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Gallium-Metall

Chemical Name:
Gallium-Metall
Formula:
Ga
Product No.:
3100
CAS No.:
7440-55-3
EINECS No.:
231-163-8
Form:
Barren
HazMat:
Class 8 / UN2803 / PG III
Product ID Formula Purity Dimension Inquiry
3100IG001 Ga 99.99% / Inquire
3100IG002 Ga 99.9999% / Inquire
3100IG003 Ga 99.999999% / Inquire
Product ID
3100IG001
Formula
Ga
Purity
99.99%
Dimension
/
Product ID
3100IG002
Formula
Ga
Purity
99.9999%
Dimension
/
Product ID
3100IG003
Formula
Ga
Purity
99.999999%
Dimension
/

Übersicht über Gallium-Metallbarren

Gallium-Metall
barren sind feste Barren, die aus hochreinem Galliummetall gegossen werden. Gallium ist ein einzigartiges Metall mit niedrigem Schmelzpunkt (Schmelzpunkt ca. 29,8 °C), das bei Raumtemperatur über seinem Schmelzpunkt flüssig bleibt. Galliumbarren werden in fester Form hergestellt, um die Lagerung und den Transport zu erleichtern. Als unverzichtbarer hochreiner Rohstoff für die Herstellung von Halbleiterverbindungen der dritten Generation (wie Galliumnitrid GaN und Galliumarsenid GaAs) wird es als „Halbleiterkorn“ der modernen Informationsindustrie gepriesen. Galliumbarren finden breite Anwendung in der drahtlosen Kommunikation, der hocheffizienten Optoelektronik und in anderen hochmodernen Technologiebereichen.

Wir bieten Gallium-Metallbarren in verschiedenen Reinheitsgraden und Gewichtsangaben an und unterstützen sowohl kleine Forschungs- und Entwicklungsversuche als auch die industrielle Beschaffung in großem Maßstab. Kontaktieren Sie uns
für ein Angebot.

Produkt-Highlights

Ultrahohe Reinheitsgrade
Einzigartiger physikalischer Zustand
Außergewöhnliche Eigenschaften als Halbleitermaterial
Strenge Kontrolle der chemischen Reinheit
Professionelle korrosionsbeständige versiegelte Verpackung

Anwendungen von Gallium-Metallbarren

Halbleiter
und Mikroelektronik: Dient als Kernmaterial für die Synthese von Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) und anderen Verbindungen, die bei der Herstellung von HF-Chips, Leistungsbauelementen und integrierten Hochgeschwindigkeitsschaltungen verwendet werden.
Optoelektronik
und Displays: Wird zur Herstellung von Laserdioden (LD), Leuchtdioden (LED), Mini-/Mikro-LED-Display-Chips und hocheffizienten Solarzellen verwendet.
Fortschrittliche Funktionsmaterialien: Dient als Grundmaterial für die Herstellung von galliumbasierten Flüssigmetallen, Legierungen mit niedrigem Schmelzpunkt oder speziellen Funktionsmaterialien für flexible Elektronik und tragbare Geräte.
Speziallegierungen und Additive: Dient als Legierungsadditiv zur Verbesserung der mechanischen Eigenschaften, Korrosionsbeständigkeit oder Verarbeitungsfluidität in Metallen wie Aluminium, Magnesium und Titan.

Häufig gestellte Fragen

F1: Wie sollten Galliumbarren gelagert werden?
A1: In Kunststoffbehältern verschließen und an einem kühlen Ort lagern. Verwenden Sie immer verschlossene Kunststoffbehälter (vermeiden Sie Glas) und lagern Sie sie in einer kühlen Umgebung (idealerweise unter 20 °C), um Schmelzen und Oxidation zu verhindern.

F2: Wie unterscheiden sich Gallium und Silizium in Halbleitern?
A2: Sie bieten sich ergänzende Eigenschaften. Silizium dominiert in integrierten Schaltkreisen; Galliumverbindungen (z. B. GaN, GaAs) zeichnen sich in Hochfrequenz-, Hochleistungs- und optoelektronischen Anwendungen (z. B. 5G-Basisstationen, Schnellladung, Laser) aus.

F3: Warum ist hochreines Gallium so teuer?
A3: Es ist selten und schwer zu reinigen. Gallium ist ein „Seltenerdmetall”, das nur in Spuren neben anderen Mineralien vorkommt. Die Gewinnung und die hochreine Veredelung (z. B. 6N oder höher) sind komplexe Prozesse mit extrem hohen Kosten.

F4: Wie wählt man den Reinheitsgrad aus?
A4: Entscheiden Sie sich anhand der Endanwendung. Die Synthese von High-End-Halbleitermaterialien (z. B. GaN-Epitaxie) erfordert in der Regel eine Reinheit von 6N (99,9999 %) oder höher; für bestimmte Legierungen oder Voruntersuchungen können Produkte der Reinheitsklasse 4N-5N ausreichend sein.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir bieten Komplettlösungen von hochreinen Rohstoffen bis hin zu spezialisierter Anwendungsunterstützung und sind Ihr zuverlässiger strategischer Partner für Metallwerkstoffe.

Molekulare Formel: Ga
Molekulargewicht: 69.723
Erscheinungsbild: Bläulich-weißes Weichmetall in festem Zustand, silbrig-weiß in flüssigem Zustand
Dichte: 5,904 g/cm³ (fest)
Schmelzpunkt: 29,76 °C
Siedepunkt: 2403 °C
Kristallstruktur: Orthorhombisch

Signalwort:
Warnung
Gefahrenhinweise:
H290: Kann auf Metalle ätzend wirken.
H302: Gesundheitsschädlich bei Verschlucken.
H412: Schädlich für Wasserorganismen, mit langfristiger Wirkung.

Innenverpackung: Doppellagige versiegelte Plastikbeutel oder Aluminiumfolienbeutel zum Schutz vor Feuchtigkeit und Auslaufen.
Außenverpackung: Je nach Gewicht Eisen- oder Fasertrommel mit verstärktem, versiegeltem Deckel.
Gefahrgutverpackung: UN-zertifizierte Verpackung gemäß den Vorschriften für den Transport gefährlicher Güter.

SKU 3100IG Kategorie Tags: Marke:

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