Silizium
wafer sind plattenförmige Substratmaterialien aus einkristallinem oder polykristallinem Silizium und ein Kernmaterial in der Halbleiter- und Mikroelektronikfertigung. Sie finden breite Anwendung in integrierten Schaltkreisen, Leistungsbauelementen, MEMS, Sensoren und der Entwicklung wissenschaftlicher Forschungsprozesse.
Wir bieten Si-Wafer in verschiedenen Spezifikationen an, um unterschiedliche Prozesswege und Anwendungsanforderungen zu unterstützen. Für technische Informationen und Angebote wenden Sie sich
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Stabile Kristallstruktur
Kontrollierbare Oberflächenqualität
Geeignet für verschiedene Mikrofabrikationsprozesse
Hohe Prozesskompatibilität
Flexible Auswahl an Größen und Spezifikationen
Gute Chargenkonsistenz
Herstellung integrierter Schaltkreise:
Si-Wafer dienen als Basissubstrat für integrierte Schaltkreise, unterstützen mehrschichtige Bauelementstrukturen und sind ein wichtiger Werkstoff im Chip-Herstellungsprozess.
Leistungs- und diskrete Bauelemente:
In den Bereichen Leistungshalbleiter und diskrete Bauelemente werden Si-Wafer verwendet, um stabile Bauelementstrukturen zu schaffen, die den elektrischen und thermischen Anforderungen entsprechen.
MEMS und Sensoren:
Weit verbreitet in der Herstellung von mikroelektromechanischen Systemen und Sensoren, geeignet für Ätz-, Abscheidungs- und Mikrostrukturfertigungsprozesse.
Wissenschaftliche Forschung und Prozessentwicklung:
Geeignet für die Verifizierung neuer Prozesse, die Erforschung von Bauelementstrukturen und die Prüfung der Materialleistung in Universitäten und Forschungseinrichtungen.
F1: Was sind einige gängige Anwendungen von Siliziumwafern?
A1: Sie werden hauptsächlich in der Halbleiterbauelementfertigung, in mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), Sensoren und in der Mikro-/Nanofabrikationsforschung eingesetzt.
F2: Werden bei der Verarbeitung hohe Anforderungen an die Oberflächenqualität von Siliziumwafern gestellt?
A2: Im Allgemeinen ist eine gute Oberflächenbeschaffenheit erforderlich, um die Anforderungen nachfolgender Prozesse wie Fotolithografie, Abscheidung und Ätzen zu erfüllen.
F3: Können Siliziumwafer für Dünnschichtabscheidungsversuche verwendet werden?
A3: Ja, sie sind häufig verwendete Substrate für die Dünnschichtabscheidung und eignen sich für Prozesse wie Sputtern, Verdampfen und chemische Gasphasenabscheidung.
F4: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Lagerung und Verwendung von Siliziumwafern getroffen werden?
A4: Es wird empfohlen, sie in einer sauberen, trockenen Umgebung zu lagern, um mechanische Beschädigungen und Oberflächenverunreinigungen zu vermeiden.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir konzentrieren uns auf die anwendungsorientierte Lieferung von Halbleitern und Funktionsmaterialien und legen dabei besonderen Wert auf die Anpassungsfähigkeit und Stabilität der Wafer in tatsächlichen Prozessen. Wir bieten unseren Kunden klare Parameter, eine stabile Lieferung und eine effiziente Kommunikationsunterstützung.
Molekulare Formel: Si
Molekulargewicht: 28,09 g/mol
Erscheinungsbild: Silbergraues Plättchen
Dichte: 2,33 g/cm³
Schmelzpunkt: 1414 °C
Siedepunkt: 3265 °C
Kristallstruktur: Diamantkubisches System
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
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