Siliziumdioxid

Übersicht über Siliziumdioxid-Wafer

Siliziumdioxid
-Wafer sind hochreine Siliziumoxidplatten mit ausgezeichneter thermischer Stabilität, chemischer Inertheit und Oberflächenebenheit. Sie finden breite Anwendung in der Halbleiterfertigung, in mikroelektronischen Bauelementen und bei der Abscheidung optischer
Dünnschichten.

Wir bieten SiO2-Wafer in verschiedenen Spezifikationen an und unterstützen Sie bei der technischen Integration hinsichtlich Größe, Dicke und Prozessanpassung. Kontaktieren Sie uns
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Produkt-Highlights

Hohe thermische Stabilität und chemische Inertheit
Glatte Oberfläche mit hoher Ebenheit
Anpassbare Größe und Dicke
Geeignet für Halbleiter- und optische Dünnschichtprozesse
Starke Prozesskompatibilität

Anwendungen von Siliziumdioxid-Wafern

Halbleiterbau:
SiO₂-Wafer können als Substrate oder Isoliermaterialien für elektronische Geräte verwendet werden und verbessern so die Leistung und Zuverlässigkeit der Geräte.
Mikroelektronische Dünnschichtabscheidung:
Wird für die Herstellung mikroelektronischer Dünnschichten verwendet und gewährleistet die Haftung der Schicht und eine gleichmäßige Dicke.
Optische Dünnschichtanwendungen:
Geeignet für die Herstellung von optischen Funktionsschichten, Antireflexschichten und transparenten leitfähigen Schichten.
Forschung und Prozessvalidierung:
Unterstützt die Forschung zu neuen Materialien und Dünnschichtprozessen und validiert Abscheidungsparameter und Prozesseffekte.

Häufig gestellte Fragen

F1: In welchen Prozessen können SiO₂-Wafer verwendet werden?
A1: Sie werden hauptsächlich in der Halbleiterbauelementfertigung, der mikroelektronischen Dünnschichtabscheidung und der Herstellung optischer Dünnschichten verwendet.

F2: Sind Siliziumdioxid-Wafer in Hochtemperaturprozessen stabil?
A2: SiO₂-Wafer haben eine hohe thermische Stabilität und können ihre Struktur und Leistung in Hochtemperaturprozessen beibehalten.

F3: Hat die Oberflächenebenheit des Wafers Auswirkungen auf die Anwendung?
A3: Eine hohe Ebenheit gewährleistet eine gleichmäßige Dünnschichtabscheidung und eine konsistente Geräteleistung.

F4: Können SiO₂-Wafer direkt für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden?
A4: Ja, sie eignen sich für Substrate, die bei der Abscheidung von Halbleiter- und optischen Funktionsdünnschichten verwendet werden.

Berichte

Jede Charge wird mit folgenden Dokumenten geliefert:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Größenprüfbericht
Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich.

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir verfügen über umfangreiche Erfahrung im Bereich der Lieferung von Siliziumoxid-Wafern und können hochstabile, rückverfolgbare SiO₂-Wafer liefern, um Kunden dabei zu unterstützen, während der Forschungs- und Entwicklungsphase sowie der Anwendungsphase Konsistenz und Zuverlässigkeit bei der Dünnschichtabscheidung und der Geräteherstellung zu erreichen.