Galliumtellurid
-Granulat ist ein III-VI-Verbindungshalbleitermaterial, das aus Gallium und Tellur besteht und die chemische Formel Ga₂Te₃ hat. Das Produkt erscheint in der Regel als metallisch glänzende grau-schwarze Partikel oder als Schüttgut. Es besitzt eine schmale Bandlücke (ca. 0,7–1,7 eV) und weist einzigartige thermoelektrische Eigenschaften, infrarote optische Eigenschaften und Phasenwechselverhalten auf. Es dient als wichtiger Rohstoff für die Herstellung von Detektoren für den mittleren bis fernen Infrarotbereich, hocheffizienten thermoelektrischen Wandlern und neuartigen Phasenwechsel-Speichermaterialien.
Wir bieten hochreine Ga2Te3-Granulate in verschiedenen Reinheitsgraden und Partikelgrößen an, mit professioneller kundenspezifischer Verpackung. Kontaktieren Sie uns
für Muster.
Hochreines Halbleitermaterial
Schmale Bandlücke und Infraroteigenschaften
Hervorragende thermoelektrische Leistung
Potenzial als Phasenwechselmaterial
Stabile chemische Eigenschaften
Infrarotdetektion und Optik: Material zur Herstellung von Fotodetektoren, Sensoren und optischen Infrarotkomponenten im mittleren bis fernen Infrarotspektrum.
Thermoelektrische Wandler: Kernmaterial für die Herstellung von thermoelektrischen Leistungsmodulen, die industrielle Abwärme direkt in Strom umwandeln.
Phasenwechsel-Speichermaterialien: Anwendung in der Forschung zu Phasenwechsel-Speichern (PCM) der nächsten Generation, wobei der schnelle reversible Übergang zwischen kristallinem und amorphem Zustand für die Datenspeicherung genutzt wird. Halbleiterbauelementforschung: Als Halbleiter mit schmaler Bandlücke wird es in der Grundlagenforschung der Physik und bei der Erforschung neuartiger Hochgeschwindigkeits-Elektronikbauelemente verwendet.
F1: Wie sollten Ga2Te3-Granulate gelagert werden?
A1: In verschlossenen, trockenen und lichtgeschützten Behältern lagern. In einer inerten Atmosphäre oder Vakuumumgebung aufbewahren, streng von Luft und Feuchtigkeit isoliert, um Oxidation zu verhindern.
F2: Ist die Verwendung sicher?
A2: Tellurverbindungen sind giftig und erfordern Schutzmaßnahmen. Tragen Sie bei der Handhabung Schutzausrüstung, arbeiten Sie in einem gut belüfteten Bereich und vermeiden Sie das Einatmen oder Hautkontakt.
F3: Wie sollte die Reinheit ausgewählt werden?
A3: Das hängt von der Endanwendung ab. Für die Grundlagenforschung ist die Reinheitsklasse 4N (99,99 %) ausreichend; für die Herstellung von Hochleistungsgeräten wird eine Reinheit von 5N (99,999 %) oder höher empfohlen.
F4: Was sind die wichtigsten Vorteile?
A4: Schmale Bandlücke und hohe thermoelektrische Gütezahl. Es reagiert effektiv auf Infrarotlicht und wandelt Wärmeenergie effizient in Elektrizität um, wodurch es in bestimmten Anwendungen eine hervorragende Leistung erbringt.
Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir sind auf spezielle Halbleitermaterialien wie Telluride spezialisiert und bieten Ihnen hochreine, zuverlässige Ga₂Te₃-Produkte und kompetente Unterstützung.
Molekulare Formel: Ga₂Te₃
Molekulargewicht: 583,92 g/mol
Erscheinungsbild: Grauschwarzes Granulat
Dichte: Ungefähr 5,57 g/cm³
Kristallstruktur: Defekte Zinkblende, kubisches Kristallsystem
Signalwort:
Gefahr
Gefahrenhinweise:
H290: Kann auf Metalle ätzend wirken.
H301: Giftig bei Verschlucken.
H314: Verursacht schwere Verätzungen der Haut und Augenschäden.
H317: Kann allergische Hautreaktionen verursachen.
H332: Gesundheitsschädlich beim Einatmen.
H335: Kann die Atemwege reizen.
H360: Kann die Fruchtbarkeit oder das Kind im Mutterleib schädigen.
H412: Schädlich für Wasserorganismen, mit langfristiger Wirkung.
Innenverpackung: Doppellagige versiegelte Plastikbeutel oder Aluminiumfolienbeutel zum Schutz vor Feuchtigkeit und Auslaufen.
Außenverpackung: Je nach Gewicht Eisen- oder Fasertrommel mit verstärktem, versiegeltem Deckel.
Gefahrgutverpackung: UN-zertifizierte Verpackung gemäß den Vorschriften für den Transport gefährlicher Güter.
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