Bor

Bor sputtertargets werden aus hochreinem Bor hergestellt, das in der Regel dunkelgrau bis schwarz ist, metallisch glänzt und eine atomare Kristallstruktur aufweist. Mit ihrer hohen Härte, ihrem hohen Schmelzpunkt und ihrer ausgezeichneten chemischen Stabilität ermöglichen Bor-Targets die Abscheidung dichter, gleichmäßiger und gut haftender Dünnschichten. Sie finden breite Anwendung in der Halbleiterindustrie, der Optoelektronik, der optischen Beschichtung und der Hartbeschichtung, einschließlich der Herstellung von Bor-Dünnschichten, Borid-Dünnschichten (wie B₄C, TiB₂, MoB₂) und Bor-dotierten Halbleiterschichten. Bor-Targets können in kreisförmigen, rechteckigen oder anderen kundenspezifischen Formen hergestellt werden, um unterschiedlichen Prozessanforderungen gerecht zu werden

Hauptmerkmale und Vorteile

Hohe Reinheit: Standard ≥99,5%, Ultrahochreinheit bis zu ≥99,9% Ausgezeichnete physikalische Eigenschaften: Hoher Schmelzpunkt (~2076 °C), hohe Härte (Mohs ~9,3) Starke chemische Stabilität: Beständig gegen Säuren und Laugen bei Raumtemperatur Hervorragende Filmqualität: Produziert dichte, gleichmäßige Filme mit starker Haftung Anpassbare Spezifikationen: Größe, Form und Reinheit auf Anfrage erhältlich

Anwendungen von Bor-Sputter-Targets

Halbleiterindustrie: Bor-Sputter-Targets werden für bordotierte Siliziumschichten und die Herstellung von P-Typ-Halbleitern verwendetOptische Beschichtungen: Verschleißfeste, hochtemperaturbeständige, antireflektierende SchichtenHarte Beschichtungen: Herstellung von Beschichtungen wie Borkarbid (B₄C) und Titandiborid (TiB₂)Nuklearindustrie: Bor-Sputter-Targets werden für Dünnschichten mit hohem Neutronenabsorptionsvermögen verwendet

Handhabung und Lagerung

Verwenden Sie bei der Handhabung saubere Handschuhe oder Fingerlinge, um Verunreinigungen zu vermeiden. Lagern Sie es in einer versiegelten, feuchtigkeitsdichten Verpackung in einer kühlen, trockenen und sauberen Umgebung. Von starken Oxidationsmitteln, Halogenen und Quellen mechanischer Stöße fernhalten.