| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 2949313400ST001 | CuInGaSe | 99.99% | Ø 25.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 2949313400ST002 | CuInGaSe | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 2949313400ST003 | CuInGaSe | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 2949313400ST004 | CuInGaSe | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 2949313400ST005 | CuInGaSe | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 2949313400ST006 | CuInGaSe | 99.99% | Ø 203.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
Sputtertargets aus
Kupfer-Indium-Gallium-Selenid
werden in erster Linie zur Herstellung hochgradig gleichmäßiger Dünnschichten aus Verbindungshalbleitern verwendet, die in optoelektronischen Funktionsdünnschichten und der damit verbundenen Materialforschung weit verbreitet sind.
Wir können Sputtertargets mit unterschiedlichen Elementverhältnissen, Größen und Strukturen liefern und unterstützen die Anpassung
an Prozessanforderungen. Bitte kontaktieren Sie uns
für Lösungen.
Stabile Mehrkomponenten-Stöchiometrie
Hohe Targetdichte
Gleichmäßige Sputterrate
Gute Konsistenz der Filmzusammensetzung
Geeignet für kontinuierliche Abscheidungsprozesse
Unterstützt die Entwicklung komplexer Dünnschichtstrukturen
Herstellung von Dünnschicht-Solar
absorberlagen: Dieses Target wird häufig zur Abscheidung von funktionalen Absorberlagen verwendet. Durch Anpassung der Zusammensetzung lassen sich Leistungsoptimierungen und Strukturverifizierungen erzielen.
Forschung zu optoelektronischen Funktionsdünnschichten: Durch Sputterverfahren hergestellte Dünnschichten eignen sich zum Testen wichtiger Leistungsaspekte wie Lichtabsorption und elektrische Reaktion. Erforschung von
Halbleiter
materialprozessen: In Verbindungshalbleitersystemen hilft dieses Material dabei, den Einfluss von Abscheidungsparametern auf die Dünnschichtqualität zu untersuchen.
F1: Kann das Elementverhältnis an bestimmte Anwendungen angepasst werden?
A1: Ja, die Zusammensetzung des Targets kann entsprechend den Anforderungen der Ziel-Dünnschicht entworfen und hergestellt werden.
F2: Neigt das Target während des Sputterns zu Abweichungen in der Zusammensetzung?
A2: Innerhalb eines angemessenen Prozessfensters bleibt die Zusammensetzung der Schicht stabil.
F3: Ist es eher für DC- oder RF-Sputtern geeignet?
A3: Es ist mit mehreren Sputtermodi kompatibel; der spezifische Modus muss entsprechend den Gerätebedingungen ausgewählt werden.
F4: Was ist bei der Lagerung und dem Transport des Targets zu beachten?
A4: Um Feuchtigkeit und mechanische Erschütterungen zu vermeiden, wird eine Vakuum- oder Inertgasverpackung empfohlen.
Jede Charge wird mit folgenden Unterlagen geliefert:
Analysezertifikat (COA)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Testberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich
Wir verfügen über umfassende Erfahrung in der Herstellung und Qualitätskontrolle von Sputtertargets für Verbindungshalbleiter. Von der Zusammensetzung über das Sintern bis hin zur Prüfung des Endprodukts verfügen wir über ausgereifte Prozesse, um unseren Kunden eine stabile und zuverlässige Materialkonsistenz, flexible Anpassungsmöglichkeiten und eine kontinuierlich kontrollierbare Liefergarantie zu bieten und so die effiziente Weiterentwicklung wissenschaftlicher Forschungs- und Industrieprojekte zu unterstützen.
Chemische Formel: CuInGaSe₂
Erscheinungsbild: Dunkelgraues bis schwarzes, dichtes Sputtertarget
Kristallstruktur: Tetragonal
Innenverpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kartons, um Verunreinigungen und Feuchtigkeit zu vermeiden.
Außenverpackung: Kartons oder Holzkisten, ausgewählt nach Größe und Gewicht.
Wenn Sie einen Service benötigen, kontaktieren Sie uns bitte