Indium-Oxid-Gallium-Oxid (In2O3-Ga2O3) ist ein hochreines keramisches Material, das in der transparenten Elektronik, in optoelektronischen Geräten und in der modernen Halbleiterforschung weit verbreitet ist. Mit seiner ausgezeichneten optischen Transparenz, seiner stabilen elektrischen Leitfähigkeit und seinen hervorragenden thermischen Eigenschaften ist das In2O3-Ga2O3-Target ideal für die Abscheidung von Dünnschichten in der Displaytechnologie, der Leistungselektronik und den optoelektronischen Komponenten der nächsten Generation.
Unsere In2O3-Ga2O3-Sputtertargets werden mit einer Reinheit von 99,99 % (4N), hoher Dichte und gleichmäßiger Mikrostruktur hergestellt und gewährleisten eine gleichbleibende Dünnschichtleistung und Reproduzierbarkeit für industrielle und akademische Anwendungen.
Hohe Reinheit: 99,99% (4N) gewährleistet zuverlässige optische und elektronische Leistung.
Stabile Mikrostruktur: Dicht und gleichmäßig für verbesserte Sputtering-Effizienz.
Ausgezeichnete Transparenz: Geeignet für transparente leitfähige und funktionelle dünne Schichten.
Thermische Stabilität: Hält Hochtemperatur-Dünnschichtabscheidungsprozessen stand.
Flexible Spezifikationen: Runde, rechteckige oder kundenspezifische Formen verfügbar.
Transparente Elektronik: Wird in transparenten leitenden Schichten und Dünnschichtgeräten verwendet.
Optoelektronische Geräte: Angewandt in Sensoren, Detektoren und modernen optischen Beschichtungen.
Dünnfilmtransistoren (TFTs): Funktionsschichten für Display-Backplanes.
Leistungselektronik: Ga₂O₃ verbessert die Leistung bei hohen Spannungen und hohen Frequenzen.
F&E-Materialien: Weit verbreitet in Laboratorien für die Halbleiter- und Materialwissenschaftliche Forschung.
Professionelle Herstellung: Wir konzentrieren uns auf die Lieferung von hochreinen Oxid- und Halbleiter-Sputter-Targets.
Kundenspezifisch Spezifikationen: Unterstützung der kundenspezifischen Anpassung von Targetgröße, Reinheit und Zusammensetzungsverhältnis.
Strenge Qualitätskontrolle: Einsatz der ICP-MS-Verunreinigungsanalyse zur Gewährleistung eines niedrigen Verunreinigungsgrads.
Weltweite Lieferung: Sichere Verpackung und schneller Logistikservice.
Technische Unterstützung: Jede Produktcharge wird mit einem vollständigen COA-, TDS-, MSDS- und Verunreinigungsanalysebericht geliefert.
F1. Welchen Reinheitsgrad bieten Sie für Indiumoxid-Galliumoxid-Sputtertargets an?
A1. Die Standardreinheit beträgt 99,99 % (4N). Höhere Reinheiten sind auf Anfrage erhältlich.
F2. Können Sie verschiedene Formen und Abmessungen liefern?
A2. Ja, wir bieten kreisförmige, rechteckige und kundenspezifische Formen je nach Kundenwunsch an.
F3. Welche Optionen für die Trägerplatte sind verfügbar?
A3. Wir bieten Cu-, Mo- und Al-Trägerplatten an, je nach Abscheidungsanforderungen.
F4. Wie sind die Targets verpackt?
A4. Vakuumversiegelt und mit einer stoßfesten Verpackung geschützt, um eine sichere Lieferung zu gewährleisten.
F5. In welchen Branchen werden In2O3-Ga2O3-Targets hauptsächlich verwendet?
A5. Sie werden in transparenten, leitfähigen Filmen, in der Optoelektronik, in TFT-Displays und in der Leistungselektronikforschung verwendet.
Jede Charge wird mit folgenden Berichten geliefert:
Analysezertifikat (COA)
Technisches Datenblatt (TDS)
Material-Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Prüfberichte von Dritten sind auf Anfrage erhältlich.
Molekulare Formel: In₂O₃-Ga₂O₃
Äußeres Erscheinungsbild: Off-white oder hellgraue dichte Keramikscheibe
Kristallstruktur: Kubisch (In₂O₃ Primärphase), Monoklin/Orthorhombisch (Ga₂O₃-Phase)
Bindungsmethode: Erhältlich in ungebundener, In₂O₃-Bindung oder mechanisch befestigt
Trägerplatten-Optionen: Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Aluminium (Al), anpassbar auf Anfrage
Innere Verpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kisten zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.
Äußere Verpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.
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