Galliumnitrid

Übersicht über Galliumnitrid-Sputter-Targets

Galliumnitrid
-Sputter-Targets sind spezielle Keramik-Targets, die aus hochreinem Galliumnitrid (GaN) hergestellt werden. Sie vereinen alle herausragenden Eigenschaften von GaN als Halbleitermaterial der dritten Generation mit großer Bandlücke. Als Kernmaterial für die Herstellung von hochleistungsfähigen GaN-Dünnschichten mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD) bietet es wichtige Dünnschichtlösungen für die Herstellung fortschrittlicher optoelektronischer, HF- und Leistungshalbleiterbauelemente.

Wir bieten hochwertige GaN-Keramik-Sputter-Targets in verschiedenen Reinheitsgraden, Größen, Kristallphasen und Leitfähigkeitstypen sowie professionelle Bonding-Dienstleistungen. Kontaktieren Sie uns.

Produkt-Highlights

Hohe Reinheit
Halbleitermaterial mit großer Bandlücke (~3,4 eV)
Hohe Dichte, geringe Porosität
Hervorragende Mikrostruktur-Homogenität
Verbindung mit Trägerplatte möglich

Anwendungen von GaN-Sputter-Targets

Optoelektronik und Displays: Verwendung zur Abscheidung von GaN-Schichten zur Herstellung von blauen/grünen LEDs, Laserdioden und Micro-LED-Display-Chips.
HF- und Mikrowellenkommunikation: Herstellung von leistungsstarken, hocheffizienten HF-Chips und Leistungsverstärkern für 5G/6G-Basisstationen und Radarsysteme.
Leistungselektronik und Schnellladung: Abscheidung von Schichten zur Herstellung hocheffizienter, kompakter Energieumwandlungsgeräte für Fahrzeuge mit neuen Energien und Schnellladegeräte.
Grenzüberschreitende und interdisziplinäre Forschung: Dient als hochleistungsfähige Dünnschichtquelle für bahnbrechende Forschungen im Bereich neuartiger Sensoren, Quantenbauelemente und Spintronik.

Häufig gestellte Fragen

F1: Was sind die Hauptvorteile von GaN-Targets?
A1: Die wichtigsten Vorteile sind hohe Frequenz, hoher Wirkungsgrad und hohe Spannungsfestigkeit. Dank ihrer Eigenschaften als Breitspaltmaterial können Bauelemente mit höheren Frequenzen, Leistungsstufen und Temperaturen betrieben werden und übertreffen damit herkömmliche Siliziummaterialien deutlich.

F2: Welcher Reinheitsgrad ist erforderlich?
A2: Für die Herstellung von High-End-Geräten ist in der Regel eine Reinheit von 99,999 % (5N) oder höher erforderlich, um optimale elektrische Eigenschaften der Dünnschicht zu gewährleisten.

F3: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Verwendung und Lagerung getroffen werden?
A3: Targets sind spröde und müssen vorsichtig behandelt werden, um Beschädigungen durch Stöße zu vermeiden. Lagern Sie sie in verschlossenen, feuchtigkeitsgeschützten Behältern in einer sauberen, trockenen Umgebung.

F4: Wie wählt man den geeigneten Leitfähigkeitstyp aus?
A4: Dies hängt vom Gerätedesign ab. N-Typ-Targets werden für die Herstellung von Elektronentransportschichten verwendet, während halbisolierende Targets für Bereiche geeignet sind, die eine Isolierung mit hohem Widerstand erfordern.

Bericht

Jede Charge wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)

Technisches Datenblatt (TDS)

Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich

Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?

Wir bieten hochwertige GaN-Targets mit hervorragender Leistung und zuverlässiger Stabilität. Mit unserem Fachwissen bieten wir umfassende Lösungen von der Materialauswahl bis zum Anwendungssupport.