| Product ID | Formula | Purity | Dimension | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| 49083108300800ST001 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 50.8 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 49083108300800ST002 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 50.8 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 49083108300800ST003 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 76.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 49083108300800ST004 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 101.6 mm x 4 mm | Inquire |
| 49083108300800ST005 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 101.6 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 49083108300800ST006 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 152.4 mm x 3.175 mm | Inquire |
| 49083108300800ST007 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 152.4 mm x 6.35 mm | Inquire |
| 49083108300800ST008 | In2O3-Ga2O3-ZnO | 99.99% | Ø 203.2 mm x 3.175 mm | Inquire |
Indium-Gallium-Zink-Oxid (In2O3-Ga2O3-ZnO) ist ein hochreines transparentes Oxid-Halbleitermaterial, das in Dünnschichttransistoren (TFTs), Flachbildschirmen und optoelektronischen Geräten weit verbreitet ist. Mit ihrer ausgezeichneten elektrischen Leistung, ihrer hohen Mobilität und ihrer einheitlichen Zusammensetzung sind IGZO-Sputtertargets für fortschrittliche Display-Technologien wie OLEDs und LCDs sowie für die Forschung im Bereich der Halbleiterbauelemente unerlässlich. Unsere Targets gewährleisten eine Reinheit von 99,99 % (4N), eine dichte Struktur und eine stabile Leistung für industrielle und Forschungsanwendungen.
Wir liefern hochwertige Indium-Gallium-Zinkoxid-Sputtertargets für Hersteller und Forschungseinrichtungen. Kontaktieren Sie uns für den besten Preis und technische Unterstützung.
Hervorragende Reinheit: 99,99% (4N) Reinheit erfüllt die strengen Anforderungen für Oxid-Halbleiter und Dünnschichtgeräte.
Hohe Leistung: Ausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit, Elektronenbeweglichkeit und optische Transparenz.
Stabiles Material: Die dichte Struktur, der geringe Gehalt an Verunreinigungen und die einheitliche Zusammensetzung gewährleisten reproduzierbare Dünnschichtergebnisse.
Flexible Größen: Erhältlich in verschiedenen Abmessungen für unterschiedliche Abscheidungssysteme.
Dünnschichttransistoren (TFTs): Anwendung in Hochleistungs-Aktiv-Matrix-OLEDs und LCD-Displays.
Flachbildschirme: Verwendet in Backplanes, Touchpanels und flexiblen Displays.
Optoelektronische Geräte: Geeignet für Fotodetektoren, Infrarotsensoren und transparente Elektronik.
Forschung und Entwicklung: Weit verbreitet in Labors für Materialwissenschaft und Geräteforschung.
Energiegeräte: Angewandt in transparenten leitfähigen Filmen für Anwendungen zur Energieumwandlung und -speicherung.
Industrielle Kompetenz: Spezialisiert auf hochreine Oxid-Halbleiter-Sputter-Targets.
Maßgeschneiderte Lösungen: Flexibel in Zusammensetzung, Abmessungen und Auswahl der Trägerplatte.
Zuverlässige Qualität: Strenge Verunreinigungskontrolle, dichte Struktur und einheitliche Zusammensetzung gewährleisten eine stabile Leistung.
Globale Lieferung: Schneller, sicherer Versand weltweit mit Schutzverpackung.
Technische Unterstützung: Ein professionelles Team bietet umfassende technische Dokumentation und Beratung.
F1. Wie hoch ist der Reinheitsgrad von In2O3-Ga2O3-ZnO-Sputtertargets?
A1. Unsere IGZO-Targets haben eine Standardreinheit von 99,99 % (4N) und gewährleisten eine zuverlässige Leistung für TFT- und Dünnschichtanwendungen.
F2. Kann das Verhältnis von In:Ga:Zn oder die Targetgröße angepasst werden?
A2. Ja, wir bieten flexible Zusammensetzungsverhältnisse und Targetabmessungen entsprechend den Anforderungen Ihres Beschichtungssystems.
F3. Wie sollten IGZO-Targets gelagert und gehandhabt werden?
A3. Lagern Sie sie in einer kühlen, trockenen Umgebung in versiegelten Behältern. Vermeiden Sie Feuchtigkeit, Staub und Verunreinigungen während der Handhabung.
F4. In welchen Branchen werden IGZO-Sputtertargets verwendet?
A4. Weit verbreitet in TFT-Backplanes, OLED/LCD-Displays, Touchpanels, optoelektronischen Geräten und Forschungslabors.
F5. Sind technische Berichte für Industrie- oder Forschungszwecke verfügbar?
A5. Ja, jede Charge wird mit COA-, TDS-, MSDS- und ICP-MS-Verunreinigungsberichten geliefert. Prüfberichte von Dritten sind auf Anfrage erhältlich.
Jede Charge von Produkten wird geliefert mit:
Analysezertifikat (COA)
Technisches Datenblatt (TDS)
Sicherheitsdatenblatt (MSDS)
Prüfberichte von Dritten sind auf Anfrage erhältlich, um Industrie- und Forschungsstandards zu erfüllen.
Chemische Formel: In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO
Erscheinungsbild: Off-white oder silbergraue dichte Scheibe
Kristallstruktur: Amorph/Mikrokristallin
Bindungsmethode: Anpassbar
Auswahl der Trägerplatte: Anpassbar
Sputtering-Verfahren: RF/DC-Magnetronzerstäubung
Innere Verpackung: Vakuumversiegelte Beutel und Kisten zum Schutz vor Verunreinigungen und Feuchtigkeit.
Äußere Verpackung: Kartons oder Holzkisten, die je nach Größe und Gewicht ausgewählt werden.
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