Sputtertargets
aus Titankarbid
sind funktionelle Keramik-Targets auf Basis einer MAX-Phasenstruktur, die die Leitfähigkeit von Metallen mit der Hochtemperaturbeständigkeit von Keramik kombinieren. Diese Targets werden in erster Linie zur Herstellung von funktionellen Dünnschichten verwendet, die Hochtemperaturbeständigkeit, Leitfähigkeit und strukturelle Stabilität erfordern.
Wir bieten Ti3SiC2-Sputter-Targets mit einheitlicher Zusammensetzung und stabiler Struktur an, die für DC- oder RF-Magnetron-Sputterprozesse geeignet sind. Je nach den Anforderungen der Anlage können verschiedene Größen und Strukturformen geliefert werden. Bitte kontaktieren Sie uns
für technische Parameter und Anwendungsvorschläge.
MAX-Phasen
-Schichtkristallstruktur
Gute elektrische Leitfähigkeit, geeignet für Magnetron-Sputtern
Ausgezeichnete thermische Stabilität und Temperaturwechselbeständigkeit
Stabile Zusammensetzung und gute Wiederholbarkeit beim Sputtern
Geeignet für Hochtemperatur- und Vakuumbeschichtungsumgebungen
Kann zur Herstellung von funktionalen und strukturellen Dünnschichten verwendet werden
Abscheidung funktionaler Dünnschichten:
Wird zur Herstellung funktionaler Dünnschichten mit Leitfähigkeit und Hochtemperaturbeständigkeit verwendet, geeignet für hochwertige funktionale Geräteanwendungen.
Hochtemperaturbeständigkeit und Schutzbeschichtungen:
Ti₃SiC₂-Dünnschichten weisen unter Hochtemperaturbedingungen eine gute strukturelle Stabilität auf und können für Hochtemperaturschutz- und Strukturbeschichtungen verwendet werden.
Halbleiter- und Mikroelektronikforschung:
Geeignet für die Abscheidung von Funktionsschichten in Halbleiterbauelementen, MEMS und der damit verbundenen Materialforschung.
Wissenschaftliche Forschung und Materialentwicklung:
Weit verbreitet in der Forschung zu MAX-Phasen-Dünnschichten, Wachstumsmechanismen und neuartigen Schichtmaterialien.
F1: Für welche Sputtermethode ist das Ti3SiC2-Sputtertarget geeignet?
A1: Dieses Target hat eine gute Leitfähigkeit und kann sowohl für DC-Magnetron-Sputter- als auch für RF-Magnetron-Sputter-Systeme verwendet werden.
F2: Ist die Zusammensetzung des Ti3SiC2-Targets während des Sputterns stabil?
A2: Unter angemessenen Prozessparametern kann dieses Sputtertarget eine gute Zusammensetzungskonstanz aufrechterhalten, wodurch es sich für die Dünnschichtabscheidung mit hohen Anforderungen an die Wiederholbarkeit eignet.
F3: Ist das Ti3SiC2-Sputtertargeting für Hochtemperatur-Abscheidungsprozesse geeignet?
A3: Ja, dieses Targetmaterial verfügt über eine ausgezeichnete thermische Stabilität und Temperaturwechselbeständigkeit, wodurch es sich für Hochtemperatur- oder Langzeit-Sputterbedingungen eignet.
F4: In welchen Forschungsbereichen wird Ti3SiC2-Dünnschicht typischerweise verwendet?
A4: Hauptsächlich in MAX-Phase-Dünnschichten, der Forschung zu biokompatiblen Materialien, verschleißfesten und Hochtemperaturbeschichtungen sowie leitfähigen Keramik-Dünnschichten.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich.
Wir sind auf die Forschung und Lieferung von Funktionskeramiken und fortschrittlichen Target-Materialien spezialisiert und bieten stabile und zuverlässige Lösungen für die Materialstrukturkontrolle, Target-Verdichtung und Anwendungsanpassung, um die Forschung und die Anforderungen der industriellen Dünnschichtabscheidung zu unterstützen.
Molekulare Formel: Ti₃SiC₂
Molekulargewicht: 195,87 g/mol
Erscheinungsbild: Graues Zielmaterial
Dichte: Ungefähr 4,5 g/cm³
Kristallstruktur: Hexagonal (P6₃/mmc, MAX-Phase)
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte
