| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 49083008500800ST001 | In2O3:ZnO:SnO2 (90:7:3 wt%) | 99.99% | Ø 25.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 49083008500800ST002 | In2O3:ZnO:SnO2 (90:7:3 wt%) | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 49083008500800ST003 | In2O3:ZnO:SnO2 (90:7:3 wt%) | 99.99% | Ø 76.2 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 49083008500800ST004 | In2O3:ZnO:SnO2 (90:7:3 wt%) | 99.99% | Ø 101.6 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 49083008500800ST005 | In2O3:ZnO:SnO2 (90:7:3 wt%) | 99.99% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
Indium-Zink-Zinn-Oxid ist ein hochreines Verbundmaterial, das in der Dünnschichtelektronik, in optoelektronischen Geräten und in Anwendungen mit transparentem leitfähigem Oxid (TCO) weit verbreitet ist. Mit seiner ausgezeichneten elektrischen Leitfähigkeit, optischen Transparenz und gleichmäßigen Filmbildung spielt das Indium-Zink-Zinn-Oxid-Sputter-Target eine wesentliche Rolle bei der Dünnfilmabscheidung für fortschrittliche Display-, Solar- und Halbleitertechnologien. Unsere Targets gewährleisten eine Reinheit von 99,99 % (4N), eine dichte Struktur und eine stabile Sputterleistung für industrielle und Forschungsanwendungen.
Wir liefern hochwertige IZTO-Sputtertargets für Forschungseinrichtungen und Hersteller. Anpassbar verhältnis.Kontaktieren Sie uns für den besten Preis und technische Unterstützung.
Hervorragende Reinheit: 99,99% (4N) Reinheit erfüllt die strengen Anforderungen für TCO- und Dünnschichtanwendungen.
Anpassbar Zusammensetzung: Das Verhältnis von In:Zn:Sn und die Abmessungen des Targets können je nach Ablagerungsanforderungen angepasst werden.
Hohe Leistung: Ausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit, optische Transparenz und stabile Sputtereigenschaften.
Stabiles Material: Die dichte Struktur, die einheitliche Zusammensetzung und der geringe Gehalt an Verunreinigungen gewährleisten reproduzierbare Dünnschichtergebnisse.
Dünnschicht-Elektronik: Anwendung in transparenten Elektroden, Dünnschichttransistoren und Anzeigetafeln.
Optoelektronische Geräte: Verwendet in OLEDs, Photodetektoren, Infrarotsensoren und Touchpanels.
Solarzellen: Geeignet für Puffer- und transparente Elektrodenschichten in CIGS- und anderen modernen Solarzellen.
Forschung und Entwicklung: Weit verbreitet in Labors für Materialwissenschaft und Geräteforschung.
Energiegeräte: Anwendung in transparenten leitfähigen Filmen für Anwendungen zur Energiespeicherung und -umwandlung.
Branchenkenntnis: Spezialisiert auf die Lieferung hochreiner Sputtertargets für TCO- und Dünnschichttechnologien.
Maßgeschneiderte Lösungen: Flexibel in Bezug auf Targetzusammensetzung, Abmessungen und Reinheitsspezifikationen.
Zuverlässige Qualität: Strenge Verunreinigungskontrolle, dichte Struktur und einheitliche Zusammensetzung gewährleisten eine stabile Leistung.
Globale Lieferung: Schneller, sicherer Versand weltweit mit Schutzverpackung.
Technische Unterstützung: Ein professionelles Team bietet umfassende technische Dokumentation und Beratung.
F1. Wie hoch ist der Reinheitsgrad Ihrer Indium-Zink-Zinn-Oxid (IZTO)-Sputtertargets?
A1. Unsere Targets haben eine Standardreinheit von 99,99 % (4N) und gewährleisten zuverlässige Ergebnisse für fortschrittliche Dünnschicht- und optoelektronische Anwendungen.
F2. Kann die Zusammensetzung oder Targetgröße von In2O3-ZnO-SnO2-Targets angepasst werden?
A2. Ja, wir bieten anpassbare In:Zn:Sn-Verhältnisse und Targetabmessungen entsprechend den Anforderungen Ihres Beschichtungssystems.
F3. Wie sollten In2O3-ZnO-SnO2-Sputtertargets gelagert werden?
A3. Lagern Sie die Targets in einer kühlen, trockenen Umgebung, fern von Feuchtigkeit und Verunreinigungen, in einer Schutzverpackung.
F4. In welchen Branchen werden In2O3-ZnO-SnO2-Sputtertargets verwendet?
A4. Weit verbreitet in der Dünnschichtelektronik, Optoelektronik, Solarzellen, Halbleitern und in Forschungslabors.
Berichte
Jede Charge von Produkten wird geliefert mit:
Zertifikat der Analyse (COA)
Technisches Datenblatt (TDS)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Prüfberichte von Dritten sind auf Anfrage erhältlich, um Industrie- und Forschungsstandards zu erfüllen.
Chemische Formel: In₂O₃-ZnO-SnO₂
Erscheinungsbild: Off-white oder silbergraue dichte Scheibe
Schmelzpunkt: ~1900°C
Siedepunkt: ~2000°C
Kristallstruktur: Kubisch (In₂O₃ als Hauptphase)
Bindungsmethode: Klebebindung oder mechanische Befestigung möglich
Auswahl der Trägerplatte: Kupfer (Cu), Aluminium (Al) oder Edelstahl (SS), wählbar je nach Zielgröße und Abscheidungsausrüstung
Innere Verpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kisten zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.
Äußere Verpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.
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