ULPMAT

ULPMAT ist ein professioneller Hersteller von Beschichtungsmaterialien, der sich der Lieferung von Sputtertargets und Verdampfungsmaterialien höchster Qualität verschrieben hat.

Wir bieten eine breite Palette von Sputtertargets an, darunter Metalle, Legierungen, Keramik und kundenspezifische Verbundwerkstofftargets. Ganz gleich, ob Sie flache oder rotierende Targets benötigen, wir verfügen über das Fachwissen, um eine breite Palette von Anwendungen abzudecken.

Produkt-Kategorien

Was sind Sputtering-Targets?
Sputtertargets sind die Kernkomponenten des Sputterprozesses. Sie dienen als Materialien, die von Hochgeschwindigkeits-Ionenstrahlen beschossen werden, um die Quellatome für die Abscheidung von Dünnschichten zu liefern. Bei der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), die bei der Herstellung elektronischer Geräte verwendet wird, spielen hochreine Sputtertargets eine entscheidende Rolle. Sie sind unverzichtbare Materialien für die Herstellung elektronischer Dünnschichten auf Oberflächen von Wafern, Displays, Solarzellen und anderen modernen Geräten.

Vereinfacht ausgedrückt sind Sputtering-Targets die Schlüsselmaterialien, die in der PVD-Technologie verwendet werden. Diese Technologie kann als mikroskopischer „Metalltransfer“ betrachtet werden, bei dem hochenergetische Teilchen auf die Oberfläche des Targets auftreffen, wodurch Atome herausgeschleudert – oder „gesputtert“ – werden und sich auf dem Substrat ablagern, um einen dünnen Film zu bilden. Das Sputtertarget dient bei diesem präzisen und kontrollierten Materialtransfer als „Rohmaterial“.

 

Klassifizierung von Sputtering-Targets

Nach Materialart:

  • Metallische Zielscheiben: Reine Metalle wie Silizium, Aluminium, Titan, Wolfram und andere.
  • Legierungs-Zielscheiben: Kombinationen aus zwei oder mehr Metallen, z.B. Wolfram-Molybdän- oder Titan-Aluminium-Legierungen.
  • Keramische Targets: Nicht-metallische Verbindungen wie Aluminiumoxid (Al₂O₃), Zinkoxid (ZnO) und Indium-Zinn-Oxid (ITO).
  • Zusammengesetzte Targets: Materialien, die aus mehreren Elementen bestehen, darunter Nitride, Karbide, Sulfide und Silizide.

Nach Form/Struktur:

  • Planare Targets: Kreisförmig, rechteckig, dreieckig, ringförmig; einfache flache Formen für Magnetron-Sputtering.
  • Rotierende Targets: Zylindrisch und rotierend während der Beschichtung; verbessert die Targetnutzung und die Gleichmäßigkeit der Beschichtung.

Sputtering Targets

 

Wie funktionieren Sputtering-Targets?

  • Gas-Ionisierung: Argongas wird in einer Vakuumkammer durch Hochspannung ionisiert, um hochenergetische Ionen zu erzeugen.
  • Ionenbombardement: Diese Ionen kollidieren mit der Oberfläche des Ziels und schleudern Atome aus dessen Gitter.
  • Dünnschichtabscheidung: Ausgeschleuderte Atome wandern und lagern sich auf dem Substrat ab und bilden einen dünnen Film.

Sputtering Arbeitsprinzip

 

Leistungsanforderungen für Sputtering-Targets

Reinheit: ≥ 99,9%, um die Qualität und die Eigenschaften des Films zu gewährleisten.

Dichte: Eine höhere Dichte verringert die Kontamination und verbessert die Gleichmäßigkeit.

Chemische Gleichmäßigkeit: Eine stabile Filmzusammensetzung hängt von der Homogenität des Materials ab.

Kristallstruktur: Optimiert für Effizienz und Ablagerungsqualität.

Formgenauigkeit: Muss mit den Spezifikationen des Geräts übereinstimmen, um eine stabile Montage zu gewährleisten.

Thermische Stabilität: Widersteht hohen Temperaturen und Partikeleinschlägen.

Korrosionsbeständigkeit: Verlängert die Lebensdauer des Ziels.

 

Methoden zur Herstellung von Sputtertargets

  1. Schmelzen und Gießen
    Materialien: Metalle und einige Legierungen
    Verfahren: Schmelzen unter Vakuum/Schutzgas → Gießen
    Vorteile: Geringe Kosten, große Targets, einheitliche Zusammensetzung
    Nachteile: Nicht für hochschmelzende/oxidierende Metalle
    Anwendungen: Al, Cu, Cr Targets
  2. Pulvermetallurgie (PM)
    Materialien: Metalle, Legierungen, Keramiken
    Verfahren: Pulvermischung → Verdichtung → Sintern
    Vorteile: Hohe Reinheit/Dichte, flexibel
    Nachteile: Empfindlich gegenüber Sinterbedingungen
    Anwendungen: Al₂O₃, ZnO, Ti-Al, Cr-Ni Targets

 

  1. Isostatisches Heißpressen (HIP)
    Materialien: Keramiken, Legierungen
    Verfahren: Pulver wird versiegelt und unter Hitze/Druck verdichtet
    Vorteile: Hohe Dichte, starke Ziele
    Nachteile: Hohe Kosten, ungeeignet für oxidationsanfällige Materialien
  2. Spark Plasma Sintering (SPS)
    Materialien: Legierungen, Keramiken
    Verfahren: Impulsstrom + Druck = schnelle Sinterung
    Vorteile: Schnell, feine Körner, behält die Zusammensetzung bei
    Nachteile: Kostspielig, nur im Labormaßstab
  3. Kaltpressen + Heißsintern
    Materialien: Metalle, Keramiken
    Verfahren: Kaltpressen → Sintern
    Vorteile: Kosteneffektiv, Formkontrolle
    Nachteile: Geringere Dichte als HIP

Eigenschaften von Sputtering-Targets

Reinheit: Minimiert Verunreinigungen, die die Filmqualität beeinträchtigen
Die Dichte: Verbessert die Sputtering-Leistung
Leitfähigkeit: Bewahrt die Prozessstabilität
Thermische Stabilität & Korrosionsbeständigkeit: Entscheidend für raue Bedingungen

Ziel Fertigungslinie

Anwendungsbereiche

  • Halbleiter: Abscheidung von Metall-/Dielektrikumsschichten für ICs
  • Displays: LCD-, OLED- und PDP-Filme (transparente Leiter, Leuchtstoffe)
  • Solarzellen: Dünnschichtabscheidung (Si, CIGS) für die Energieumwandlung
  • Optik: Antireflexion, Filter, Spiegelbeschichtungen
  • Luft- und Raumfahrt: Schützende, verschleißfeste Beschichtungen unter extremen Bedingungen

 

Nehmen Sie noch heute Kontakt mit uns auf, um Ihren Bedarf an Sputtertargets zu besprechen – und lassen Sie uns Ihnen helfen, außergewöhnliche Dünnschicht-Ergebnisse zu erzielen.

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