| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 3200ST001 | Ge | 99.999% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 3200ST002 | Ge | 99.999% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 3200ST003 | Ge | 99.999% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 3200ST004 | Ge | 99.999% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 3200ST005 | Ge | 99.999% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 3200ST006 | Ge | 99.999% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 3200ST007 | Ge | 99.999% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 3200ST008 | Ge | 99.999% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
Germanium-Metall
-Sputtertargets sind dichte, feste Platten, die aus hochreinem Germaniummetall durch präzise metallurgische Verfahren (wie Schmelzen und Heißpressen) hergestellt werden. Sie weisen einen silbergrauen Metallglanz mit einer überwiegend polykristallinen Kristallstruktur auf. Als zentrale Verbrauchsmaterialien in physikalischen Gasphasenabscheidungsprozessen (PVD) werden sie zur Abscheidung von Hochleistungs-Germaniumschichten auf Substraten oder als Dotierungsquellen verwendet.
Wir bieten Germanium-Metall-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden, Formen und Größen an, wobei auch Bonding-Dienstleistungen (Schweißen von Kupfer-/Aluminium-Trägerplatten) verfügbar sind. Kontaktieren Sie uns
für ein Angebot.
Ultrahohe Reinheit
Hohe Dichte, geringe Porosität
Hervorragende Mikrostruktur-Gleichmäßigkeit
Verbindungsservice verfügbar
Präzise Kontrolle von Abmessungen und Toleranzen
Halbleiter
und Mikroelektronik: Verwendung zur Abscheidung von Germanium- oder Silizium-Germanium-Schichten als Kanalmaterialien in Hochgeschwindigkeitstransistoren zur Verbesserung der Geräteleistung. Als Dotierungsquelle wird Germanium in Halbleiterprozessen eingesetzt, um die Bandstruktur des Materials anzupassen.
Infrarotoptik
und -detektion: Wird zur Abscheidung von infrarotreflektierenden Beschichtungen, Schutzfilmen oder zur Herstellung von Germanium-Dünnschichtdetektoren auf optischen Substraten verwendet. Bereitet Beschichtungsmaterialien vor, die für Infrarotlinsen in Wärmebildsystemen erforderlich sind.
Photovoltaik und neue Energien: Wird zur Herstellung von Germanium-Substratfilmen oder Pufferschichten verwendet, die für hocheffiziente III-V-Solarzellen (z. B. Galliumarsenid) erforderlich sind. Dient als wichtige Funktionsschicht in neuartigen Dünnschicht-Solarzellen (z. B. Perowskit/Germanium-Tandemzellen).
Datenspeicherung und Funktionsbeschichtungen: Wird zum Aufbringen von Germanium-Antimon-Tellur-Legierungsfilmen in Phasenwechsel-Speichern verwendet. Als verschleißfestes, korrosionsbeständiges Funktionsbeschichtungsmaterial, das auf Oberflächen von Präzisionskomponenten aufgebracht wird.
F1: Was sind die Hauptunterschiede zwischen Germanium- und Siliziumtargets?
A1: Germaniumtargets werden für die Abscheidung von infrarotdurchlässigen Filmen mit hoher Mobilität verwendet, die für hochwertige Optiken und Spezialgeräte geeignet sind; Siliziumtargets sind kostengünstig und der absolute Mainstream für die Beschichtung integrierter Schaltkreise.
F2: Welcher Reinheitsgrad ist erforderlich?
A2: Das hängt von der Anwendung ab. In der Infrarotoptik wird in der Regel 5N (99,999 %) verwendet, während für High-End-Halbleiterbauelemente 6N (99,9999 %) oder höher erforderlich ist.
F3: Bieten Sie Bonding-Dienstleistungen an?
A3: Ja. Wir bieten professionelle Bonding-Dienstleistungen für Targets und Trägerplatten (in der Regel Kupfer-Trägerplatten) an, um die Wärmeableitung und die Stabilität der Installation zu gewährleisten und gebrauchsfertige Targets zu liefern.
F4: Wie sollten Targets gelagert und gepflegt werden?
A4: Lagern Sie sie versiegelt in einer trockenen, sauberen Umgebung. Reinigen Sie die Target-Oberfläche nach dem Gebrauch, um Verunreinigungen zu vermeiden. Achten Sie beim Transport auf Stoßschutz, um Risse in spröden Targets zu vermeiden.
Bericht
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich.
Wir bieten Ihnen Komplettlösungen für Targets, von hochreinen Materialien bis hin zu Präzisionsbearbeitung, Verklebung und Prüfung – Ihr zuverlässiger Partner für die Entwicklung fortschrittlicher Dünnschichttechnologien.
Molekulare Formel: Ge
Molekulargewicht: 72.63
Erscheinungsbild: Grauweißer Feststoff mit Metallglanz
Dichte: 5,35 g/cm³
Schmelzpunkt: 938,25 °C
Siedepunkt: 2833 °C
Kristallstruktur: Diamantkubische Struktur, Raumgruppe Fd-3m
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte