: Bi₄Ti₃O₁₂ ist ein klassisches ferroelektrisches Material, das für die Abscheidung von ferroelektrischen Schichten in nichtflüchtigen Speichern (FeRAM) verwendet werden kann.
Optoelektronische Geräte: Zur Herstellung multifunktionaler Oxidschichten mit fotoempfindlichen Eigenschaften für die photoelektrische Umwandlung und Sensoren.
Piezoelektrische und dielektrische Materialien: können als funktionelle Schichtmaterialien in Keramikkondensatoren und mehrschichtigen Chipkomponenten mit guten dielektrischen Eigenschaften verwendet werden.
Filme für integrierte Bauelemente: Funktionsfilme, die in integrierten Schaltkreisen verwendet werden, wie z. B. selbstpolarisierende ferroelektrische Kondensatoren.

Berichte

Wir stellen für jede Charge von Bismut-Germaniumoxid-Sputter-Targets ein vollständiges Analysezertifikat (COA), ein Materialsicherheitsdatenblatt (MSDS) und relevante Komponententestberichte zur Verfügung. Auf Kundenwunsch können wir auch Prüfberichte von Dritten zur Verfügung stellen, um das Vertrauen in die Materialqualität zu stärken.

Molekulare Formel: Bi₄Ge₃O₁₂
Molekulargewicht: 1.017,8 g/mol
Äußeres Erscheinungsbild: Off-weißes oder hellgelbes keramisches Target mit einer flachen und dichten Oberfläche
Dichte: Ungefähr 7,1 g/cm³ (nahe der theoretischen Dichte)
Schmelzpunkt: Ca. 930 °C (relativ niedrig, geeignet für wärmeempfindliche Anwendungen)
Kristallstruktur: kubisches System (körperzentrierte Struktur, gute Isotropie)

Innere Verpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kisten zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.

Äußere Verpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.

SKU 83320800ST Kategorie Marke:

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